Исследуется влияние плотности лазерного возбуждения L на величину и характеристическую временную постоянную среднеполевой электромодуляционной компоненты спектров фотоотражения, измеряемых в области фундаментального переходаE0 прямозонного полупроводника. Серии измерений спектров проводились в области значенийL=100 мкВт/см2-1 Вт/см2 на образцах GaAs с концентрацией носителей заряда n~1016 см-3. Для всех исследованных образцов обнаружена логарифмическая зависимость величины электромодуляционного сигнала от плотности лазерного возбуждения. Установлено, что наблюдаемое изменение характеристической временной постоянной компоненты не оказывает какого-либо заметного влияния на величину измеряемого сигнала.

Исследованы химическая связь бинарных соединений GaP, InP, InAs, InSb, InBi, атакже перестройка характера связи вполупроводниковых сплавах GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-xBix сизменением состава, характеризуемого параметромx. Использовался подход, связанный сучетом полной валентной плотности заряда, полярности химической связи ипоперечного эффективного заряда. Проведен расчет упругих постоянных указанных тройных твердых растворов ипроанализировано влияние на них перестройки химической связи. Учет локальных деформаций икомпозиционной неупорядоченности врассматриваемых сплавах сильно влияет на зависимости исследуемых величин от состава твердых растворов. Таким образом, вышеуказанными эффектами нельзя пренебрегать при исследовании твердых растворов замещения.

Моделировались характеристики записи / стирания и хранения заряда в элементе памяти для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства на основе структуры кремний / оксид / кремниевая-точка / оксид / полупроводник, в котором в качестве блокирующего диэлектрика использовались SiO2 и альтернативный диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2. Установлено, что применение альтернативного диэлектрика приводит к ряду эффектов: уменьшается паразитная инжекция из поли-Si, увеличивается поле в туннельном оксиде, появляется возможность увеличить толщину туннельного диэлектрика и, следовательно, увеличить время хранения информации, появляется возможность использовать более низкие напряжения записи / стирания. Программирование импульсом амплитудой ±11 В и длительностью 10 мс позволяет получить через 10лет окно памяти~3 В.

Филиппов В.а., Лукин Н.в., Хахалина В.а., Постояннов А.в. Основные тенденции современного развития многомерных СУБД // Научная сессия МИФИ-1999. Т.7 Информатика и компьютерные системы. Информационные технологии. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программного обеспечения. Банки данных и анализ данных, стр. 247-248

Корнилов Ю.и. Эволюция возмущений границы идеальной и вязкой жидкостей при совместном действии постоянного и импульсного ускорений // Научная сессия МИФИ-1999. Т.12 Физические науки, стр. 33-39

Корнилов Ю.и. Развитие возмущений границы раздела упругого тела и жидкости при совместном действии постоянного и импульсного ускорений // Научная сессия МИФИ-1999. Т.12 Физические науки, стр. 39-43

Ларионов А.а., Кокин А.а., Федичкин Л.е. Зависимость постоянной сверхтонкой структуры донорного атома от электрического поля в полупроводниковом ЯМР квантовом компьютере (модель Кейна) // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 93-94

Антоненко С.в. Структурные исследования углеродных нанотрубок, полученных методом магнетронного распыления на постоянном токе // Научная сессия МИФИ-2002. Т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Фотоника, стр. 108-109

Воронцов В.а. Динамика фоновых частиц в структуре с постоянной фазовой скоростью волны // Научная сессия МИФИ-2004. Т.7 Астрофизика и космофизика. Проблемы современной математики. Физика пучков и ускорительная техника, стр. 205

Описан процесс разработки магнитных периодических фокусирующих систем (МПФС) для компактных широкополосных ламп бегущей волны (ЛБВ). Сформулированы методы расчетов их характеристик и порядок создания таких систем.