The capabilities of admittance spectroscopy for the investigation of a-Si : H/c-Si heterojunctions are presented. The simulation and experimental results, which compare very well, show that the admittance technique is sensitive to parameters of both the a-Si : H layer and the a-Si : H/c-Si interface quality. In particular, the capacitance versus temperature curves have two steps, accompanied by two bumps in the temperature dependence of the conductance. The first step occurring in the low temperature range (100-200 K) is related to the transport and response of gap states in the a-Si : H layer. The second step occurring at higher temperature (>200 K) is caused by a carrier exchange with interface states and appears when the interface defect density exceeds 5x1012 cm-2. Then, the interface defects affect the band bending, and thus the activation energy of de-trapping, which favours the exchange with electrons from the a-Si : H and holes from the c-Si, respectively, for increasing defect density.
Gudovskikh A.S., Kleider J.-P., Terukov E.I. Characterization of a-Si : H/c-Si interface byadmittance spectroscopy // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 940

Обнаруженные особенности оптоэлектронных свойств подложек теллурида кадмия с модифицированным слоем и поверхностно-барьерных диодов на их основе объясняются квантово-размерными эффектами в нанокристаллической структуре этого слоя. Образование модифицированного слоя подтверждается результатами исследования поверхности методами атомно-силовой микроскопии и связывается с процессами самоорганизации, доминирующими при определенных условиях отжига.
Махний В.П. Особенности физических свойств модифицированной поверхности теллурида кадмия // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 826

Поверхностная генерация неосновных носителей заряда в кремниевых МОП структурах эффективна лишь на начальной безрекомбинационной стадии. За время t~ 10-5 с устанавливается квазиравновесие между центрами поверхностной генерации и зоной неосновных носителей заряда, и в отсутствие иных каналов генерации носителей равновесное состояние инверсии при 300 K установилось бы в течение t=tбесконечность>103 лет. Реально времяtбесконечность намного меньше вследствие рождения неравновесных носителей через центры, локализованные на гетерогранице SiO2/Si по периферии затвора. Краевую генерацию просто имитировать в МОП структуре с единым затвором, изолированным от Si слоями окисла различной толщины. При обедняющих потенциалах затвора Vg роль периферии играет мелкая потенциальная яма под более толстым окислом, а кинетика тока генерации I(t) становится необычной: на зависимостях I(t) наблюдаются две дискретных ступеньки, длительность и высота которых--- функцииVg. Анализ кривых I(t) позволяет определять электронные характеристики поверхностиSi в состояниях начального обеднения (t=0) и равновесной инверсии (t=tбесконечность), а также параметры центров поверхностной инерции, включая их энергетическое и пространственное распределения. Функционально специализированная планарная неоднородность подзатворного изолятора--- перспективная основа динамических сенсоров с интегрирующими и пороговыми свойствами.
Ждан А.Г., Гольдман Е.И., Гуляев Ю.В., Чучева Г.В. Повышение темпа идискретизация кинетики изотермической поверхностной генерации неосновных носителей заряда вструктурах металл--диэлектрик--полупроводник спланарно-неоднородным диэлектриком // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 697

Получены пористые подложки GaAs (100) и(111) с наноструктурированным (~ 10 нм) рельефом поверхности, под который на глубине ~ (50-100) нм поры, ветвящиеся вдоль< 111>, образуют густую сеть с объемной плотностью ~ 60%. Проведено исследование поверхности подложки и структуры выращенных на них слоев GaSb. Обнаружено уменьшение на22% несоответствия параметров решеток на границе GaSb/GaAs(пористый) по сравнению с GaSb/GaAs(монолит). Развиты представления о химических механизмах порообразования в кристаллах AIIIBV и установлена связь структуры пористых слоев с составами электролитов и условиями анодирования. Показано, что зависимость скорости роста слоя от величины упругой деформации решетки может служить фактором ускоренного зарастания пор и перехода к планарному росту.
Ситникова А.А., Бобыль А.В., Конников С.Г., Улин В.П. Особенности формирования эпитаксиальных пленок напористых подложкахA IIIB V // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 552

Предложены и впервые получены методами вакуумной термической сублимации фталоцианина палладия (PdPc) на поверхность пластин тройного полупроводникового соединения CuIn3Se5 и магнетронного напыления пленокn-ZnO : Al на поверхность PdPc фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/PdPc/p-CuIn3Se5. Исследованы вольт-амперные характеристики и спектры квантовой эффективности фотопреобразования новых структур. Обнаружены возможности применения полученных структур в качестве мультиполосных фотопреобразователей естественного излучения.
Боднарь И.В., Дмитриева Е.С., Никитин С.Е., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотопреобразование вструктурах n-ZnO : Al/PdPc/ p-CuIn3Se5 // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 426

Выполнен расчет деполяризации в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник, основанный на анализе экспериментальных параметров петли гистерезиса структуры металл--сегнетоэлектрик--металл. Для полупроводника уравнение Пуассона решается известными методами, для сегнетоэлектрика--- численным интегрированием. Рассмотрены два варианта параметров полупроводника. 1.Широкая n-область, за областью объемного заряда имеется область электрической нейтральности. 2.Тонкая n-область, электрическое поле проникает сквозь n-область. Показано, что деполяризация существенно уменьшает поляризацию сегнетоэлектрика, причем это уменьшение более значительно для полупроводника с меньшей концентрацией примеси. Вслучае, когда электрическое поле проходит через всю n-область, деполяризация уменьшается с уменьшением толщины n-области.
Берман Л.С. Деполяризация в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 332

Сообщается о результатах исследования влияния лазерного излучения малой мощности на формирование ориентированных слоев сульфида кадмия из паровой фазы на подложке, охлажденной жидким азотом (резко неравновесные условия). Приводятся результаты технологических экспериментов, результаты исследования дифракции электронов (электронограммы) и данные о диаграмме конденсации. Выявлено, что в зависимости от температуры подложки лазерное излучение может как способствовать повышению кристаллического совершенства пленок, так и оказывать отрицательное воздействие. Показано, что диаграмма конденсации слоев сульфида кадмия при облучении подложки лазерным излучением малой мощности сдвинута относительно диаграммы конденсации, полученной без воздействия лазерного излучения, в сторону более высоких температур. Результаты эксперимента интерпретируются в рамках модели солитонной гетероэпитаксии.
Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В. Влияние лазерного излучения наформирование ориентированных слоев сульфида кадмия в резко неравновесных условиях // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 204

Сообщается о получении эпитаксиальных слоев BxGa1-xAs на подложкеGaAs методом металлорганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении. Вкачестве источников бора, галлия и мышьяка использовались триэтилбор, триметилгаллий и арсин. Были подобраны оптимальные условия роста. Слои были исследованы методами рентгеновской дифракции, вторичной ионной масс-спектрометрии и фототоковой спектроскопии. Результаты вторичной ионной масс-спектрометрии показали равномерное распределение бора по толщине слоя. По данным фототоковой спектроскопии ширина запрещенной зоны BGaAs уменьшается с ростом концентрации бора.
Пряхин Д.А., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Гапонова Д.М., Мурель А.В., Шашкин В.И., Rushworth S. Получение слоев BGaAs методом МОГФЭ на подложках GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 17

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al--n-Si--SnO2 : Cu--Ag. Установлено, что токоперенос в данной структуре обусловлен двойной инжекцией носителей заряда в диффузионном приближении. При экспонировании гетероструктуры в газовой смеси1%-H2S/N2 наблюдался прирост величины фототока на35%. На воздухе исходные значения фототока восстанавливались. Времена нарастания и спада фотосигнала сравнительно невелики--- 1 и3 мин соответственно.
Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Иванов Э.В., Малинин Ю.Г., Салихов Х.М. Влияние сероводорода нафотоэлектрические характеристики изотипных гетероструктур Al-n -Si- SnO2: Cu- Ag // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1426

Изготовлены и исследованы фоточувствительные структуры на основе монокристаллов n-HgGa2S4. Сделан вывод о перспективах применения кристаллов HgGa2S4 в качестве фотодекторов естественного и линейного поляризованного излучения коротковолнового спектрального диапазона.
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Байрамов Б.Х., Ильчук Г.А., Украинец В.О., Фернелиус Н., Шунеманн П.Г. Фоточувствительные структуры на монокристаллах HgGa2S4: создание исвойства // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1332