Рассматривается задача определения скорости вращения атмосферы при условии, что в одном полушарии (например, северном) известна скорость вращения на широтах 0, 30, 45 и 60o. Мы проводим расчеты с учетом трех симметричных и двух несимметричных относительно экватора вращательных мод и обсуждаем доводы в пользу того, что в случае солнечной конвективной зоны наинизшая мода несимметричного вращения среды не возбуждается. Как оказывается, практический интерес представляет решение с минимальной величиной асимметрии вращения относительно экватора. В этом случае характер убывания некоторой средней скорости солнечного вращения при увеличении широты, а также параметры одной высокоширотной подповерхностной быстро вращающейся струи находятся в согласии с наблюдениями, однако в теории присутствуют и дополнительные пикообразные вариации скорости вращения. Мы предполагаем, что сглаживание последних вариаций осуществляется благодаря возбуждению крутильных волн, которые присутствуют в солнечной конвективной зоне.

В рамках простых моделей с учетом диполь-дипольного взаимодействия адатомов водорода рассчитана зависимость изменения работы выхода Deltaphi от степени покрытия Theta поверхностей (100) и (111) германия. Показано, что в случае Ge(111) для объяснения экспериментально наблюдаемой зависимости Deltaphi(Theta) необходим учет увеличения длины адсорбционной связи с ростом Theta. Рассчитан также заряд адатомов в функции от Theta и оценено изменение поверхностной проводимости подложки.

Дано решение задачи Я.И. Френкеля о нахождении по заданному в объеме эллипсоидальной области пространства простейшему стационарному току адекватного ему (т. е. создающему такое же внешнее магнитное поле) поверхностного тока на границе области. Попутно в рамках этой частной задачи найдены мультипольные представления псевдоскалярных магнитных потенциалов объемного и поверхностного токов. Показано, что эти представления совершенно аналогичны соответствующим мультипольным представлениям скалярных потенциалов эллипсоида, обусловленных объемными или поверхностными распределениями скалярных источников (зарядов или масс).

Результаты проведенных ранее исследований магнитных свойств поликристаллов YBa2Cu3O7-x использованы для разработки высокочувствительного устройства, позволяющего измерять слабые магнитные поля. Чувствительность устройства близка к параметрам сквидов и значительно превосходит чувствительность феррозонда. В то же время это устройство проще и надежнее, чем сквиды. В отличие от сквидов устройство позволяет измерять непосредственно величину напряженности магнитного поля, имеет широкий диапазон измеряемых магнитных полей и обладает выраженной диаграммой направленности. PACS: 85.75.Ss, 07.55.Ge

Представлены результаты расчета ширины линии (обратного времени жизни) Gammae-e поверхностных состояний для Be(0001) и Mg(0001). Ширина линии состояния вычисляется как проекция мнимой части собственной энергии квазичастицы на само состояние. Экранированное кулоновское взаимодействие рассчитывается с помощью модельного потенциала, учитывающего энергетическую щель в проекционной зонной структуре и поверхностное состояние, расположенное в этой щели. Волновые функции и энергии электронных состояний вычисляются в рамках самосогласованного пленочного псевдопотенциального метода. На основе проведенных расчетов показано, что Gammae-e существенно зависит от положения поверхностного состояния в зоне Бриллюэна. Также показано, что переходы из зон поверхностных состояний в основном определяют отличие вычисленных значений Gammae-e от получаемых в модели однородного электронного газа. Мы выражаем благодарность отделу образования правительства страны басков, которое частично финансировало проведение работ по этому проекту, а также Э. Зарате за помощь в проведении части расчетов.

В рамках предложенной нами ранее простой модели проведены самосогласованные расчеты высоты барьера Шоттки для контактов Ag, Au, Pd, Pt, Ti, Ru, Ni, Cr, Al, Mg и Mn с различными политипами SiC. Показано, что вполне удовлетворительное согласие результатов расчета с экспериментом получено для контактов переходных металлов в предположении об определяющей роли кремниевых вакансий с энергией Ed=EV+2.1 eV. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований N 03-02-16054б, INTAS N 01-0603 и NATO SiP N 978011.

Предложен простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из вольт-фарадных измерений при электрохимическом травлении. Метод дает возможность определять профиль легирования непосредственно от поверхности полупроводника и обеспечивает разрешение на масштабах, меньших радиуса дебаевского экранирования. Результаты численных расчетов подтверждают возможность восстановления профиля легирования полупроводников с разрешением на уровне единиц нанометров.

В рамках простой модели, основанной на уравнении Гертца--Кнудсена, с учетом зависящего от температуры коэффициента прилипания, рассчитана зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме от температуры. Результаты расчета хорошо совпадают с экспериментальными данными.

Ремнев М., Юхин К., Смирнов Д. Простые приборы для демонстрации в школах физических законов и явлений // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 160

Жигирев Н.н., Корж В.в., Оныкий Б.н., Кузьмина Н.м. Задача классификации текстов, кодирование простыми числами // Научная сессия МИФИ-2001. Т.2 Информатика и процессы управления. Информационные технологии. Сетевые технологии. Параллельные вычислительные технологии, стр. 108-109