Обсуждается влияние трансформаций зернограничных дислокаций на диффузию в нанокристаллических твердых телах. Разработана теоретическая модель, описывающая ускорение диффузионных процессов, которое связано с переползанием зернограничных дислокаций в нанокристаллических твердых телах. Настоящая работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-16075), INTAS (грант N 99-1216) и Офиса Морских Исследований США (the Office of US Naval Research) (грант N 00014-99-1-0569).
Овидько И.А., Рейзис А.Б. Переползание зернограничных дислокаций и диффузия в нанокристаллических твердых телах // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 1, Стр. 35

Выполнено молекулярно-динамическое моделирование атомных каскадов столкновений, инициируемых нормально падающими на поверхность кристалла Al(100) ионами Ar и Xe с энергиями 25, 40 и 50 eV при температуре кристалла 300 K. Обсуждается образование вакансий, радиационно-адсорбированных и межузельных атомов в каскаде. Показано, что при бомбардировке Al ионами Xe числа образуемых в каскадах поверхностных и объемных вакансий имеют два максимума в интервалах 0.2-0.3 и 0.7-1.0 ps с начала каскада, тогда как в случае Ar генерации вакансий имеют один максимум в интервале 0.2-0.3 ps. Работа поддержана грантом GZ 41002 / 8-19 / 91 Венского технического университета. Один из авторов (Г.В.К.) считает своим приятным долгом выразить признательность Австрийскому фонду научных исследований за предоставление финансовой поддержки во время его работы в Institut fur Allgemeine Physik, Technische Universitat Wien, Австрия.
Корнич Г.В., Бетц Г., Бажин А.И. Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов в кристалле алюминия при бомбардировке ионами низких энергий // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 1, Стр. 30

Методами импульсной спектрометрии исследовалась фотолюминесценция (ФЛ), изменение оптического поглощения и радиолюминесценции (РЛ) со временем после окончания воздействия импульса электронов на кристаллы LiF при различных режимах облучения и исходной радиационной дефектности. Выявлено различие свойств РЛ и ФЛ ионизованных F+2- и F+3-центров, обнаружено существование нескольких механизмов радиационного создания каждого из центров, отличающихся энергетическими и кинетическими параметрами, а также характером температурных зависимостей. Доказано, что ионизованные центры в излучательном состоянии образуются в процессе взаимодействия соответствующего нейтрального центра с дырками разной степени термализации. Предложен механизм возбуждения свечения этих центров. Работа выполнена при финансовой поддержке Миннауки (грант по направлению "Лазерная физика").
Лисицына Л.А. Радиолюминесценция ионизованных электронных центров окраски в кристаллах LiF // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 1, Стр. 25

Дана оценка влияния межузельных атомов водорода на эволюцию пластической деформации в кристалле у вершины трещины растяжения с учетом газообмена на берегах трещины. Обнаружено, что при начальной концентрации не менее 10-4 пластифицирующее влияние растворенного водорода на основе выталкивания дислокации значительно и может по крайней мере частично объяснить явление пластификации. Что касается эволюции распределения атомов водорода, то обнаружено, что при концентрации менее 5· 10-4 происходит монотонный сток растворенных атомов водорода в полость трещины, а при больших концентрациях возникает режим периодического изменения концентрации примеси у берегов трещины: полный сток сменяется накоплением водорода, соответствующим "запиранию" стока давлением газа. Численные расчеты выполнены для кристалла alpha-Ge.
Карпинский Д.Н., Санников С.В. Расчет пластифицирующего влияния растворенного в кристалле водорода на эволюцию пластической деформации у вершины трещины // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 12, Стр. 2171

В кристаллах KCl, выращенных с примесью 2--3 mol.% серебра, методом оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР) впервые однозначно доказано образование кристаллов AgCl, внедренных в решетку KCl и сохраняющих ориентацию матрицы. Получены спектры ОДМР автолокализованных дырок, мелких электронных центров и автолокализованных экситонов, типичные для кристаллов AgCl, а также ряд спектров ОДМР, существенно отличающихся от них. Изменения в спектрах ОДМР, наблюдаемые в образцах, выколотых из разных частей кристалла KCl : AgCl, связаны, вероятно, с изменением размеров внедренных кристаллов AgCl от достаточно больших микрокристаллов до нанокристаллов. Работа была частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 00-02-16950) и программой "Физика твердотельных наноструктур" (грант N 99-3012).
Баранов П.Г., Романов Н.Г., Храмцов В.А., Бадалян А.Г., Бабунц Р.А. Кристаллы KCl с примесью серебра: от точечных дефектов к ориентированным микрокристаллам AgCl в кристаллической матрице // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 12, Стр. 2166

Определены пороговые параметры дефекта (дефекта массы и относительного изменения силовых констант) для образования локальных колебаний в ГЦК кристалле с примесью замещения и исследованы характеристики локальных колебаний. Изучена зависимость от параметров дефекта частоты локальных колебаний и скорости затухания их амплитуды с расстоянием от примеси. Вычислены частоты и интенсивности локальных колебаний атомов первой координационной сферы примеси, образующих вместе с примесным атомом дефектный кластер. Работа выполнена при поддержке гранта #2.4/165 ("USKO") ГКНТ Украины.
Господарев И.А., Гришаев А.В., Сыркин Е.С., Феодосьев С.Б. Локальные колебания в ГЦК кристаллах с двухпараметрическими примесями замещения // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 12, Стр. 2153

Изучена структура ансамблей нанодефектов, образующихся на поверхностях меди, золота и молибдена под нагрузкой. Свойства ансамблей описаны на основе модели обратимой агрегации. Распределение нанодефектов по размерам термодинамически определено максимальным значением "энтропии их смешения" с атомами кристаллической решетки. Из-за большого различия размеров атомов и дефектов "энтропия смешения" достигает максимального значения при малой концентрации дефектов, величина которой хорошо согласуется с экспериментальной. Приведенное распределение дефектов по размерам является универсальным. Работа поддержана Volkswagen-Stiftung (грант N 1/72 638).
Килиан Х.Г., Веттегрень В.И., Светлов В.Н. Ансамбли дефектов на поверхности нагруженных металлов как результат их обратимой агрегации // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 11, Стр. 2024

В широком интервале максимальных нагрузок (от 5 до 100 mN) изучено их влияние на значения твердости, модуля упругости и упругого возврата, оцениваемые из результатов опытов по наноиндентированию наноструктурных нитридоборидных пленок толщиной 1-2 mum. Показано, что при малых нагрузках (5-30 mN) только показатели твердости становятся постоянными. Полученные данные обсуждены и сопоставлены с результатами определений другими методами. Работа выполнена при поддержке программ ИНТАС (проект N 96-2232) и "Интеграция" (проект N 855), а также программы сотрудничества Российской академии наук и Шведской Королевской академии наук.
Андриевский Р.А., Калинников Г.В., Hellgren N., Sandstrom P., Штанский Д.В. Наноиндентирование и деформационные характеристики наноструктурных боридонитридных пленок // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 9, Стр. 1624

Получено решение граничной задачи градиентной теории упругости о прямолинейной краевой дислокации, параллельной границе раздела фаз с разными упругими модулями и градиентными коэффициентами. На наноскопическом уровне рассмотрено взаимодействие дислокации и границы. Показано, что поле напряжений не имеет сингулярностей на линии дислокации и остается непрерывным на границе в отличие от классического решения, сингулярного на дислокационной линии и допускающего разрыв двух компонент напряжений на межфазной границе. Градиентное решение также устраняет классическую сингулярность силы изображения при выходе дислокации на границу. Кроме того, найдена дополнительная упругая сила изображения, обусловленная разницей градиентных коэффициентов контактирующих фаз. Оказалось, что эта сила, короткодействующая и максимальная на границе, выталкивает краевую дислокацию в материал с меньшим градиентным коэффициентом. Работа выполнена в рамках программ INTAS (грант INTAS-93-3213-Ext) и TMR (контракт N ERBFMRX CT 960062), а также при частичной поддержке Научного совета по МНТП России "Физика твердотельных наноструктур" (грант N 97-3006).
Микаелян К.Н., Гуткин М.Ю., Айфантис Е.С. Краевые дислокации у межфазных границ в градиентной теории упругости // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 9, Стр. 1613

В рамках одной из версий градиентной теории упругости получено решение граничной задачи о прямолинейной винтовой дислокации, параллельной границе раздела фаз с разными упругими модулями и градиентными коэффициентами. В интегральном виде представлены поле напряжений дислокации и сила ее взаимодействия с границей (сила изображения). Описаны особенности короткодействующего взаимодействия дислокации и границы, изучение которого невозможно в классической линейной теории упругости. Показано, что обе компоненты поля напряжений не имеют сингулярностей на линии дислокации и остаются непрерывными на границе в отличие от классического решения, сингулярного на дислокационной линии и допускающего разрыв одной из компонент на межфазной границе. Результатом этого стало устранение классической сингулярности силы изображения при выходе дислокации на границу. Кроме того, найдена дополнительная упругая сила изображения, обусловленная разницей градиентных коэффициентов контактирующих фаз. Оказалось, что эта сила, короткодействующая и максимальная на границе, выталкивает винтовую дислокацию в материал с большим градиентным коэффициентом. В то же время новые градиентные решения для поля напряжений и силы изображения совпадают с классическими на расстояниях, превышающих несколько межатомных, от дислокационной линии и межфазной границы. Работа выполнена в рамках программы INTAS (грант INTAS-93-3213-Ext) и TMR (контракт N ERBFMRX CT 960062), а также при частичной поддержке Научного совета по МНТП России "Физика твердотельных наноструктур" (грант N 97-3006).
Гуткин М.Ю., Микаелян К.Н., Айфантис Е.С. Поведение винтовых дислокаций у межфазных границ в градиентной теории упругости // ФТТ, 2000, том 42, выпуск 9, Стр. 1606