В модели потенциала нулевого радиуса исследованы многофононные (безызлучательные) переходы на связанные состояния в параболической квантовой яме (ПКЯ) в постоянном электрическом поле, вектор напряженности которого направлен перпендикулярно поверхности ПКЯ. Показано, что поперечники теплового захвата существенным образом зависят от величины и направления электрического поля, от положения примеси в размерно-ограниченных системах.

Рассмотрена задача о магнитной релаксации системы однодоменных ферромагнитных частиц в присутствии сильного постоянного магнитного поля, направленного под произвольным углом к оси анизотропии частицы. Путем усреднения уравнения Гильберта с флуктуирующим полем выведена система линейных дифференциально-разностных уравнений для моментов (усредненных сферических гармоник) без использования уравнения Фоккера--Планка. Найдено точно решение этой системы (в терминах матричных непрерывных дробей). Рассчитаны времена релаксации и спектр комплексной магнитной восприимчивости.

Экспериментально определены температурные изменения изобарной теплоемкости и межплоскостного расстояния [411] гексаборидов лантана и самария в области температур 5--300 K. Рассчитаны температурные зависимости параметров кристаллической решетки и коэффициентов термического расширения alpha(T).

Рассмотрена упрощенная феноменологическая теория температурных зависимостей упругих постоянных второго порядка (УПВП) кристаллов. Рассчитаны температурные зависимости УПВП для ряда кубических кристаллов с различными типами преимущественной химической связи. Получено удовлетворительное соответствие результатов расчета с экспериментальными данными.

Впервые получены выражения для длин экранирования и амбиполярной диффузии при сосуществовании прыжковой и зонной проводимостей в полупроводниках с водородоподобными примесями. Предложен метод нахождения коэффициента диффузии прыгающих по примесям электронов (дырок) из эффекта Холла при равенстве прыжковой и зонной проводимостей. Дана интерпретация известных результатов исследований прыжковой фотопроводимости по акцепторам (Ga) и донорам (As) в трансмутационно легированном p-Ge при T=4.2 K. Показано, что измерение зависимости прыжковой фотопроводимости от интенсивности межзонной подсветки позволяет определить соотношение между подвижностями прыгающих по донорам электронов и прыгающих по акцепторам дырок.

Показано, что при активном деформировании кристаллов LiF в постоянном магнитном поле B наблюдается их заметная пластификация, тем более существенная, чем выше магнитная индукция B и чем ниже скорость деформации varepsilon. Измеренные зависимости предела текучести sigmay от B и varepsilon находят свое естественное объяснение в рамках простой кинетической модели, построенной на конкуренции процессов термоактивационного и магнитостимулированного открепления дислокаций от примесных центров.

Теоретически рассмотрен эффект образования гетероструктуры чередующихся металлической и полупроводниковой фаз в атомных цепочках поверхностного одноатомного слоя пайерлсовского металла, помещенного в перпендикулярное поверхности электростатическое поле. Показано, что увеличение напряженности электрического поля приводит к повышению критической температуры фазового перехода металл--полупроводник на поверхности образца, росту температурного интервала существования гетероструктуры, уменьшению ее пространственного периода и увеличению глубины пространственной модуляции ширины запрещенной зоны электронного спектра.

Изучено влияние постоянного магнитного поля на электропластический эффект, возникающий в возбужденных электрическим током кристаллах кремния. Обнаружено, что предварительная магнитная обработка кристаллов кремния приводит к ослаблению электропластического эффекта. Обсуждается возможный механизм наблюдаемых явлений.

Показано, что одновременное воздействие на кристаллы висмута импульсного электрического тока и постоянного магнитного поля существенно снижает среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций, локализованных на границах клиновидных двойников. Снижение средней линейной плотности двойникующих дислокаций сопровождается падением микротвердости образцов.

Проведен теоретический анализ динамики формирования поля пространственного заряда в фоторефрактивном кристалле с двукратно ионизируемыми донорными центрами и мелкими ловушками. Рассмотрены временные зависимости процессов записи фоторефрактивной решетки в отсутствие внешнего электрического поля, ее релаксации при наличии опорного пучка и последующего проявления при приложении внешнего поля.