Показано, что в изотропном бесконечном твердом теле с высокой концентрацией точечных дефектов деформация, создаваемая пробным дефектом, спадает с расстоянием от него по закону, аналогичному закону спадания потенциала точечного заряда с дебаевской экранировкой.
Емельянов В.И. Экранировка поля деформации в твердом теле точечными дефектами // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 4, Стр. 637

Проведено исследование прочности листового стекла, упрочненного травлением в плавиковой кислоте, после нанесения покрытия аморфного гидрогенизированного углерода толщиной 50 nm методом ионного магнетронного распыления мишени из химически чистого графита. Показано, что прочность стекла после нанесения покрытия сохраняется на уровне 2.4 GPa. Выщелачивание поверхностного слоя стекла при выдержке в воде при температуре 96oC перед нанесением покрытия увеличивает прочность на 12%. Проведено исследование трещиностойкости стекла при микроиндентировании. Показано, что нанесение покрытия увеличивает нагрузку, соответствующую образованию 50% трещин (Pc), в 3 раза, а при предварительном выщелачивании поверхности стекла величина Pc возрастает в 15 раз. Сделано предположение, что предварительное выщелачивание поверхности стекла значительно улучшает адгезию пленки гидрогенизированного углерода к поверхности стекла и тем самым улучшает ее защитные свойства.
Пух В.П., Байкова Л.Г., Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Князевский В.Н., Киреенко М.Ф., Казанникова Т.П., Тихонова Л.В. Влияние покрытия из аморфного гидрогенизированного углерода на прочность и трещиностойкость стекла в высокопрочном состоянии // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 3, Стр. 466

Изучено влияние постоянного магнитного поля на электропластический эффект, возникающий в возбужденных электрическим током кристаллах кремния. Обнаружено, что предварительная магнитная обработка кристаллов кремния приводит к ослаблению электропластического эффекта. Обсуждается возможный механизм наблюдаемых явлений.
Макара В.А., Стебленко Л.П., Горидько Н.Я., Кравченко В.М., Коломиец А.Н. О влиянии постоянного магнитного поля на электропластический эффект в кристаллах кремния // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 3, Стр. 462

Первопринципным полнопотенциальным методом ЛМТО в модели 16-атомных сверхъячеек исследована зонная структура гексагонального карбида вольфрама (beta-WC), содержащего вакансии по металлической и углеродной подрешеткам. Обсуждены особенности формирования "вакансионных" состояний оценены энергии образования дефектов, их зарядовые состояния. Результаты сопоставлены с предшествующими расчетами и имеющимся экспериментом.
Медведева Н.И., Ивановский А.Л. Влияние металлических и углеродных вакансий на зонную структуру гексагонального WC // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 3, Стр. 452

В рамках системы эволюционных уравнений, описывающих процесс пластической диформации в кристалле, проводится теоретическое описание автоволновых структур. Показано, что в предложенной системе уравнений для скорости и плотности дислокаций возможны два типа неустойчивостей, обусловленных соответственно аномальным торможением дислокаций и структурным разупорядочением. Для этих двух случаев предложены конкретные модели и проведено их теоретическое исследование. Найдены волновые решения в виде бегущих фронтов, солитонов и периодических волн. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-16976).
Сарафанов Г.Ф. Волны разупрочнения пластической деформации в кристаллах // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 2, Стр. 254

Теоретически обсуждается механизм образования деформационных ступенек нанометрических размеров на поверхности пластически деформируемых кристаллов, обнаруживаемых с помощью сканирующего туннельного микроскопа или методом высокоразрешающей скоростной киносъемки. Анализ показывает, что экспоненциальный характер распределения ступенек по высоте определяется механизмом двойного попереченого скольжения (ДПС) винтовых дислокаций, а кинетика роста отдельных ступенек --- кинетикой действия дислокационных источников Франка--Рида, образующихся в результате актов ДПС.
Малыгин Г.А. Механизм образования деформационных ступенек нанометрических размеров на поверхности пластически деформируемых кристаллов // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 2, Стр. 248

Методом сканирующей лазерной профилометрии исследовано развитие мезовозмущений полей деформации для поликристаллов алюминия, меди и железа в процессе нагружения. Установлен фрактальный характер мезовозмущений полей течения со степенным нарастанием интервала корреляций в процессе нагружения xi=xi0theta-nu (theta --- безразмерный модуль упрочнения). Величина фундаментального структурного масштаба xi0 и индекс nu лежат в интервале xi0=30...150 mum, nu=0.27...0.70. Размерность рельефа деформации нарастает в процессе нагружения от ~1.05...1.25 в начальной стадии до ~1.35...1.65 при деформациях ~0.30...0.35 для всех материалов. Результаты свидетельствуют о существенно многоуровневом характере пластической деформации и возможности использования ренормгрупповых методов при ее описании.
Авдеенко А.М., Кузько Е.И. Масштабно-инвариантная самоорганизация флуктуаций полей деформации // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 1, Стр. 51

Изучены особенности генерации и движения дислокаций в бездислокационных пластинах кремния (монокристаллы выращены методом Чохральского), подвергнутых термообработкам при 450 и 650oC. Установлено, что низкотемпературные термообработки пластин с содержанием кислорода (7-8)· 1017 cm-3 оказывают существенное влияние на динамические характеристики вводимых в них при четырехточечном изгибе дислокаций, вызывая увеличение стартовых напряжений начала их движения. Обнаружена характерная пространственная неоднородность в генерации и распространении дислокаций от отпечатков индентора при игзибе термообработанных пластин. Обсуждаются причины выявленных закономерностей.
Меженный М.В., Мильвидский М.Г., Павлов В.Ф., Резник В.Я. Динамические свойства дислокаций в термообработанных при низких температурах пластинах кремния // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 1, Стр. 47

Рассмотрены особенности зарождения и развития частичных дислокаций несоответствия в вершинах V-образных конфигураций полос дефекта упаковки, которые оканчиваются в объеме растущей пленки на 90o частичных дислокациях Шокли. Рассчитаны критические толщины hc эпитаксиальной пленки, при которых зарождение таких дефектных образований становится энергетически выгодным. Показано, что при малых несоответствиях сначала зарождаются полные дислокации несоответствия, а при больших --- частичные, расположенные в вершинах V-образных конфигураций полос дефекта упаковки, выходящих на поверхность пленки. Исследованы возможности дальнейшего развития последних с увеличением толщины пленки. Работа выполнена при поддержке Научного совета по МНТП России "Физика твердотельных наноструктур" (грант N 97-3006), Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-16075), Отдела морских исследований США (the Office of US Naval Research грант N 00014-99-1-0569) и программы ИНТАС (грант N 99-1216).
Гуткин М.Ю., Микаелян К.Н., Овидько И.А. Зарождение и развитие частичных дислокаций несоответствия и дефектов упаковки в тонкопленочных гетероструктурах // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 1, Стр. 42

Обнаружено, что двойникование в кристаллах висмута, возникающее при воздействии сосредоточенной нагрузки, частично подавляется приложением постоянного магнитного поля. Исследованы основные закономерности влияния однородного магнитного поля постоянной величины на двойникование монокристаллов висмута при длительном воздействии сосредоточенной нагрузки. Получено, что в присутствии магнитного поля длина и число клиновидных двойников, заклинившихся у отпечатка индентора, уменьшаются. Это свидетельствует о снижении подвижности частичных двойникующих дислокаций и интенсивности процесса зарождения клиновидных двойниковых прослоек в постоянном магнитном поле. В то же время приложение магнитного поля увеличивает толщину двойников у устья. Установлено, что анизотропия магнитопластического эффекта в случае двойникования отсутствует. Настоящая работа была выполнена при поддержке Белорусского фонда фундаментальных исследований (грант N T97M-170).
Пинчук А.И., Шаврей С.Д. Магнитопластический эффект в случае двойникования кристаллов висмута под воздействием сосредоточенной нагрузки // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 1, Стр. 39