Изучена температурная зависимость полуширины полосы 971.5 cm-1 в ИК спектрах закристаллизованного и аморфного образцов полиэтилентерефталата с длиной транс-последовательностей ~ 2-3 и ~4-7 nm соответственно. Увеличение полуширины с ростом температуры объяснено неупругим рассеянием валентных фононов скелета макромолекул на других фононах. В спектрах аморфного полимера полуширина приблизительно в 1.5 раза больше, чем в спектре закристаллизованного, что объясняется нарушением правил отбора по волновому вектoру из-за малой длины транс-последовательностей в аморфном образце. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (код проекта 01-03-32773).

Обсуждаются пути получения ансамблей нанокластеров германия предельно малых размеров и большой плотности распределения по площади подложки. Рассматриваются возможные варианты управления морфологией и упорядочением этих ансамблей. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 03-02-16506-а) и Министерством промышленности, науки и технологий РФ (госконтракт N 37.039.1.1.0041).

Исследуются особенности хемосорбции на размерно-квантованной нити. Показано, что энергия электрона адатома, хемосорбированного на размерно-квантованной нити, скачком изменяется при изменении радиуса нити.

Приведены экспериментальные результаты исследований начальных стадий роста пленки германия на атомарно-чистой окисленной поверхности кремния. Показано, что в данной системе рост пленки германия происходит в соответствии с механизмом Фольмера--Вебера. На окисленной поверхности кремния образуются упругонапряженные островки с латеральным размером менее 10 nm и плотностью 2·1012 cm-2. При толщинах пленки более 5 монослоев наряду с ними образуются островки германия с латеральными размерами до 200 nm и плотностью 1.5·109 cm-2, которые полностью срелаксированы. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16468 и 03-02-16506) и INTAS (грант N 03-51-5051).

Методом псевдопотенциала исследованы электронные состояния Si с периодическим массивом \glqq сферических\grqq германиевых кластеров. Проведен анализ эффектов размерного квантования в энергиях и волновых функциях локализованных кластерных состояний. Показано, что кластеры размером до 2.4 nm создают одно локализованное s-состояние, энергия которого с ростом размеров кластеров монотонно сдвигается в глубь запрещенной зоны Si. Волновая функция кластерного уровня обнаруживает характер, свойственный однодолинному приближению метода эффективной массы. В приближении резкооборванного на гетерогранице потенциала метод эффективной массы дает близкие к псевдопотенциальному расчету результаты для кластеров, содержащих более 200 атомов Ge. Для кластеров меньших размеров необходим учет плавного интерфейсного потенциала. Работа выполнена при поддержке программ \glqq Университеты России\grqq (грант N УР 01.01.055) и Минобразования РФ по фундаментальным исследованиям в области естественных и точных наук на 2003--2004 гг. (грант N Е02-3.4-365).

Теоретически исследована добротность монополярных полупроводниковых материалов с невырожденным газом носителей заряда с учетом рассогласования температур электронов и фононов, которое возникает вследствие действия на них разных поверхностных механизмов релаксации энрегии на контактах образца с термостатом. Показано, что в случае изотермических граничных условий для электронной подсистемы и адиабатических условий для фононной подсистемы термоэлектрическая добротность образца будет возрастать при уменьшении его линейных размеров, достигая максимального значения в пленках субмикронной толщины.

Линейное оптическое поглощение системы полупроводниковых квантовых точек, случайно расположенных в диэлектрической матрице, исследовано теоретически и экспериментально для системы CdTe/стекло. Расчет эффективной диэлектрической функции системы, мнимая часть которой определяет поглощение, основан на модифицированном формализме Максвелл--Гарнетта, использующем диаграммную схему расчета усредненной перенормированной поляризуемости сферических квантовых точек. При этом учитываются как флуктуации поляризационного взаимодействия, связанные со случайным расположением сфер, так и дисперсия их размеров. Сравнение теоретических спектров с экспериментальными позволило определить средний размер и концентрацию квантовых точек. Оказалось, что зависимость этих параметров от времени отжига при получении образцов не согласуется с имеющимися представлениями о спинодальном распаде твердых растворов.

Предложена численная модель, позволяющая рассчитывать электрические свойства поликристаллических керамических полупроводников в случае, когда средний размер зерна сравним с шириной обедненной области вблизи межзеренной границы и происходит перекрытие двойных барьеров Шоттки соседних границ. Двумерный расчет проведен в диффузионно-дрейфовом приближении с использованием метода сетки Вороного. Выполнен анализ влияния размеров кристаллических зерен на вольт-амперную характеристику и удельную электрическую емкость материала на примере SrTiO3 p-типа проводимости.

Изучаются изменения характеристик туннельной МОП структуры Al / SiO2 / n-Si, происходящие при снижении ее поперечных размеров в диапазоне от микрометра до нескольких нанометров. При моделировании учитывается квантование движения носителей в плоскости, перпендикулярной направлению туннелирования. Для большей наглядности МОП структура рассматривается как инжектор (туннельный МОП эмиттер) биполярного транзистора. Показано, что уменьшение размеров не вызывает качественных изменений электрических характеристик прибора, но приводит к некоторому снижению коллекторного тока и в особенности усиления. Полученные данные важны как сами по себе, так и в связи со скейлингом полевых транзисторов, поскольку транзистор с туннельным МОП эмиттером является одним из практически интересных режимов включения обычного полевого транзистора.

Выполнен микроскопический расчет проводимости в режиме целочисленного квантового эффекта Холла. Исследован вопрос о точности квантования для образцов конечных размеров. Обаружено, что точность квантования степенным образом зависит от размера образца. Введен новый скейлинговый параметр, описывающий такую зависимость. Также показано, что точность квантования линейно зависит от отношения амплитуды хаотического потенциала к циклотронной энергии. Проведено сравнение результатов с магнитотранспортными измерениями в мезоскопических образцах. PACS: 73.43.Cd, 75.47.-m