Исследовано влияние распределения дислокаций в границах заторможенного двойника на зарождение микротрещин в его вершине. Двойник моделировался двойным ступенчатым скоплением двойникующих дислокаций, расположенных в соседних плоскостях скольжения. Уравнения равновесия дислокаций решались численным методом. Рассмативались скопления с различным суммарным числом дислокаций, а также различным соотношением чисел дислокаций в верхней и нижней границах двойников. Анализировалось образование микротрещин в результате слияния головных дислокаций по силовому и термоактивированному механизмам. Рассчитаны равновесные конфигурации одиночной двойниковой границы и двойника. Установлено, что условие образования микротрещин в вершине двойника существенно зависит от соотношения числа дислокаций в его границах. В пределе оно совпадает с условием зарождения трещины в вершине изолированной двойниковой границы с таким же суммарным числом дислокаций. Показано, что термоактивированному зарождению микротрещины соответствуют меньшие значения критических напряжений.
Федоров В.А., Куранова В.А., Тялин Ю.И., Плужников С.Н. Влияние распределения дислокаций в границах двойника назарождение микротрещин вего вершине // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 6, Стр. 1057

Исследованы особенности формирования осцилляций на временных зависимостях внутреннего трения поликристаллического Be, облученного электронами высоких энергий и состаренного при T=300 K в течение разных промежутков времени. Показано, что старение приводит к постепенному уменьшению амплитуды и периода осцилляций. Высказано предположение о синергетическом характере наблюдаемого явления.
Олейнич-Лысюк А.В. Влияние степени нестабильности системы наосциллирующий характер временных зависимостей внутреннего трения // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 6, Стр. 1053

В приближении сильной связи рассчитана электронная структура релаксированного нанокристалла хлорида калия с краевой дислокацией с самосогласованием по эффективным зарядам и дипольным моментам ионов. Вычислены полные и парциальные локальные плотности состояний. Исследовано влияние релаксации и поляризации на одноэлектронный энергетический спектр.
Тимошенко Ю.К., Шунина В.А. Электронная структура нанокристалла KCl скраевой дислокацией // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 5, Стр. 853

Исследованы механическое поведение и эволюция структуры в ходе деформации при комнатной температуре субмикрокристаллического титана. Проведен анализ вероятных механизмов деформации. Установлено, что процессом, обеспечивающим пластическое течение, является движение дислокаций внутри зерен.
Мышляев М.М., Миронов С.Ю. Омеханизме деформации субмикрокристаллического титана // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 4, Стр. 711

Разработана модель начальной стадии пластической деформации наноматериалов, обусловленной процессами микропроскальзывания по границам зерен. Рассмотрены аккомодационные процессы, сопровождающие развитие областей зернограничного микропроскальзывания. Получены соотношения, определяющие закономерности деформационного поведения наноматериалов, и зависимость напряжения течения от размера зерна. Рассчитана температурная зависимость напряжения сопротивления зернограничному микропроскальзыванию. Проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными данными и показано хорошее согласие между ними.
Поздняков В.А., Глезер А.М. Структурные механизмы пластической деформации нанокристаллических материалов // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 4, Стр. 705

Установлено, что во время воздействия импульсов слабого магнитного поля (H<= 105 A/m) на закаленный и состаренный образец алюминия (99.999%) характер амплитудной зависимости низкочастотного внутреннего трения изменяется: общий уровень внутреннего трения увеличивается. Эффект связывается с влиянием магнитного воздействия на структурный комплекс дислокация--точечные дефекты; роль последних играют вакансии.
Дацко О.И. Дислокационное внутреннее трение материала свакансиями вимпульсах слабого магнитного поля // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 2, Стр. 289

Исследуется движение атома гелия по каналу, диаметр которого сопоставим с "диаметром" этого атома. Такие каналы наблюдаются в материалах группы кварца. Учет локального закона сохранения импульса при взаимодействии атома He с атомами, формирующими стенку канала, позволяет свести задачу к одномерному движению, сходному с движением дислокации в рамках модели Френкеля--Конторовой. В рамках этой модели вычислена энергия активации комплекса "атом He + смещения атомов стенки канала". Полученная энергия выражается через модуль сдвига материала, формирующего канал, и поляризуемость атома гелия, которая зависит от его состояния. Работа выполнена при поддержке Международного фонда Swiss National Science Foundation (N 7SUPJ062127).
Калашников Е.В., Певзнер Б.З. Движение атома гелия по каналу соразмерного диаметра врамках модели Френкеля--Конторовой // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 2, Стр. 283

Представлены результаты теоретических исследований методами модельного псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки глубоких уровней вакансий азота, малых кластеров из ди- и тривакансий азота, включающих ближайшие дефекты в одном слое графитоподобного нитрида бора. На основе рассчитанных спектров и сил осцилляторов интерпретированы локальные полосы оптического поглощения, люминесценции, фотопроводимости в -пиролитическом нитриде бора до облучения и после облучения быстрыми нейтронами, протонами и ионами углерода (50-150 keV). Идентифицированы неглубокие уровни активации термостимулированных люминесценции и проводимости до и после облучения. Работа выполнена в рамках проекта программы "Университеты России --- фундаментальные исследования" (проект N 06.01.05).
Гриняев С.Н., Конусов Ф.В., Лопатин В.В. Глубокие уровни комплексов вакансий азота вграфитоподобном нитриде бора // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 2, Стр. 275

В экспериментах по релаксации напряжений обнаружено, что в кристаллах NaCl с нарушенным шлифовкой поверхностным слоем пластическое течение при низкой гомологической температуре T/TM=0.28 (где TM --- температура плавления) и общей деформации, далекой от стадии III кривой упрочнения, происходит с заметным вкладом процессов динамического возврата, что характерно для более высоких температур. Изучена кинетика релаксации эффективных и дальнодействующих напряжений. Проведено сравнение с поведением нешлифованных кристаллов NaCl при той же температуре, а также с поведением поликристаллических образцов сплава In--4.3 at.%Cd, деформированных при T/TM=0.7, когда динамический возврат протекает в полной мере и проявляется не только в релаксационных экспериментах, но и в форме деформационных кривых. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Швейцарского национального научного фонда (грант N 7UKPJ048645).
Лубенец С.В. Динамический возврат икинетика релаксации напряжений вкристаллах принизких ивысоких гомологических температурах // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 1, Стр. 72

Впервые обнаружено спонтанное поверхностное выделение зерен карбида циркония из твердых растворов псевдобинарной системы ZrC-NbC. Показано, что выделение ZrC является следствием распада гомогенных карбидных твердых растворов Zr1-xNbxC = (ZrC)1-x(NbC)x. Найдены границы появляющейся при T
Ремпель С.В., Гусев А.И. Поверхностная сегрегацияZrC изкарбидного твердого раствора // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 1, Стр. 66