Вычислено излучательное время жизни невырожденных электронов и дырок, однородно распределенных в полупроводниковом слое, который расположен на подложке или ограничен двумя диэлектрическими средами. Полученное выражение учитывает эффекты перепоглощения и интерференции излучения и определяет зависимости излучательного времени жизни от показателей преломления внешних сред и от толщины слоя. PACS:78.20.Bh, 78.20.Ci, 78.55.-m
Пипа В.И. Излучательное время жизни электронов идырок в тонком слое полупроводника // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 686

На основе 18-зонной kp-модели проведен анализ волновых функций состояний валентной зоны. Найдено, что обычно используемое приближение не зависящих от энергии эффективных масс для зон легких и тяжелых дырок оправдано только вблизи вершины валентной зоны. Рассмотрены условия сшивания огибающих функций дырок на гетерограницах GaAs/AlAs с ориентациями (111) и(110) как с учетом, так и без учета спин-орбитального взаимодействия для энергий в окрестности вершины валентной зоны. Они получены в результате упрощения описания электронных состояний методом псевдопотенциала. Полученные условия сшивания полностью согласуются с симметрией задачи. Вних присутствует смешивание огибающих функций с их нормальными производными и смешивание производных с функциями. Показано, что смешивание легких и тяжелых дырок на гетерогранице не имеет места для границы(111), но существует для границы(110). Найдено, что для гетерограницы(110) имеется заметно большее, чем для границы(001), резонансное смешивание состояний. PACS: 73.50.Dn, 73.40.Kp
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Рассеяние дырок гетерограницами GaAs/AlAs (111) и(110) // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 549

Исследованы инфракрасные спектры отражения, обусловленные колебаниями решетки в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs (100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с различными концентрациямиAl в металлической подрешетке. Вспектре образца с x~0.50 обнаружены моды колебаний, соответствующие сверхструктурной фазе упорядочения AlGaAs2. Атомно-силовая микроскопия поверхности образца с x~0.50 показала наличие областей упорядочения нанорельефа с периодом ~115 нм, в которых проявляется структурная фаза AlGaAs2. PACS: 78.66.Fd, 81.05.Ea, 68.05.Nq
Домашевская Э.П., Середин П.В., Лукин А.Н., Битюцкая Л.А., Гречкина М.В., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. Инфракрасные спектры отражения иморфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs (100) сфазой упорядоченияAlGaAs2 // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 411

Проведены расчеты вольт-амперных характеристик обратно смещенной МОП структуры Al/SiO2/n-Si с учетом неоднородности распределения толщины окисла по площади при номинальной толщине 1--3 нм. Известно, что в определенном диапазоне средних толщин SiO2 характеристики имеют S-образную форму, свидетельствуя о бистабильности прибора. Предсказан сдвиг напряжений удержания и включения, связанный с наличием статистического разброса толщины. Под действием электрического стресса среднеквадратичное отклонение толщины SiO2 увеличивается; это приводит к сдвигу напряжений переключения в сторону больших значений. Расчеты дополнены экспериментальными данными. PACS: 73.40.Qv
Тягинов С.Э., Векслер М.И., Шулекин А.Ф., Грехов И.В. Влияние неоднородности толщины диэлектрика напереключение туннельной МОП структуры Al/SiO2/n-Si приобратном смещении // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 314

Получены электролюминесцентные, излучающие в видимой области спектра, структуры на основе пористого кремния (por-Si), сформированного на подложке p-Si электролитически с использованием внутреннего источника тока. Изучены фото- и электролюминесцентные свойства, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Электролюминесценция наблюдается только при прямом смещении, механизм электролюминесценции--- инжекционный, связан с излучательной рекомбинацией электронов и дырок в квантово-размерных нанокристалахSi. Инжекция дырок определяется режимом их аккумуляции в области пространственного заряда p-Si, невысокой концентрацией электронных состояний на границе por-Si/p-Si. Токопрохождение в por-Si обусловлено прямым туннелированием носителей между квантовыми уровнями, что обеспечивается значительным числом квантово-размерных нанокристалловSi. Токи утечки малы благодаря малой дисперсии размеров нанокристалловSi, отсутствию крупных нанокристаллов. PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi
Евтух А.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Семененко Н.А. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний / монокристаллический кремний // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 180

На основе различных физико-химических моделей проведен анализ поверхностных концентраций продуктов распада моносилана на поверхности кремниевой пластины. Выполненные расчеты позволили оценить коэффициент кристаллизации и его зависимость от температуры и от давления газа в реакторе. Показано, что качественный характер зависимостей поверхностных концентраций и коэффициента кристаллизации от температуры слабо зависит от конкретного выбора радикала SiHn, лимитирующего процесс пиролиза по времени. Общий вид изучаемых зависимостей слабо чувствителен также к тому, на какой стадии удаляется водород с поверхности. Вто же время количественные характеристики поверхностных концентраций в значительной степени зависят от выбора конкретного пути распада силана на поверхности. Вработе проанализированы зависимости коэффициента кристаллизации атомов кремния на поверхности роста от температуры эпитаксиального процесса, давления газов в реакторе и частоты распада молекул силана на поверхности. Показано, что если при повышенных температурах роста скорость наращивания пленки чувствительна к величине скорости пиролиза молекул, то при низкой температуре роста только заполнение поверхности водородом является единственным фактором, определяющим скорость эпитаксиального процесса. PACS: 82.30.Fi, 82.20.Wt, 68.35.Bs
Орлов Л.К., Смыслова Т.Н. Сопоставительный анализ моделей кинетики распада молекул силана наповерхности приэпитаксиальном росте пленок кремния ввакууме // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 45

Изучаются изменения характеристик туннельной МОП структуры Al / SiO2 / n-Si, происходящие при снижении ее поперечных размеров в диапазоне от микрометра до нескольких нанометров. При моделировании учитывается квантование движения носителей в плоскости, перпендикулярной направлению туннелирования. Для большей наглядности МОП структура рассматривается как инжектор (туннельный МОП эмиттер) биполярного транзистора. Показано, что уменьшение размеров не вызывает качественных изменений электрических характеристик прибора, но приводит к некоторому снижению коллекторного тока и в особенности усиления. Полученные данные важны как сами по себе, так и в связи со скейлингом полевых транзисторов, поскольку транзистор с туннельным МОП эмиттером является одним из практически интересных режимов включения обычного полевого транзистора.
Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. О влиянии поперечного квантования наэлектрические характеристики туннельной МОП структуры субмикрометровых размеров // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1430

Рассмотрена кинетика электронных процессов в структурах металл--диэлектрик--полупроводник, в которых слой диэлектрика обладает небольшой проводимостью. При питании структуры постоянным напряжением в полупроводниковом слое возникает неравновесная обедненная область. Проанализированы условия, необходимые для формирования устойчивой обедненной области и для образования в ней фотоэлектрических сигналов. Приведены оценки длительности переходных процессов и параметров слоев структуры.
Ковтонюк Н.Ф., Мисник В.П., Соколов А.В. Чувствительность структур диэлектрик--полупроводник кнестационарным световым потокам // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1336

Экспериментально определены параметры решетки, ширина запрещенной зоны для структур Si--Si1-xGex в зависимости от соотношения химических компонентовx (0=<q x=<q 1). Исследованы распределение компонентов по толщине твердых растворов Si1-xGex и некоторые фотоэлектрические свойства. Экспериментальные данные указывают на совершенство полученных структур. Варизонные твердые растворы Si1-xGex (0=<q x=<q 1) могут быть применены для изготовления фотоэлектрических приборов, чувствительных к излучению в видимой и ближней инфракрасной областях, а также использоваться как подложечный материал для выращивания на нем GaAs и его твердых растворов.
Сапаев Б., Саидов А.С. Исследование некоторых свойств структур Si--Si1-xGex (0=&lt;q x=&lt;q 1), выращенных из ограниченного оловянного раствора--расплава методом жидкофазной эпитаксии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1183

Исследовано образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe взависимости от плотности мощности лазерного излучения при однократном облучении. Установлены оптимальные режимы лазерного облучения кристаллов, при которых образуется однородная структура с периодом100 нм и с латеральными размерами ~(19-20) нм и средней высотой ~(3.40-9.38) нм. Обнаружено, что периодичность проявляется строго в одном из кристаллографических направлений.
Байдуллаева А., Власенко А.И., Кузан Л.Ф., Литвин О.С., Мозоль П.Е. Образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe при однократном воздействии импульсом излучения рубинового лазера // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1064