Предложена теоретическая модель, описывающая новый механизм релаксации напряжений несоответствия в поликристаллических пленках, а именно образование фасетированных границ зерен, фасетки которых являются асимметричными границами наклона. Рассчитаны области параметров (толщина пленки, параметр несоответствия, угол между фасетками), в которых зарождение фасетированных границ зерен является энергетически выгодными. Показано, что при увеличении толщины пленки зарождение фасетированных границ зерен облегчается. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-16853), Офиса морских исследований США (the Office of US Naval Research) (проект N 00014-01-1-1020), программы \glqq Интеграция\grqq (грант N Б0026), программы РАН \glqq Структурная механика материалов и конструкций\grqq и Санкт-Петербургского научного центра РАН.
Бобылев С.В., Овидько И.А. Фасетированные границы зерен вполикристаллических пленках // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 10, Стр. 1833

Исследовано влияние состава эпитаксиальных слоев (ЭС) твердого раствора (TP) SixGe1-x, выращенных на Ge- и Si-подложках, на микротвердость и длину дислокационных розеток, образующихся вокруг отпечатков индентора (при гомологической температуре 0.5Tmelt для соответствующего сплава). Для ЭС ТР SixGe1-x/Ge (0=<q x
Меженный М.В., Мильвидский М.Г., Югова Т.Г. Влияние состава твердого раствора на высокотемпературную микротвердость гетероэпитаксиальных слоев SiGe, выращенных наподложках Ge иSi // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1641

Измерена прочность поликристаллического сегнетоэлектрика Pb0.95Sr0.05(Zr0.46Ti0.54)O3 + 0.78 wt.% Cr2O3 (ЦТС-22) при изгибе в диапазоне скоростей нагружения 5· 10-2-10 MPa/s и температур 293-873 K (включающем температуру Кюри Tc=593 K). Трактовка результатов представлена в рамках релаксационной модели хрупкого разрушения. Определен эффективный активационный объем процесса разрушения с использованием зависимостей прочности от скорости нагружения образца при различных температурах. Обсуждаются изменения активационных характеристик в области фазового перехода. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-016232).
Жога Л.В., Шильников А.В., Шпейзман В.В., Булгаков А.Т. Скоростная зависимость прочности поликристаллического сегнетоэлектрикаЦТС-22 // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1637

Приведены результаты измерения с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) твердости (H) и модуля Юнга (E) в поверхностных слоях монокристаллического KCl на глубинах до 300 nm от поверхности в диапазоне нагрузок от 5 до 100 muN. Величины H и E оценивались \glqq косвенным\grqq способом по анализу кривых P(h) (нагрузка на индентор --- глубина внедрения индентора). Кроме того, величина H оценивалась \glqq прямым\grqq способом --- путем измерения площади отпечатка, визуализуемого АСМ с нанометрическим разрешением. Выявлено влияние структурных особенностей поверхности вокруг отпечатка индентора на точность оценок H и E. Обнаружена резкая зависимость H от величины нагрузки на индентор --- \glqq масштабный\grqq (наноразмерный) эффект. Качественно экспериментальные результаты хорошо согласуются с выводами модели \glqq геометрически необходимых дислокаций\grqq Никса и Гао, но для количественных оценок массопереноса материала из под наноиндентора необходимо структурное рассмотрение с учетом особенностей пластической деформации кристаллов.
Сойфер Я.М., Вердян А. Исследование локальных механических свойств монокристаллов хлористого калия методом атомно-силовой микроскопии // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1621

Рассмотрены винтовые супердислокации с полыми ядрами (трубки), формирующиеся в процессе роста полупроводниковых кристаллов типа карбида кремния и нитрида галлия. Впервые получены точные аналитические выражения для полей перемещений, деформаций и напряжений трубки, перпендикулярной плоской свободной поверхности упругоизотропного полупространства. Показано, что строгий учет граничных условий на цилиндрической свободной поверхности трубки существенно влияет на поле напряжений содержащейся в ней дислокации. Область сильного влияния расположена вокруг трубки на расстоянии порядка ее радиуса. В этой области упругие деформации могут достигать величин порядка долей процента. Полученные результаты могут быть использованы при анализе взаимодействий трубок между собой и с другими дефектами, а также для моделирования их поведения в процессе роста кристалла. Работа выполнена при поддержке программы \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq Минпрома России и программы \glqq Интеграция\grqq (грант Б0026).
Шейнерман А.Г., Гуткин М.Ю. Упругие поля винтовой супердислокации сполым ядром (трубки), перпендикулярной свободной поверхности кристалла // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1614

Рассматривается роль электрических полей неподвижных ростовых дислокаций в формировании люминесцентных свойств деформированных кристаллов сульфида цинка. Показано, что особенности изменений фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса, наблюдаемые после пластического деформирования кристаллов ZnS, могут быть вызваны увеличением радиуса ридовских цилиндров, происходящим при выходе ростовых дислокаций из атмосфер Коттрелла.
Омельченко С.А., Буланый М.Ф., Хмеленко О.В. Влияние электрических полей неподвижных дислокаций нафотолюминесценцию иЭПР вдеформированных кристаллахZnS // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1608

Представлены результаты исследований подвижности дислокаций в легированном n-кремнии (Nd=5·1024 m-3) при одновременном электрическом (j=3·105 A / m-2) и магнитном (B=<1 T) воздействии. Установлено, что введение дислокаций (~109 m-2) в бездислокационный легированный фосфором кремний приводит к появлению парамагнитной составляющей магнитной восприимчивости, увеличивающейся с ростом концентрации легирующей примеси. Подобные преобразования могут нести основную ответственность за появление в кремнии примесных магниточувствительных стопоров, откликающихся на внешние магнитные возмущения. Наблюдение за поведением дислокаций, находящихся под воздействием электрических и магнитных полей, позволило зафиксировать параболическую зависимость их пробега от B. На основе проведенных исследований найдены численные значения эффективных зарядов и подвижностей дислокаций. Предложена модель, объясняющая увеличение подвижности дислокаций снижением тормозящей способности магниточувствительных стопоров вследствие локального изменения магнитных характеристик материала и протекания спин-зависимых структурных реакций, стимулированных магнитным полем.
Скворцов А.А., Гончар Л.И., Орлов А.М. Электростимулированный транспорт дислокаций впостоянном магнитном поле // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1603

Предложена теоретическая модель для описания эволюции ансамбля точечных дефектов (вакансий и межузельных атомов) и ее влияния на процессы твердофазной аморфизации в облучаемых кристаллических тонких пленках. Предлагаются уравнения кинетики точечных дефектов в облучаемых тонких пленках в случае отсутствия ионной имплантации. С помощью численного решения данного кинетического уравнения проведен расчет температурной зависимости \glqq дозы начала аморфизации\grqq, которая сравнивается с соответствующими экспериментальными данными. Настоящая работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16853) и программы \glqq Интеграция\grqq (грант Б0026).
Овидько И.А., Рейзис А.Б. Кинетика точечных дефектов ипроцессы аморфизации втонких пленках при облучении // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1600

Представлены результаты исследования подвижности индивидуальных тройных стыков в алюминии. Эксперименты проводились на тройных стыках с границами наклона для трех кристаллографических плоскостей: <111>, <100>, <110>. Полученные данные показывают, что при низких температурах подвижность системы границ зерен с тройным стыком контролируется подвижностью тройного стыка (стыковой кинетикой). При высоких температурах подвижность системы определяется подвижностью границ (граничной кинетикой). Существует температура перехода от стыковой кинетики к граничной. Эта температура определяется кристаллографическими параметрами образцов.
Протасова С.Г., Сурсаева В.Г., Швиндлерман Л.С. Исследование движения индивидуальных тройных стыков валюминии // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 8, Стр. 1402

В молекулярных кристаллах Cu(hfac)2 LEt обнаружены скачкообразные изменения микротвердости, размеров образцов и параметров спектра ЭПР при фазовом переходе. Выявлены дефекты, возникающие при пластической деформации (ими могут быть дислокации), а также парамагнитные дефекты представляющие собой, по-видимому, обрывы полимерных цепей и способные служить спиновыми метками для исследования магнитного состояния кристаллической решетки. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 02-15-99302, 00-15-96703 и 00-03-32987).
Осипьян Ю.А., Моргунов Р.Б., Баскаков А.А., Овчаренко В.И., Фокин С.В. Дефекты структуры вмолекулярных кристаллах на основе гетероспиновых комплексов меди // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 8, Стр. 1396