Исследованы оже-спектры, электронно-микроскопические изображения, карты-распределения химических элементов по поверхности поликристаллических слоевCdTe до и после облучения импульсами лазерного излучения модулированной добротности длительностью 2·10-8 с и плотностью энергии ниже порога разрушения или плавления материала. Показано, что лазерное облучение поликристаллических слоев: очищает поверхность от областей с диэлектрической фазой; приводит к модификации поверхности, сопровождающейся изменением стехиометрии на глубине~3 мкм. После удаления этого слоя происходит улучшение однородности поверхности поликристиллических слоев. Оценена глубина проникновения атомов углерода в поликристаллический слой. Показано влияние изменения стехиометрии поверхности после лазерного облучения на фотоэлектрические свойства поликристаллических слоевCdTe.
Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е., Смирнов А.Б. Состояние поверхности поликристаллических слоевCdTe, облученных импульсным лазерным излучением // ФТП, 2001, том 35, выпуск 6, Стр. 745

Предложена методика определения стехиометрического состава собственного полупроводника Hg1-xCdsTe с использованием эффекта поля в электролите. Оригинальный сравнительный анализ вольт-фарадных характеристик, полученных экспериментально и рассчитанных в рамках квантового описания области пространственного заряда, позволяет найти значениеx в приповерхностном слое полупроводника на глубине, соизмеримой с дебаевским радиусом экранирования. Представлены результаты определения стехиометрического состава четырех образцов Hg1-xCdxTe (x=0.205, 0.245, 0.290,0330).
Иванкив И.М., Яфясов А.М., Божевольнов В.Б., Перепелкин А.Д. Методика определения стехиометрического состава твердого раствора кадмий--ртуть--теллур извольт-фарадных характеристик // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 546

Выращены эпитаксиальные слои n- и p-типа проводимости. Показано, что морфология слоев p-типа проводимости значительно хуже морфологии слоев n-типа. Однако в обоих случаях спектры фотолюминесценции и подвижность носителей тока не сильно отличаются от аналогичных характеристик для монокристаллических образцов. Также получены планарные p-n-переходы и изготовлены диоды. В зависимости от структуры слоев вольт-амперные характеристики приборов имеют вид обычного или обращенного диода.
Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Мокеров В.Г., Велиховский Л.Э. Использование амфотерности примесных атомов кремния для получения планарных p-n-переходов на подложках GaAs с ориентацией (111)A методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 427

В диодных гетероструктурах p-InAsSbP/n-InAs, смещенных в обратном направлении, исследовалась отрицательная люминесценция lambdamax=3.8 мкм в интервале температур 70/ 180oC. Мощность отрицательной люминесценции возрастала с повышением температуры и, начиная со 110oC, оказывалась больше мощности электролюминесценции в прямом направлении. Получены значения мощности отрицательной люминесценции 5 мВт/см2, эффективности 60% и коэффициента преобразования 25 мВт/А · см2 при 160oC.
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Отрицательная люминесценция вдиодах наоснове p-InAsSbP/n-InAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 335

Измерены зависимости тока от напряжения обратного смещения и температуры диодов Шоттки Al/p-InP, изготовленных на эпитаксиальных слоях фосфида индия, легированного цинком. Обратный ток обладает явно выраженной температурной зависимостью с энергией активации 0.75 эВ в высокотемпературной области и 0.51 эВ при температурах
Пипинис П.А., Римейка А.К., Лапейка В.А., Пипинене А.В. Механизм обратного тока в диодах с барьером Шоттки Al/p-InP // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 188

Сделана попытка интерпретации вольт-амперной характеристики гетероструктуры p-Si-n-SiC в рамках туннельно-избыточного механизма. Проведена оценка ширины области объемного зарядаW и длины туннелированияlambda. Показано, что W>> lambda и, несмотря на это, транспорт тока через исследуемую гетероструктуру подчиняется туннельному механизму. Найдены характеристическая энергия туннелирования varepsilon=57 мэВ, температурный коэффициент тока насыщения и коэффициент разреженности барьера.
Каражанов С.Ж., Атабаев И.Г., Салиев Т.М., Канаки Э.В., Джаксимов Е. Туннельно-избыточные токи в гетероструктурах p- Si-n-3C-SiC // ФТП, 2001, том 35, выпуск 1, Стр. 75

Кристаллически совершенные гетероструктуры IIтипа Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/InAs на основе четверных твердых растворов, обогащенных антимонидом галлия, были получены на подложках InAs (001) методом жидкофазной эпитаксии. Эпитаксиальные слои GaInAsSb были выращены в условиях планарного двумерного роста с резкими по составу и планарными интерфейсами. Толщина переходного слоя на границе раздела Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/InAs, обогащенного тяжелыми ростовыми компонентами (In и Sb), в совершенных структурах составляла 10--12 Angstrem. Шероховатость верхней границы целиком определялась условиями эпитаксиального роста и не превышала 500 Angstrem для структур с толщинами слоев порядка 2 мкм.
Моисеев К.Д., Ситникова А.А., Фалеев Н.Н., Яковлев Ю.П. Разъединенные гетероструктуры IIтипа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1438

Приводятся результаты комплексного исследования электрических и фотоэлектрических свойств изотипных (p-Si/p-GaN<O>) и анизотипных (n-Si/p-GaN<O>) гетеропереходов, изготовленных химическим осаждением пленок твердых растворов GaN<O> на кремниевые подложки путем пиролитического разложения моноаммиаката хлорида галлия в присутствии паров воды. В токовом режиме при прямых и обратных смещениях проведены измерения интегральной и спектральной фоточувствительности, кинетики фотоответа; исследованы вольт-амперные характеристики, фотоэдс насыщения. Установлено, что в обоих типах гетеропереходов распределение зарядов в приконтактных областях определяется преимущественно захватом носителей на граничные состояния (плотность которых по оценке составляет ~ 1014-1015 см-2) с образованием обедненных слоев по обе стороны от границы раздела. Проанализированы механизмы формирования фоточувствительности в анизотипных и изотипных гетеропереходах. Показано, что дифференциальный вид кинетики фотоотклика связан с перезарядкой состояний на границе раздела компонентов. Сильный рост фотоотклика изотипного гетероперехода при приложении смещения связывается с фототранзисторным эффектом. Предложенные модели энергетических зон гетеропереходов непротиворечиво объясняют наблюдаемые эффекты.
Александров C.Е., Гаврикова Т.А., Зыков В.А. Особенности фотоэлектрических свойств изотипных и анизотипных гетеропереходов Si/GaN&lt;O&gt; // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1347

Обсуждается возможность использования результатов измерения квазистатических вольт-амперных характеристик и высокочастотного импеданса симметричных по легированию бикристаллических структур, полученных методом прямого сращивания кремния, для одновременного определения электрофизических параметров границы сращивания (дифференциальной плотности поверхностных состояний nu(E)) и приграничных слоев (распределения концентрации легирующей примеси в окрестности границы). Обращается внимание на то обстоятельство, что отношение статического тока к высокочастотной проводимости представляет собой параметр, весьма чувствительный к наличию "проколов" (участков с повышенной проводимостью) в потенциальном барьере границы сращивания. Экспериментально показано, что проводимость реальных бикристаллических структур, полученных прямым сращиванием кремния, в значительной степени определяется наличием таких "проколов", что должно учитываться при определении зависимости nu(E) наряду с возможным подлегированием приграничных слоев в процессе сращивания.
Стучинский В.А., Камаев Г.Н. Статическая и высокочастотная поперечная проводимость изотипных кремниевых структур, полученных методом прямого сращивания // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1214

Получены структуры кремний-на-изоляторе путем отделения от пластины кремния тонкого слоя за счет имплантации водорода, переноса этого слоя на другую подложку и сращивания с ней. Исследовано влияние водорода и уровня легирования исходных пластин на концентрацию свободных носителей и тип проводимости в отсеченном слое кремния. Показано, что высокая концентрация бора в исходном материале в сочетании с высокой концентрацией остаточного водорода в слое кремния, отделенном от пластины, приводит к n-типу проводимости, который сохраняется до температур отжига структур 1100oC. Уменьшение концентрации остаточного водорода за счет дополнительного отжига создает условия, когда проводимость готовых структур соответствует типу проводимости исходного материала.
Антонова И.В., Стась В.Ф., Попов В.П., Ободников В.И., Гутаковский А.К. Проводимость структур кремний-на-изоляторе, полученных сращиванием пластин кремния сподложкой сиспользованием имплантации водорода // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1095