Исследуются термодинамика и кинетика начальной стадии переключения одноосных сегнетоэлектриков-сегнетоэластиков (СС) в области слабой метастабильности. Показано, что при переключении одноосных СС суперпозиция электрического и механического полей является аналогом пересыщения или переохлаждения при обычных фазовых переходах в растворах или расплавах. Найдено выражение, описывающее зависимость критического размера домена от величины переключающего поля. В пространстве размеров определена зависимость стационарного потока переполяризованных и передеформированных доменов от величины приложенного поля. Оценены время установления (инкубационный период) и время существования стационарного потока зародышей переполяризации--передеформации. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-03-32768), гранта Российского центра "Интеграция" (проект N A0151) и гранта "CONACYT" (проект N 32208).

Изложены результаты теоретического анализа процессов роста на стадиях зарождения и оствальдовского созревания островков GaN в интервале температур 480-1000oC на поверхности подложки, покрытой буферным слоем AlN. Показано следующее. (1) При температурах (T>650oC) рост отровков контролируется химической реакцией образования молекул нитрида галлия вдоль контура поверхности островка. Зарождающиеся в этой температурной области островки имеют широкий спектр размеров. (2) При температурах (T

Измерены спектры характеристических потерь энергии электронов (ХПЭЭ) чистой поверхности металлического иттрия и их изменения на начальных стадиях окисления поверхности. Измерения проводились при энергиях первичного пуска электронов Ep от 200 до 1000 eV. На спектрах видны высокочастотные и низкочастотные пики. При окислении в спектрах ХПЭЭ наблюдаются большие сдвиги положений основных особенностей. Пики, соответствующие объемным потерям энергии, смещаются при окислении в область больших энергий. Так же сдвигается пик, соответствующий низкочастотным поверхностным колебаниям, но сдвиг осуществляется в область малых энергий с монотонным уменьшением интенсивности пика по мере увеличения дозы окисления. Различие между спектрами при разных Ep объясняется увеличением глубины выхода электронов из образца при увеличении Ep. Работа поддержана проектом Российского фонда фундаментальных исследований N 01-02-17307.

Методом лазерной интерферометрии изучена неравномерность деформации (\glqq скачки\grqq) ползучести микронного уровня при сжатии ряда металлов (Ag, Al, Bi, Cu, Pb, Sn, Zn) и кристаллов LiF : Mg. Установлена периодичность изменения скорости деформации и определены средние значения деформации L в периоде, а также изменения L при разных степенях общей деформации. Обнаружены некоторые корреляции между средним значением L и содержанием Mg в кристаллах LiF, между L и размером зерна в металлах, между величиной мелкомасштабных скачков и вектором Бюргерса металлов. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке МОН РФ в рамках программы по твердотельным наноструктурам.

Исследовано образование дефектов в углеродных нанотрубках под действием потока ионов аргона. Представлены экспериментальные результаты исследования pi-плазмонов в однослойных и многослойных углеродных нанотрубках методом характеристических потерь энергии электронами. Надмолекулярная структура нанотрубок в процессе проведения эксперимента ступенчато модифицировалась потоком ионов аргона (максимальная доза облучения составляет 360 muC/cm2). Одновременно методом Оже-электронной спектроскопии контролировалось содержaние внедренного в структуру нанотрубок аргона. Экспериментально определено влияние ионного облучения на собственную энергию pi-плазмонов Epi и ширину на половине высоты плазменного спектра delta E. Выявлена связь указанных величин с концентрацией внедренного аргона. Показано, что процесс дефектообразования за счет облучения ионами немонотонен, протекает ступенчато. Дана качественная феноменологическая интерпретация обнаруженного экспериментально уменьшения величины Epi и одновременного уширения спектра pi-плазмонов. Высказано предположение, что микроскопический механизм обнаруженных явлений связан с некоторым сужением энергетических pi-подзон за счет поля заряженных дефектов, созданных ионами. Работа выполнена при поддержке Министерства образования Российской Федерации (грант N PD02-1.2-170).

Образование в стекле фазы CuCl начинается спустя некоторое время после \glqq включения пересыщения\grqq. С ростом температуры наблюдается уменьшение периода нестационарности (стадия формирования критических зародышей) и переход кинетики роста фазы CuCl от первой ко второй стадии. Наблюдаемые закономерности кинетики роста фазы CuCl согласуются с классической теорией образования новой фазы Зельдовича-Френкеля. Время задержки определяется радиусом критического зародыша --- нанорасплава CuCl --- и коэффициентом диффузии лимитирующего компонента --- ионов Cu+. Радиус критического зародыша составляет около 1 nm и в широком интервале температур остается неизменным. Энергия активации процесса роста фазы CuCl не меняется при переходе от стадии формирования критических зародышей к первой и затем ко второй стадии. Авторы выражают благодарность Совету по грантам Президента РФ для поддержки ведущих научных школ Российской Федерации (грант НШ-2223.2003.02).

На основе сопоставления данных микроскопических исследований, исследований состава и микротвердости показано, что в эпитаксиальных варизонных гетеросистемах CdTe/CdHdTe существует развитая система массивов дислокаций различного происхождения (прорастающих, несоответствия, на границах сращивания трехмерных островков и др.) с наклонными и параллельными границе раздела сегментами. Обнаружено неравномерное по толщине гетеросистемы увеличение микротвердости, коррелирующее в эпитаксиальном слое с распределением плотности дислокаций. PACS: 61.72.Ff, 62.20.Qp

Методом термодесорбционной спектрометрии с регистрацией продуктов термодесорбции импульсным времяпролетным масс-спектрометром изучена десорбция атомов Cs и Na из соответствующих слоев, нанесенных на пленку золота, осажденную на текстурированную вольфрамовую ленту с преимущественным выходом на поверхность грани (100). Атомы Cs, осажденные при T=300 K, десорбируются двумя фазами, одна из которых связана с заполнением монослоя, а вторая --- с образованием соединения CsAu. Атомы Na, осажденные при T=300 K, десорбируются тремя фазами, связанными с образованием монослойного покрытия, соединения Na c Au и многослойной пленки Na. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 05-08-18047-a) и Федерального агенства по науке и инновациям (госконтракт N 02.434.11.2027). PACS: 68.43.Vx, 68.43.Mn

На основе проведенных экспериментальных исследований процессов образования и эволюции пентагональных кристаллов на индифферентной подложке в процессе электрокристаллизации меди составлена и обоснована диаграмма возможных фазовых переходов в малых частицах при варьировании параметров, управляющих процессом электроосаждения. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (региональный проект N 05-02-96508). PACS: 81.10.Aj, 81.15.Pq, 81.30.Dz

В рамках обобщенной модели Андерсона--Халдейна для плотности состояний полупроводника рассчитано положение локальных и квазилокальных состояний металлических атомов (щелочные металлы, металлы IIIгруппы и группы меди), адсорбированный на поверхности 6H-SiC и их заполнение. Результаты расчетов сопоставляются с экспериментальными данными по барьерам Шоттки.