Найдено научных статей и публикаций: 195   
51.

Получение и диагностика низкотемпературной эрозионной плазмы высокого давления     

Голубев Е.М., Пухов А.М., Смирнов В.Л. - Журнал Технической Физики , 1997
52.

О характере разрушения медной фольги при интенсивном рентгеновском облучении     

Голубев В.К., Рабинович К.Г., Чернышев А.К. - Журнал Технической Физики , 1998
Проведено исследование характера разрушения медной фольги в условиях рентгеновского облучения, реализуемых при ядерном взрыве. Получены результаты по уносу материала с лицевой поверхности и по откольному разрушению. Последние сопоставлены с результатами, полученными в иных условиях нагружения.
53.

Температурная зависимость работы выхода островков гафния на вольфраме     

Голубев О.Л., Судакова Т.И., Шредник В.Н. - Журнал Технической Физики , 2000
С применением методов полевой электронной микроскопии изучены островки двумерной фазы гафния в области граней (100) вольфрама и их террас. Для островков измерена энергия двумерной сублимации, оказавшаяся равной 6.1±0.5 eV. Островки обнаруживали существенный эффект усиления полевой электронной эмиссии с температурой, значительно превышавший теоретически ожидаемый. Отрицательный температурный коэффициент изменения varphi alphaT для островков составил по величине 4-6· 10-4 eV · grad-1 или более, тогда как для вольфрама было получено alphaT=2· 10-5 eV · grad-1.
54.

Генерация и накопление дислокаций на поверхности кремния при воздействии импульсно-периодического излучения YAG : Nd лазера     

Банишев А.Ф., Голубев В.С., Кремнев А.Ю. - Журнал Технической Физики , 2001
Исследуется твердофазное разрушение поверхности кремния, связанное с генерацией и накоплением дислокаций при импульсно-периодическом воздействии излучения YAG : Nd лазера. Получены зависимости критического числа лазерных импульсов, приводящих к разрушению поверхности, от плотности мощности и периода следования. Приводится интерпретация полученных результатов с позиций механизмов лазерной генерации и накопления дислокаций в поверхностном слое полупроводников.
55.

Влияние изовалентной примеси магния на температурную стабильность голубой люминесценции селенида цинка     

Махний В.П., Слетов М.М., Чабан Ю.Я. - Журнал Технической Физики , 2002
Исследовано влияние изовалентной примеси Mg на формирование фотолюминесцентного излучения специально нелегированных кристаллов ZnSe и содержащих донорную примесь Al. Обнаружено аномально слабое температурное тушение голубой полосы в образцах с примесью магния.
56.

Высокотемпературное полевое испарение рения     

Голубев О.Л., Шредник В.Н. - Журнал Технической Физики , 2002
С помощью полевых эмиссионных методов изучалось высокотемпературное полевое испарение Re, а также Pt, Ta и W. Ионы металлов испарялись в основном с вершин термополевых микровыступов, возникающих на поверхности эмиттера под воздействием высоких электрических полей и температур. В полях напряженностью до F=1-2 V/Angstrem и температурах T до 1500-2000 K регистрировались ионные токи i со всей поверхности эмиттера от долей nA до нескольких nA. С использованием графиков Аррениуса \lg i=f(1/T) были определены энергии активации процесса полевого испарения, которые оказались заметно меньше полученных расчетным путем на основе модели обмена зарядом при известных параметрах процесса испарения и испаряемого металла. Обсуждаются причины подобного различия энергий активации и механизм явления испарения ионов при высоких F иT.
57.

Термополевые формоизменения сплава вольфрам--гафний     

Голубев О.Л., Шредник В.Н. - Журнал Технической Физики , 2003
С помощью полевых эмиссионных методов изучалось одновременное воздействие сильных электрических полей и высоких температур на острийные полевые эмиттеры из сплава W--Hf. Для подобных сплавов выявлены в принципе те же стадии термополевого формоизменения, что и для чистых металлов, хотя и с рядом характерных особенностей, обусловленных поверхностной сегрегацией Hf. Термополевая обработка эмиттеров из таких сплавов приводила к существенному увеличению степени локализации эмиссии в узком телесном угле и к улучшению эмиссионных параметров эмиттеров. Термополевая обработка сопровождалась высокотемпературным полевым испарением с эмиссией преимущественно ионов Hf.
58.

Особенности наноструктуры и удельной проводимости тонких пленок различных металлов     

Антонец И.В., Котов Л.Н., Некипелов С.В., Голубев Е.А. - Журнал Технической Физики , 2004
Методом вакуумного осаждения на полимерной подложке выращены аморфные пленки серебра, меди, золота и железа толщиной 6-350 nm. Исследованы особенности наноструктуры пленок. Получена зависимость удельной проводимости от толщины пленки, а также выявлена связь поведения проводимости с особенностями морфологии поверхности.
59.

Влияние внешней атмосферы и типа газа на генерацию дефектов и разрушение поверхности кремния при воздействии лазерных импульсов     

Банишев А.Ф., Голубев В.С., Кремнев А.Ю. - Журнал Технической Физики , 2004
Исследуется твердофазное разрушение поверхности кремния при импульсном воздействии субмикросекундных лазерных импульсов в атмосфере различных газов: активных --- кислород, азот, углекислый газ и инертных --- гелий, аргон, криптон. Установлено, что порог разрушения поверхности (порог образования неоднородностей рельефа поверхности) наименьший а атмосфере гелия и наибольший в атмосфере криптона. Предложен механизм роста и релаксации неоднородностей.
60.

Генерация многозарядных ионов тугоплавких металлов в электронно-циклотронном резонансном разряде в прямой магнитной ловушке     

Водопьянов А.В., Голубев С.В., Мансфельд Д.А., Николаев А.Г., Окс Е.М., Разин С.В., Савкин К.П., Юшков Г.Ю. - Журнал Технической Физики , 2005
Продемонстрирована возможность дополнительной ионизации ионов тугоплавких металлов плазмы вакуумной дуги, инжектируемой в магнитную ловушку, за счет дополнительного нагрева электронов СВЧ излучением в условиях электронно-циклоронного резонанса. Использование в экспериментах мощного коротковолнового электромагнитного излучения гиротронов позволило работать с большой (порядка 1013 cm-3) концентрацией плазмы и обеспечить параметр удержания на уровне 3·108 cm-3·s при достаточной для многократной ионизации температуре электронов.