Исследован процесс образования малых кислородных кластеров при температурах T=280-375oC в кристаллическом кремнии, легированном водородом путем высокотемпературной диффузии. Установлено, что присутствие водорода в концентрациях 1015-1016 см-3 приводит к существенному возрастанию (до 106раз при T=< 300oC) коэффициента диффузии кислорода в кристаллах Si. Обсуждаются возможные механизмы взаимодействия примесных атомов O и H и причины ускоренной водородом диффузии кислорода в кремнии.

Представлены результаты исследования начальных стадий роста островковых алмазных пленок, полученных методом термического газофазного осаждения (hotfilamentCVD) на оптически полированном кристаллическом кремнии. Методом атомно-силовой микроскопии изучена эволюция островков, образовавшихся на начальных стадиях роста пленки, в процессе их отжига. Установлено, что на начальных стадиях роста изменение плотности островков происходит за счет коалесценции близко расположенных островков. Затем, при достижении островками критического размера, начинается оствальдовское созревание островков.

Исследовано изменение температурных спектров внутреннего трения и эффективного модуля сдвига в монокристаллическом кремнии в интервале20--400oC в зависимости от времени отжига при400oC. Показано, что в процессе отжига в спектрах поглощения появляются и увеличиваются, по мере выдержки, устойчивые максимумы, обусловленные миграцией точечных дефектов и их комплексов. Высказано предположение о возможной природе обнаруженных эффектов.

Методом атомно-силовой микроскопии изучены особенности формирования поверхностного рельефа германия на начальных стадиях многократного фотодеформирования полупроводника. Упругие и неупругие деформации твердого тела вызывались его сканирующим импульсным лазерным облучением. Вовремя упругих фотодеформаций германия изменения исходного нанорельефа поверхности не детектируются, тогда как после неупругих деформаций мы обнаружили низкопороговое формирование упорядоченных поверхностных наноструктур. Обсуждается взаимосвязь эффекта с лазерно-индуцированной генерацией точечных дефектов вблизи порогов возникновения неупругих деформаций полупроводника.

Обоснована и сформулирована математическая модель термостимулированного гетеровалентного замещения анионов в поверхностном слое AIIIBV при халькогенидной пассивации из газовой фазы. Модель представлена в виде нелинейной системы дифференциальных уравнений. Показано, что существенное влияние на кинетику оказывает исходное состояние поверхности (начальная поверхностная концентрация анионных вакансий).

В сверхвысоковакуумных условиях изучена адсорбция, начальные стадии роста пленок и трансформация адсорбционного слоя из молекулC60 на поверхности(100)W при нагреве. Показано, что молекулыC60 из первого адсорбционного слоя претерпевают существенную трансформацию уже при комнатной температуре, тогда как молекулы во втором и последующих адсорбционных слоях сохраняют свою природу в адсорбированном состоянии вплоть до700 K. При комнатной температуре наблюдается послойный рост пленки фуллерита. Обнаружено, что при термической десорбции фуллеренов на поверхности остается их значительное количество, соответствующее примерно двум монослоям, и предложена физическая модель, объясняющая это явление.

Изложена теоретическая модель для расчета функции распределения квантовых точек по размерам при росте по механизму Странского--Крастанова в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки. Модель основана на общей теории нуклеации островков при фазовом переходе первого рода, где роль метастабильной фазы играет перенапряженный смачивающий слой, а упругонапряженные трехмерные островки являются зародышами новой фазы. Построенная модель уточняет ряд результатов, полученных ранее. Теория применима на кинетической стадии формирования квантовых точек, когда ансамбль является невзаимодействующим. Вработе дан пример расчета кинетики формирования \glqq hut\grqq кластеров в гетероэпитаксиальной системе Ge/Si(100). PACS: 68.65.Hb; 81.10.Aj

Евстюхин Н.а. Влияние облучения на электрофизические и механические характеристики перспективного ядерного топлива на начальной стадии деформационного упрочнения // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.5 Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 66-67

Автандилов Г.г. Компьютерная плоидометрия ядер клеток в дщифференциальной диагностике стадий озлокачествения тканей // Научная сессия МИФИ-2001. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 183-185

Автандилов Г.г. Компьютерная плоидометрия ядер клеток в дщифференциальной диагностике стадий озлокачествения тканей // Научная сессия МИФИ-2001. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 183-185