Веденеев А.С., Гайворонский А.Г., Ждан А.Г., Моделли А., Рыльков В.В., Ткач Ю.Я.. Концентрационный переход к проводимости с постоянной длиной прыжка по состояниям вблизи уровня Ферми при эффекте поля в слабокомпенсированном Si:B // Письма в ЖЭТФ, том 57, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

Чеснаков В. А., Кведер В.В.. Образование и рост дендритов свинца в РЬF_3 при протекании постоянного электрического тока // Письма в ЖЭТФ, том 58, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Молотков С.Н.. Новый механизм модуляции тока в постоянном магнитном поле в сканирующем туннельном микроскопе // Письма в ЖЭТФ, том 59, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Кравцов Н.В., Наумкин Н.И.. Влияние постоянного электрического поля на процесс вынужденного рассеяния Мандельштама -Брюллюэна в сжатом водороде // Письма в ЖЭТФ, том 61, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Головин Ю.И., Моргунов Р.Б.. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов // Письма в ЖЭТФ, том 61, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru

Акулов Ю.А., Мамырин Б.А.. Экспериментальное определение разности постоянных бета-распада для атомарного и молекулярного трития // Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 3, http://www.jetpletters.ac.ru

Чупис И.Е., Мамалуй Д.А.. Поверхностные поляритоны в диэлектрике на границе с металлом в постоянном электрическом поле // Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 12, http://www.jetpletters.ac.ru

Акимов Д.А., Желтиков А.М., Коротеев Н.И., Наумов А.Н., Очкин В.Н., Сердюченко А.Ю., Сидоров-Бирюков Д.А., Цхай С.Н., Федотов А.Б.. Когерентное комбинационное рассеяние света в присутствии постоянного электрического поля в молекулярном водороде // Письма в ЖЭТФ, том 70, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru

Лисовский В.А., Яковин С.Д.. Закон подобия при пробое газа низкого давления в однородном постоянном электрическом поле // Письма в ЖЭТФ, том 72, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Обнаружены новые особенности ранее предсказанных релаксационно-стимулированных резонансов, проявляющихся в мессбауэровских спектрах поглощения наномагнетиков при воздействии внешнего высокочастотного поля: при наложении слабого постоянного магнитного поля должен наблюдаться сдвиг резонансов в сторону более низких частот. В упрощенной релаксационной модели получены аналитические выражения для резонансных частот в зависимости от напряженности постоянного поля. Этот эффект расширяет возможности экспериментального наблюдения предсказанных резонансов, поскольку настройку на резонанс можно осуществлять не только изменением радиочастоты, но и вариацией амплитуды переменного поля и напряженности постоянного поля.