Изучено влияние температуры и амплитуды деформации на модуль Юнга и поглощение ультразвука в керамических образцах графитоподобного нитрида бора, приготовленных в РФ и США по различным технологиям с применением разных добавок, улучшающих механические свойства керамики. Показано, что добавки помимо влияния на действующий модуль упругости увеличивают микропластичность образцов, что, по всей видимости, приводит к увеличению прочности материалов. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 00-01-00482), а также NATO (грант PST.GLG.977016) и Департамента энергии США (контракт W-31-109-Eng-38).

Получено непосредственное доказательство существования разорванных вихрей Абрикосова из измерений вида распределения и величины остаточных магнитных полей в пространстве керамических иттриевых ВТСП образцов после выключения транспортного тока. При этом усредненная по всему образцу межгранульная магнитная индукция имеет то же направление, что и поле, созданное до его выключения.

Методом ЭВМ моделирования исследованы особенности движения под действием ультразвука винтовой дислокации с учетом ее поперечного скольжения в неоднородном по пространству поле напряжений, создаваемом одноименной неподвижной дислокацией. Показано, что поперечное скольжение могут испытывать только дислокации, стартующие из определенных областей пространства. Приведены закономерности изменения размера и формы этих областей от параметров ультразвука, кристаллографической ориентации образца и коэффициента динамической вязкости.

Метод выжигания провалов позволяет запоминать (\glqq фотографировать\grqq) структуру поля деформаций, в том числе и динамических, и выбирать точку измерения в глубине образца. Указано на еще одну интересную возможность --- измерение деформации в материале, не прозрачном для света. Для этого надо в образец внедрить оптические волокна --- световоды и активировать их чувствительными к выжиганию провалов примесями, имеющими в спектрах хорошие бесфононные линии. PACS: 78.40.-q, 78.30.-j

Представлены результаты исследования оптического поглощения в пленках пористого кремния в диапазоне 300/ 1500 нм с помощью фотоакустической спектроскопии. Обнаружено, что обусловленный пористым слоем край фундаментального поглощения для исследованных образцов находится в диапазоне от 350 до 500 нм. Из зависимости фотоакустического сигнала от частоты модуляции света определено, что теплопроводность пористого кремния составляет 0.25· 10-3 Вт/см·град.

Предложен метод идентификации параметров примесных уровней в высокоомных (изолирующих) полупроводниковых кристаллах, позволяющий с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образцов, определять одновременно глубину залегания примесных уровней в запрещенной зоне кристалла (Delta E) и устанавливать, от края какой из разрешенных зон следует отсчитывать найденную глубину залегания уровней, что не позволило широко распространненный обычный метод термостимулированных токов.

Представлены результаты исследования комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции, отражения и поглощения света в слоях пористого кремния, полученных электрохимическим травлением монокристаллических пластин. На основании анализа экспериментальных данных делается вывод о множественном характере центров, ответственных за излучательную и безызлучательную рекомбинацию в этом материале. Экспериментальные данные указывают на однородное распределение тех центров, максимум оптического возбужения которых находится в сине-зеленой области спектра, в отличие от центров, область эффективного возбуждения которых соответствует красной спектральной области. Эффективность излучательной рекомбинации последних повышается в тонком приповерхностном слое пленки пористого кремния.

Представлены результаты сравнительного исследования оптического поглощения и фотолюминесценции в слоях пористого кремния, оксидах кремния (SiO и SiO2) и порошкообразном кремнии. Обнаружена корреляция положения края полосы поглощения, определяемого по данным фотоакустической спектроскопии, а также спектров фотолюминесценции со степенью окисления кремния. Для образцов пористого кремния выявлено различие частотных зависимостей фотоакустического сигнала от энергии квантов возбуждающего света.

Представлен новый сублимационный метод очистки веществ в вакууме, основанный на фазовом превращении кристалл--пар--кристалл. Приведена принципиальная конструкция ростового реактора и основные параметры глубокой очистки соединения CdTe. С помощью низкотемпературной фотолюминесценции показана динамика очистки, характеризующаяся полным распадом различных комплексов и резким уменьшением концентрации как мелких, так и глубоких остаточных примесей. На финишном этапе очистки получен поликристаллический CdTe состава, близкого к стехиометрическому, в спектре фотолюминесценции которого полностью отсутствует примесное излучение и остается только экситонная часть. Экспериментально подтверждена необходимость глубокой очистки исходных компонент. Аналогичные результаты получены для ZnTe и ZnSe.

Исследовано изменение химического состава поверхности CdxHg1-xTe при обработке атомарными пучками кислорода и водорода, полученными методом электронного удара в высокочастотной плазме N2O иH2. Показано, что последовательное воздействие пучков атомарного кислорода и водорода приводит к удалению с поверхности образцов углеродосодержащих соединений, слоя собственного оксида и теллура в элементном состоянии.