Найдено научных статей и публикаций: 165   
41.

Механизм холодной эмиссии электронов из углеродных материалов     

Образцов А.Н., Волков А.П., Павловский И.Ю. - Письма в ЖЭТФ , 1998
Образцов А.Н., Волков А.П., Павловский И.Ю.. Механизм холодной эмиссии электронов из углеродных материалов // Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru
42.

Роль кривизны атомных слоев в полевой эмиссии электронов из графитоподобного наноструктурированного углерода     

Образцов А.Н., Волков А.П., Павловский И.Ю., Чувилин А.Л., Рудина Н.А., Кузнецов В.Л. - Письма в ЖЭТФ , 1999
Образцов А.Н., Волков А.П., Павловский И.Ю., Чувилин А.Л., Рудина Н.А., Кузнецов В.Л.. Роль кривизны атомных слоев в полевой эмиссии электронов из графитоподобного наноструктурированного углерода // Письма в ЖЭТФ, том 69, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru
43.

Квантовые осцилляции сопротивления односвязных образцов Pb и Sn в промежуточном состоянии     

Цзян Ю.Н. - Письма в ЖЭТФ , 2000
Цзян Ю.Н.. Квантовые осцилляции сопротивления односвязных образцов Pb и Sn в промежуточном состоянии // Письма в ЖЭТФ, том 71, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru
44.

Эмиссионная проекционная микроскопия диэлектрических образцов со сверхвысоким пространственным разрешением     

Б. Н. Миронов, Д. А. Лапшин, С. К. Секацкий, В. С. Летохов - Письма в ЖЭТФ , 2001
Экспериментально реализован метод получения эмиссионных проекционных изображений непроводящих острий со сверхвысоким пространственным разрешением. Бессканирующим методом получено изображение острия стеклянного микрокапилляра с пространственным разрешением не хуже 20 нм.
45.

Особенности взаимодействия акцепторной примеси muAl в слабо- и сильнолегированных образцах кремния     

Т. Н. Мамедов, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, А. В. Стойков, У. Циммерман - Письма в ЖЭТФ , 2002
Настоящая работа посвящена изучению взаимодействий акцепторной примеси алюминия в кремнии с помощью поляризованных отрицательных мюонов. Проведено исследование температурной зависимости поляризации отрицательных мюонов в образцах кристаллического кремния с примесью фосфора (1.6cdot1013~см-3) и бора (4.1cdot1018~см-3). Измерения были выполнены в поперечном спину мюона магнитном поле 4.1~кГс в диапазоне температур 4-300~K. Полученные результаты свидетельствуют о том, что в кремнии n-типа с примесью фосфора акцепторный центр muAl ионизован при T>50~K. В кремнии с примесью бора обнаружено существенное отклонение температурной зависимости сдвига частоты прецессии спина мюона от 1/T-закона Кюри при Tlesssim50~K. Анализируются взаимодействия muAl-акцептора, которые могут приводить к наблюдаемым эффектам.
46.

Советская военная социология     

И. В. Образцов - Журнал "Социологические исследования" , 2003
И. В. Образцов, Советская военная социология // Журнал "Социологические исследования", № 1, 2003, http://socis.isras.ru/
47.

Расчет предельных динамических параметров образцов с макротрещинами при импульсном нагружении     

Н. В. Демидова - Вестник Молодых Ученых , 2003
Ultimate breaking loads obtained with the framework of classical fracture criterion and structural-temporary fracture criterion is carried out. Is shown, that the classical criterion gives an visible divergence with experiment, while the analysis of the experimental data on the basis of the theory of incubation time the exact results gives. The dynamics viscosity values for specimens with macrocracs are estimated. Is shown, that the dynamic viscosity is not a constant and depends on the initial conditions of loading 
48.

Генерация отражeнной и прошедшей волн в индуцированном сверхизлучении при непрерывном изменении инверсии на границах образца     

Д. А. Мосунов - Вестник Молодых Ученых , 2000
Modes of reflected and passed waves emission in the induced superradiation are studied. The case of continuous reduction of inversion at the sample end faces is considered. It is shown that the size of domain of the inversion smoothing essentially effects a ratio of direct and opposite waves 
49.

Влияние состояния объема образца на образование и термостабильность поверхностного силицида на (100) W     

Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я., Усуфов М.М. - Журнал Технической Физики , 1997
С помощью оже-электронной спектроскопии высокого разрешения изучено образование и разрушение поверхностного силицида на (100) W при различных режимах очистки поверхности и объема образца. Показано, что степень очистки объема практически не влияет на закономерности формирования ПС при адсорбции атомов Si на нагретой поверхности W, причем почти вплоть до завершения этого формирования все поступающие на поверхность атомы кремния, начиная с самых первых, остаются на ней, встраиваясь в ПС. Разрушение ПС определяющим образом зависит от состояния объема и при T=1400 K на ранних стадиях, видимо, лимитируется переходом атомов Si с поверхности в подповерхностный слой, а на последующих стадиях диффузией кремния внутрь подложки. Сделаны оценки объемной концентрации кремния, лимитирующей разрушение ПС.
50.

Динамика туннельного контакта при импульсном повышении напряжения между иглой и образцом в туннельном микроскопе     

Дорофеев И.А., Косыев В.Я., Петрухин А.А. - Журнал Технической Физики , 1998
Экспериментально исследован режим протекания тока между иглой и образцом при подаче между ними импульсов напряжения различной длительности, амплитуды, формы и полярности. В качестве образцов использовалось серебро и пленки других материалов с нанометровой толщиной. Показано, что при повышении напряжения на туннельном контакте происходит уменьшение туннельного промежутка из-за деформации иглы и образца вплоть до механического контакта между ними. Сопротивление контакта измерено для различных образцов. Рассмотрены различные механизмы деформации иглы и образца. На основе оценок сделан вывод о том, что деформация массивных металлов происходит в основном из-за их теплового расширения. Проведено сравнение экспериментальных вольт-амперных характеристик с теоретическими зависимостями для случая автоэлектронной эмиссии.