Изготовлены туннельные светодиоды на основе Si : (Er, O), в которых в режиме пробоя наблюдается минимальная из зарегистрированных постоянная времени нарастания интенсивности электролюминесценции ионов эрбия. Это обусловлено образованием Er-содержащих центров с эффективным сечением возбуждения ионов эрбия ~ 7· 10-16 см2 и временем жизни возбужденного состояния~ 17 мкс. Впервые при комнатной температуре измерено время жизни в первом возбужденном состоянии ионов эрбия после выключения обратного тока, связанное с оже-передачей энергии свободным электронам в электронейтральной области диода.
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Тришенков М.А., Хакуашев П.Е. Туннельные светодиоды на основе Si : (Er, O) смалыми временами нарастания электролюминесценции ионовEr3+ в режиме пробоя // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 965

Проанализированы физические процессы, ответственные за формирование обратных вольт-амперных характеристик структур Al/SiO2/n-Si с толщиной SiO2 в пределах 1.2-3.2 нм и уровнем легирования кремния 1014-1018 см-3. Предложена новая модель для описания процесса эволюции энергии горячих электронов в таких структурах. Разграничена роль оже-ионизации и ударной ионизации. Теоретически и экспериментально изучены величины напряжений переключения туннельной МОП структуры. Показано, что напряжение переключения уменьшается с ростом толщины окисла.
Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. Роль эффекта ударной ионизации в формировании обратных вольт-амперных характеристик туннельных структур Al/SiO2/n-Si // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 803

Осаждением пленок CuInSe2 на подложки CdS в квазизамкнутом реакторе с "горячими стенками" получены p-n-гетероструктуры CuInSe2 / CdS. Исследованы термоэдс, вольт-амперные характеристики и спектры фоточувствительности гетероструктур.
Магомедов М.-Р.А., Исмаилов Ш.М., Магомедова Дж.Х., Хохлачев П.П. Термоэлектрические и фотоэлектрические свойства p-n-гетероструктур CuInSe2/CdS, полученных методом квазиравновесного осаждения // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 689

Теоретически исследован фотоемкостной эффект в монополярном МДП конденсаторе при оптической ионизации примесных атомов в полупроводниковом электроде при низких температурах. Выведены аналитические выражения для характеристик емкость--напряжение и фотоемкость--напряжение для МДП конденсатора с электродом из полупроводника p-типа. Показано, что зависимость фотоемкостной чувствительности от напряжения смещения имеет вид относительно узкого пика, величина и положение которого на оси напряжений зависит от концентрации донорной примеси. Представлены емкостные и фотоемкостные характеристики для МДП конденсатора с электродом из кремния, легированного индием.
Пенин Н.А. Фотоемкостной эффект в монополярном металл--диэлектрик--полупроводник конденсаторе при низких температурах // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 562

Рассмотрено стационарное и нестационарное фотонапряжение, возникающее в многослойной структуре с p-n-переходами при неоднородной засветке, для произвольного соотношения длины диффузионного смещения L и размеров p- и n-областей d. Показано, что при d<< L из-за взаимного влияния соседних p-n-переходов фотонапряжение существенно меньше (в d2/12L2 раз), чем при обратном смещении. Релаксация фотонапряжения определяется перезарядкой барьерных емкостей p-n-переходов и на несколько порядков превышает время жизни неравновесных носителей зарадя в p- и n-областях. Полученные результаты применимы к объяснению особенностей эффекта аномального фотонапряжения в поликристаллических пленках.
Агарев В.Н., Степанова Н.А. К теории эффекта аномального фотонапряжения в многослойных структурах с p-n-переходами // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 452

Численно проанализированы релаксационные сигналы--- температурные зависимости тока J(T) и высокочастотной емкости C(T),--- возникающие при термостимулированной деполяризации МДП структуры. Учтены как опустошение ионных ловушек, локализованных у границы раздела диэлектрик--полупроводник, так и генерация неосновных носителей заряда через объемный центр в полупроводнике глубиной ED.
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Чучева Г.В. Генерация неосновных носителей заряда уповерхности полупроводника приионной термодеполяризации структур металл--диэлектрик--полупроводник // ФТП, 2000, том 34, выпуск 3, Стр. 283

Детально изучены фазовые переходы между различными реконструкциями на поверхности (001)GaAs и InAs методом дифракции быстрых электронов на отражение. Предложена кинетическая схема взаимодействия As4 с поверхностью. Показано, как модифицировать основные уравнения, описывающие фазовый переход, если переходы происходят в потоке As4 вместо As2. Предложена модель перехода (4x2)->(2x4) как реконструкционного перехода в слое атомов металла, стабилизированного последующей адсорбцией мышьяка. Существенное отличие переходов в GaAs от InAs обусловлено более жесткими силовыми константами. Метастабильные разупорядоченные фазы играют важную роль в непрерывной эволюции от (2x4)beta до (4x2) фазы в GaAs.
Галицын Ю.Г., Мощенко С.П., Суранов А.С. Реконструкционный переход (4x 2)-&gt; (2x 4) на поверхности (001)InAs и GaAs // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 180

Предложена экспресс-методика контроля тонкослойных полупроводниковых структур методом эллипсометрии. Приведены результаты исследования распределения толщины и состава в слоях AlxGa1-xAs, выращенных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии. Данные эллипсометрии сравниваются с данными, полученными с помощью спектров комбинационного рассеяния
Сухорукова М.В., Скороходова И.А., Хвостиков В.П. Исследование ультратонких слоев AlxGa1-xAs методом эллипсометрии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 57

Исследованы вольт-амперные характеристики специально разработанных оригинальных трехэлектродных структур n+-p-n+ на основе карбида кремния. Впервые определены насыщенные дрейфовые скорости электронов в направлении, параллельном оси кристалла, для ряда политипов карбида кремния (4H, 6H, 8H и 21R), величины которых составили 3.3· 106, 2· 106, 106 и 4· 103 см/с соответственно. Полученные результаты интерпретируются в рамках представлений о минизонной электронной структуре, обусловленной естественной сверхрешеткой в SiC, и качественно удовлетворяют этим представлениям. Экспериментально подтверждена корреляция между дрейфовой скоростью и шириной первой минизоны в исследованных политипах.
Санкин В.И., Лепнева А.А. Насыщенная скорость вертикального дрейфа электронов в политипах карбида кремния // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 586

Оценивалась возможность возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в симметричных структурах металл--полупроводник--металл с малой толщиной пленки. Предложена модель, позволяющая в первом приближении объяснить природу возникновения данной бистабильности в результате генерационно-рекомбинационных процессов, протекающих в объеме образца при биполярной инжекции. Показана перспективность разработки и применения структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением в устройствах для регистрации и обработки информации.
Колобаев В.В. Возникновение генерационно-рекомбинационной неустойчивости втонкопленочных структурах // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 423