Изучены особенности температурного гашения интенсивности полос краевого излучения кристаллов n-ZnSe, отожженных в различных средах (вакуум, Zn, Se) в широком интервале температур. Обнаружена смена механизмов высокотемпературной экситонной люминесценции в коротковолновой области спектра (443 нм) с ростом температуры кристалла. Показано, что характер температурного гашения длинноволновой полосы краевого излучения (458 нм) свидетельствует о диссоциации ассоциативных центров свечения с ростом температуры образца.

Теория слабой локализации, приводящей к аномальному магнетосопротивлению, развита для квантовых гетероструктур с сильным спин-орбитальным взаимодействием. Рассмотрены реальные квантовые ямы с несколькими заполненными подзонами размерного квантования. Показано, что при интенсивных упругих переходах между ними происходит эффективное усреднение параметров, определяющих проводимость в классически слабых магнитных полях. В другом предельном случае все подзоны дают независимые вклады в аномальное магнетосопротивление. Вычислены соответствующие характерные магнитные поля при произвольном соотношении между временами сбоя фазы и межподзонных переходов.

Показано, что тонкие (200--250 Angstrem) гидрогенизированные нанокристаллические пленки кремния обладают низкой продольной проводимостью, сравнимой с проводимостью нелегированного аморфного кремния, и высокой поперечной проводимостью. Такие пленки могут быть использованы в качестве легированных слоев при создании барьерных структур с малым поверхностным растеканием тока. Установлено, что проводимость пленок уменьшается на 8--10порядков в направлении вдоль слоя при изменении толщины от 1500 до 200 Angstrem. Наблюдаемые зависимости проводимости от толщины интерпретированы в рамках теории протекания разрушением перколяционного кластера из нанокристаллитов при уменьшении толщины слоя.

Легированные эрбием пленки a-Si : H получены магнетронным распылением мишени Si--Er при температуре осаждения 200oC. Затем проведен кумулятивный термический отжиг. После отжига при 300oC в течение 15 мин в атмосфере азота обнаружено резкое возрастание (в ~50раз) интенсивности фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм. При температуре отжига <=500oC сигнал фотолюминесценции спадал практически до нуля. Влияние процессов термического отжига обсуждается в рамках модели частичной перестройки структурной сетки аморфных пленок a-Si(Er) : H.

Выполнены синтез и структурный анализ трехмерных композитов опал--кремний как с прямой (сразными степенями заполнения пор опала кремнием), так и инвертированной структурой. Вдиапазоне длин волн400-900 нм измерены спектры зеркального отражения света от ростовых поверхностей(111) синтезированных композитов. Наблюдаемые спектральные особенности изучены теоретически и интерпретированы как проявление фотонной запрещенной зоны в направлении[111], перестрaиваемой по положению и ширине в видимом и ближнем инфракрасном спектральном диапазоне.

Методом плазмохимического газофазного осаждения изготовлены микрорезонаторы Фабри--Перо на длину волны 1.5 мкм на основе a-Si : H и a-SiOx : H. Распределенные брэгговские отражатели и активный слой выращены в едином технологическом цикле. Активный полуволновый слой легирован эрбием в процессе роста с помощью металлорганического соединения. За счет высокого оптического контраста достигнута большая добротность микрорезонатора (Q=355) при 3периодах в распределенных брэгговских отражателях. При этом интенсивность фотолюминесценции эрбия из микрорезонатора оказывается на 2порядка выше по сравнению с интенсивностью излучения эрбия из идентичного слоя a-Si : H без распределенных брэгговских отражателей. Проанализированы спектры пропускания, отражения и фотолюминесценции. Установлено, что спектральная форма линии фотолюминесценции эрбия (переход 4I13/2-> 4I15/2) из микрорезонатора практически совпадает с формой резонансного пика его спектра пропускания. Выполнены теоретические расчеты, позволившие полностью описать наблюдаемые экспериментальные спектры.

Исследованы температурные зависимости магнитной восприимчивости и полевые зависимости намагниченности сплавов Pb1-x-yGexYbyTe (0=<q x=<q 0.02, y=<q 0.065). Обнаружено, что при понижении температуры диамагнитный отклик сменяется кюри-вейссовским парамагнитным, указывающим на присутствие в сплавах магнитных ионовYb3+(4f13). Полученные результаты использованы для определения концентрации магнитных ионов и степени заполнения примесной зоны иттербия в исследованных сплавах.

Электронно-микроскопическими методами показано, что синтезированный в порах опала нитрид галлия имеет совершенную кристаллическую структуру. Из исследований спектров отражения установлено, что полученные нанокомпозиты опал--<нитрид галлия> сохраняют фотонно-кристаллические свойства исходной упорядоченной матрицы опала при любой(0-100%) степени заполнения пор опала нитридом галлия.

Представлены результаты исследования влияния параметров процесса термического газофазного осаждения на фазовый состав алмазных пленок, выращенных на кремниевой подложке. Найден режим роста, отвечающий наибольшему содержанию в пленках алмазной фазы при скорости роста~ 1 мкм/ч.

Представлены результаты исследования начальных стадий роста островковых алмазных пленок, полученных методом термического газофазного осаждения (hotfilamentCVD) на оптически полированном кристаллическом кремнии. Методом атомно-силовой микроскопии изучена эволюция островков, образовавшихся на начальных стадиях роста пленки, в процессе их отжига. Установлено, что на начальных стадиях роста изменение плотности островков происходит за счет коалесценции близко расположенных островков. Затем, при достижении островками критического размера, начинается оствальдовское созревание островков.