Обнаружены длительные (~ 200 h) многоэтапные вариации интенсивности спектра электронного парамагнитного резонанса примесных ионов Eu2+, вызванные агрегированием примесно-вакансионных диполей в комплексы после закаливания монокристаллов NaCl : Eu. Установлено, что магнитопластический эффект в этих кристаллах (изменение микротвердости в магнитном поле с индукцией 6 T) наблюдается на такой промежуточной стадии агрегирования примеси, когда полное число изолированных примесно-вакансионных диполей в образце временно стабилизируется, что, по-видимому, соответствует термоактивируемой перестройке внутренней атомарной структуры большинства образовавшихся к этому времени комплексов. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 01-03-42501 и 01-02-06307).

С помощью оптических методов исследована возможность реализации устойчивого релаксорного поведения в соединениях PbSc1/2Nb1/2O3(PSN), а также изучены условия возникновения фазы с дальним порядком в релаксорах PbZn1/3Nb2/3O3 (PZN). Обнаружено, что замена ионов Pb всего 6% ионов Bb (PBSN-6) \glqq замораживает\grqq релаксорное состояние в соединениях PSN, а добавка уже 7% PbTiO3 к релаксору PZN (PZN-7PT) реализует фазу с дальним порядком, причем фазовый переход при Tmaxvarepsilon проходит по перколяционному типу. Выявлены общие закономерности возникновения и разрушения фазы с дальним порядком в различных типах релаксоров. Найдены различия, связанные с присутствием спонтанно поляризованных сегнетоэлектрических областей в кубической неполярной матрице в соединениях типа PSN. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 05-02-17835) и программы ОФН РАН. PACS: 77.84.Dy, 77.90.+k

Обсуждается природа и механизмы возникновения самопроизвольной поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках в процессе формирования тонкопленочной конденсаторной структуры и ее релаксации под воздействием электрического поля, температуры и освещения. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 04-02-16738) и Федерального агенства по образованию РФ (проект N 75112). PACS: 77.22.Ej, 77.84.Dy

Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований эффекта возникновения отрицательного дифференциального сопротивления диодных структур на основе p-n-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ мощности. При теоретическом анализе влияния высокого уровня СВЧ мощности на вид вольт-амперной характеристики диода учитывается изменение постоянной составляющей тока, протекающего через p-n-структуру, вследствие разогрева свободных носителей заряда и детекторного эффекта.

Оценивалась возможность возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в симметричных структурах металл--полупроводник--металл с малой толщиной пленки. Предложена модель, позволяющая в первом приближении объяснить природу возникновения данной бистабильности в результате генерационно-рекомбинационных процессов, протекающих в объеме образца при биполярной инжекции. Показана перспективность разработки и применения структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением в устройствах для регистрации и обработки информации.

Теоретически описан экспериментально обнаруженный эффект возникновения режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ сигнала. Выяснены причины существования диапазонов напряжений смещений на диоде и уровней мощности СВЧ сигнала, в которых наблюдается обнаруженный эффект.

С помощью компьютерного моделирования исследованы нелинейные автоколебания при примесном пробое компенсированного полупроводника в классически сильном магнитном поле при условии закороченнойэдс Холла. Врезультате установлено, что в некотором интервале изменения сопротивления нагрузки (включенного последовательно с образцом) иэдс источника питания постоянного тока на фазовой диаграмме системы появляется двойной предельный цикл. Этот эффект в принципе дает возможность создать такой высокочастотный генератор, который в одних и тех же внешних условиях будет работать в разных амплитудных режимах.

Бесконтактным локальным фотоакустическим методом, базирующимся на спектроскопии отклонения лазерных лучей, впервые оценены в микронных областяхSi иGaAs величины 10-5

Выполнен расчет влияния ионизованного заряда в диэлектрике на величину избыточного тока в МОП структуре. Сравнение результатов численного расчета с экспериментальными данными показывает, что этот эффект может быть ответственным за зависящий от времени пробой сверхтонкого подзатворного диэлектрика в МОП транзисторах.

Радовский И.с., Милосердин В.ю., Самосадный В.т., Троянский В.б. Разработка модели возникновения ударной волны в ТВЭЛе как причины его разрушения // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 94-95