Методом инфильтрации диоксида ванадия(VO2) вкристаллы опала, споследующим вытравливаниемSiO2, синтезированы фотонные кристаллы на основеVO2, обладающие фазовым переходом полупроводник--металл в области температур55-75oC. При исследовании оптических спектров отражения таких кристаллов установлено, что они характеризуются широкой фотонной запрещенной зоной (внаправлении распространения света[111]) ввидимой области спектра, энергетическое положение которой меняется скачком при фазовом переходе. Измерены температурный сдвиг и гистерезис положения фотонной запрещенной зоны. Врамках модели слоистой периодической среды выполнены количественные расчеты спектров отражения фотонных кристаллов опала иVO2, получены численные значения геометрических параметров и оптических констант исследованных трехмерно-периодических структур.

Представлены результаты исследования адсорбционных свойств фуллеренов. Действие фуллеренов вкачестве адсорбентов сравнивается сдействием сажи иактивного угля. По своим адсорбирующим способностям сажа оказывается на уровне активных углей. Всоставе сажевого материала фуллерены не проявляются, акак самостоятельный адсорбент они значительно эффективней, чем активный уголь. Обсуждаются возможные механизмы адсорбции фуллеренов. Делается вывод, что адсорбционные способности фуллеренов реализуются главным образом через дисперсионные взаимодействия. Представлены некоторые теоретические оценки.

Экспериментально исследовано расщепление резонансных оптических мод в микрорезонаторах Фабри-Перо с распределенными брэгговскими отражателями. Расщепление проявляется в поляризованном свете при больших углах падения на внешнюю границу микрорезонатора. Построена теоретическая модель явления, которая позволяет количественно описать все наблюдаемые особенности расщепления.

В порах искусственных опалов синтезированы нанокристаллическийGaP и аморфный твердый растворGaPN. Полученные композиты опал-GaP и опал-GaPN обладают выраженными фотонно-кристаллическими свойствами. Вспектрах отражения композита опал-GaPN наблюдаются особенности, связанные с множественным характером брэгговской дифракции на двух системах кристаллографических плоскостей{ 111}, параллельных и непараллельных поверхности фотонного кристалла. Исследованы спектры фотолюминесценции синтезированных композитов. Обнаружена заметная модификация полосы излучения композита опал-GaPN, обусловленная влиянием фотонной запрещенной зоны.

Обнаружено наличие неоднородного уширения синей полосы люминесценции специально не легированных пленок нитрида галлия, выращенных методом химических транспортных реакций на подложках сапфира ориентации(0001) и кремния ориентации(111). Проведенные исследования спектров свечения при различных условиях возбуждения пленок GaN позволили обнаружить при комнатной температуре в синей спектральной области их люминесценции 3элементарные полосы с максимумами2.65, 2.84 и3.01 эВ. Сделаны предположения о типе собственных и примесных дефектов, участвующих вформировании различных центров синего свечения вGaN.

Исследовано влияние давления на электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xGexTe (x=0.06, 0.08), легированных галлием. Получена зависимость энергии активации глубокого примесного уровня галлия от давления, и показано, что его положение относительно дна зоны проводимости практически не изменяется под давлением. Натемпературных и барических зависимостях удельного сопротивления обнаружены аномалии, связанные, по-видимому, со структурными фазовыми переходами из кубической в ромбоэдрическую и орторомбическую фазы соответственно. Полученные результаты использованы для построения диаграммы перестройки энергетического спектра носителей заряда в кубической фазе исследованных сплавов под действием давления.

Впервые приведены экспериментальные данные, свидетельствующие о значительном уменьшении ширины запрещенной зоны твердых растворов Zn-O-S в соответствии с теорией непересекающихся зон. Показано, что эффект характерен в основном для ZnS с избыткомZn. Концентрация растворенного кислорода [OS] приводится по данным прецизионного рентгеноструктурного и химического фазового анализов. Уменьшение ширины запрещенной зоны, определенное по спектрам катодолюминесценции, составляет для сфалерита ZnS (s)75 мэВ, а для вюрцита ZnS (w) 90 мэВ на 1 мол% ZnO и практически линейно зависит от концентрации кислорода. Увеличение [OS], кроме усиления и смещения полосы свободных экситонов (FE), способствует образованию в ZnS кислородных SA-комплексов, ответственных за свечение в видимой области спектра и полосу связанных на них экситоновI1. Энергия связи равна ~61 и ~104 мэВ соответственно для ZnS (s) и ZnS (w). ПолосаI1 смещается с [OS] аналогично полосеFE. Полученные зависимости определяют положение полосыFE в бескислородном ZnS и позволяют по величине смещения ее судить о концентрации растворенного кислорода в соединении.

Представлены результаты экспериментальных исследований спонтанной эмиссии ионов эрбия в спектральной области края нижайшей фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей (одномерных фотонных кристаллов). Фотонные кристаллы состояли из чередующихся четвертьволновых слоев a-Si : H и a-SiOx : H, выращенных методом плазмохимического газофазного осаждения (plasma enhancement chemical vapor deposition). Эрбий вводился в слои a-Si : H магнетронным распылением эрбиевой мишени в процессе роста структуры. Наблюдаемое изменение интенсивности спонтанного излучения обусловлено немонотонным поведением плотности оптических мод вблизи края фотонной зоны.

Исследованы спектры брэгговского отражения света от фотонных кристаллов на основе композитов опал--полупроводник (GaP, GaN). Развит подход, позволяющий проводить характеризацию опалоподобных структур, основанный на исследовании формы спектров брэгговского отражения света и условий, в которых проявляется многоволновая брэгговская дифракция. Анализ формы спектров отражения выполнен в рамках приближения планарной слоисто-периодической среды с учетом спекания и одноосного сжатия сфер a-SiO2, формирующих 3Dрешетку опала. Диаметры и коэффициенты сжатия сфер найдены с учетом предложенного в работе спектроскопического структурного инварианта, определяющего условия наблюдения многоволновой брэгговской дифракции на системе плоскостей{111}.

Изучены распределение интенсивности электролюминесценции по площади и во времени до и после оптической деградации голубых InGaN/GaN-светодиодов. Проведены измерения I-V-характеристик. Обнаружено, что первоначально наиболее яркое свечение вблизи области металлизации p-контакта сменилось на слабое свечение после деградации светодиода. Обнаружена временная задержка (~ 20-40 нс) в распределении интенсивности электролюминесценции по площади светодиодов после их деградации. Предполагается, что рост избыточного тока после деградации обусловлен увеличением плотности состояний на гетерогранице InGaN/GaN и формированием электрического диполя, снижающего потенциальные барьеры в слоях p-GaN и n-GaN. Соответствующее увеличение емкости приводит к временной задержке растекания инжекционного тока и распределения яркости свечения по площади. Планарная неоднородность инжекции носителей заряда в квантовую яму до и после оптической деградации связывается с диффузией и электромиграцией водорода, индуцированной механическими напряжениями. Металлизация p-контакта может быть причиной генерации механических напряжений. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi