Гетеропереходы на кристаллах p-CuIn3Se5 изготовлены методами магнетронного распыления мишени n-ZnO : Al и посадки естественно-сколотых тонких пластин n-GaSe на полированную поверхность пластин p-CuIn3Se5. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и механизмы прохождения тока в исследуемых диодах. Обнаружен и обсуждается фотовольтаический эффект в созданных структурах. Показано, что полученные фоточувствительные гетеропереходы являются перспективными для создания селективных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.
Боднарь И.В., Никитин С.Е., Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В. Создание и фоточувствительность гетеропереходов на кристаллах CuIn3Se5 // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1228

Приведены результаты спектральных эллипсометрических исследований сложной многослойной системы <подложкаSi>-<слойSiO2>-<слой поликристаллическогоSi>. Предложена методика анализа многослойной структуры, основанная на сильной зависимости экспериментальных данных спектральной эллипсометрии от глубины проникновения зондирующего излучения при различных длинах волн видимого диапазона. Определена реальная структура системы и параметры слоев. Обработка эллипсометрических данных дала возможность обнаружить естественный шероховатый поверхностный окисный слойSiO2, а также переходный слой на границе раздела <слой поликристаллическогоSi>-<слой естественного окисла>, определены их состав и толщина. Показано, что осажденный слойSi представляет собой смесь кристаллической и аморфной фаз, найдено их процентное содержание.
Беляева А.И., Галуза А.А., Коломиец С.Н. Границы раздела слоев ишероховатость вмногослойной кремниевой структуре // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1050

Рассмотрена схема возбуждения фотопроводимости, когда внешнее электрическое поле действует параллельно направлению распространения излучения. Проанализированы пространственное распределение неравновесных электронов и условия разделения электронно-дырочных пар (собирания носителей) в зависимости от величины приложенного к кристаллу напряжения. Предложена методика определения времени жизни электронов из измерений фотопроводимости.
Косяченко Л.А., Маслянчук Е.Л., Раренко И.М., Склярчук В.М. Исследование собирания носителей вCdZnTe-детекторах рентгеновского иgamma -излучения фотоэлектрическим методом // ФТП, 2004, том 38, выпуск 8, Стр. 1018

Исследованы характеристики облученных протонами эпитаксиальных i-GaAs-структур фотодетекторов со встречно-штыревой системой электродов до и после воздействия гамма-нейтронного облучения. Чтобы уменьшить темновой ток фотодетекторов, металлизация электродов производилась на облученных протонами i-GaAs-структурах, а затем проводилось вжигание при температуре300oC в течение30 мин, что приводило к частичному восстановлению проводимости эпитаксиального слоя. На основании измерений спектральных зависимостей фоточувствительности структур показано, что при энергиях оптических квантов, близких к ширине запрещенной зоны, фоточувствительность облученных протонами структур устойчива к воздействию гамма-нейтронного облучения, что позволяет предложить их для создания радиационно-стойких фотодетекторов.
Мурель А.В., Оболенский С.В., Фефелов А.Г., Киселева Е.В. Устойчивость обработанных протонамиGaAs фотодетекторов кгамма-нейтронному облучению // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 834

Методами оптической и растровой электронной микроскопии всочетании спослойным химическим травлением исследованы физические процессы твердофазной диффузии всформированных на свободной поверхности кремния и вокнахSiO2 бескорпусных тонкопленочных структурах Al-n-n+-Si-Al сбарьером Шоттки при импульсном лазерном облучении.
Воробец Г.И., Воробец М.М., Стребежев В.Н., Бузанeва Е.В., Шкавро А.Г. Исследование физических механизмов лазерной коррекции и стабилизации параметров структур Al-n-n+-Si-Al сбарьером Шоттки // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 690

Исследовано изменение контактной разности потенциалов контакта n-InSe--p-GaSe в процессе длительного (более 10 лет) хранения в нормальных условиях. Обнаруженное существенное увеличение со временем контактной разности потенциалов объясняется сближением поверхностей моноселенидов индия и галлия вследствие диффузионного расплывания кислорода, первоначально адсорбированного на границе раздела, в глубь контактирующих полупроводников с образованием участков реального \glqq тесного\grqq контакта InSe/GaSe.
Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д. Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe--p-GaSe впроцессе &#92;glqq старения&#92;grqq // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 566

Методом магнетронного осаждения тонких пленок n-ZnO : Al на поверхность эпитаксиальных слоев n- и p-GaAs получены анизотипные и изотипные гетеропереходы ZnO / GaAs. Показано, что в широкой спектральной области 1.5-3.2 эВ полученные гетероструктуры обладают высокой фоточувствительностью (~5·103 В / Вт при 300 K), которая осциллирует вследствие интерференции излучения в тонкопленочной компоненте. При наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность пленок ZnO в гетеропереходе возникает наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в пределах ~1-55% при theta=85o, что также связано с интерференцией излучения в пленке ZnO. Сделан вывод о перспективности применения полученных гетеропереходов в качестве узкоселективных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.
Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N., Goldstein J. Осцилляции наведенного фотоплеохроизма вгетеропереходах ZnO / GaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 407

Псевдоморфные гетероструктуры Si0.76Ge0.24 / Si, изготовленные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, облучали ионами Ge+ с энергией 350 кэВ при температуре 400oC таким образом, чтобы пик энергетических потерь ионов находился в кремниевой подложке, ниже границы раздела SiGe / Si. Изучалось влияние ионной имплантации на релаксацию упругих напряжений и дефектную структуру, образующуюся в результате постимплантационных отжигов. Обнаружено, что отжиг уже при температуре 600oC позволяет получить очень выскокую степень релаксации упругих напряжений в гетероструктуре при низкой плотности прорастающих дислокаций в слое SiGe (
Аврутин В.С., Агафонов Ю.А., Вяткин А.Ф., Зиненко В.И., Изюмская Н.Ф., Иржак Д.В., Рощупкин Д.В., Штейнман Э.А., Вдовин В.И., Югова Т.Г. Низкотемпературная релаксация упругих напряжений вSiGe / Si-гетероструктурах, облученных ионамиGe+ // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 325

Методом направленной кристаллизации расплава выращены кристаллы тройных соединений CuIn7S11, CuIn11S17 и AgIn11S17. На основании измерения кинетических коэффициентов определены тип проводимости, удельное сопротивление, концентрация электронов и холловская подвижность носителей заряда, что позволяет отнести полученные вещества к полупроводниковым материалам. Установлена возможность и созданы первые фоточувствительные структуры на основе выращенных соединений. Определены фотоэлектрические параметры полученных твердотельных поверхностно-барьерных структур и фотоэлектрохимических ячеек, обсуждается характер межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны новых полупроводников. Показано, что разработанные структуры могут применяться в фотодетекторах естественного излучения.
Боднарь И.В., Полубок В.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Сергинов М.С. Структуры на основе полупроводниковых соединений Cu(Ag)InnSm // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 202

Представлены результаты экспериментальных исследований InP:Zn, полученного методом диффузии цинка в открытой системе в незащищенную поверхностьInP. Изучено влияние отжигов в атмосферах азота и водорода, проведенных перед диффузиейZn на параметры фосфида индия. Установлено, что при термическом отжиге в атмосфере азота в фосфиде индия создается насыщенный азотом приповерхностный слой, который препятствует испарению фосфора, уменьшает генерацию рекомбинационных центров в фосфиде индия и увеличивает концентрацию электрически активной примеси цинка в p-области фосфида индия.
Андриевский В.Ф., Гущинская Е.В., Малышев С.А. Диффузия цинка в незащищенную поверхностьInP // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 68