Предложен общий метод сохранения конфиденциальности при коррекции ошибок в первичных ключах в квантовой криптографии через открытый канал связи. На примере каскадной процедуры исправления ошибок описан метод устранения информации, выданной в открытый канал связи в результате ``чистки' ключа. Найден критический процент ошибок для квантового криптографического протокола BB84, до которой каскадный метод коррекции ошибок с выбрасыванием гарантирует секретность финального ключа. Предложенный способ устранения информации, выданной в открытый канал связи, является достаточно общим и может быть использован для многих протоколов ``чистки' первичных ключей в квантовой криптографии.

Пусть R — первичное кольцо. Косым g-дифференцированием для функции g: R→R называют аддитивное отображение f:R→ R, для которого при любых x,yin R выполнены соотношения f(xy)=f(x)g(y)+xf(y)=f(x)y+g(x)f(y) и f(g(x))=g(f(x)). Обобщены некоторые свойства первичных колец с дифференцированиями на класс первичных колец с косыми дифференцированиями.

Обобщаются некоторые результаты Белла и Мейсона, относящиеся к коммутативности на почти-кольцах. Пусть N — первичное правое почти-кольцо с мультипликативным центром Z, D — (σ, τ)-дифференцирование на N такое, что σD = Dσ, τD = Dτ. Доказаны следующие результаты. (i) Если D(N) subset Z или [D(N),D(N)]=0, или [D(N),D(N)]σ, τ =0, то (N,+) абелево. (ii) Если D(xy)=D(x)D(y) или D(xy)=D(y)D(x) для любых x,y∈ N, то D=0.

Л. В. Панова, Н. Л. Русинова, Неравенства в доступе к первичной медицинской помощи: социологический анализ // Журнал "Социологические исследования", № 6, 2005, http://socis.isras.ru/

В диапазоне энергии первичных электронов 0.6-1.5 кэВ измерены ориентационные зависимости для ряда групп вторичных электронов: квазиупруго рассеянных, неупруго отраженных с возбуждением плазмона и ионизацией остовного уровня M4.5, а также оже-электронов M4.5VV. Данные получены для монокристалла Nb (100) при изменении азимутального угла падения первичного пучка и полном сборе вторичных электронов. Установлена взаимосвязь процессов фокусировки и дефокусировки электронов, проникающих в кристалл вдоль направлений < 110> и < 133>, существенно различающихся плотностью упаковки атомов. Обнаружена и объяснена специфика ориентационного оже-эффекта, обусловленная возникающей вследствие фокусировки вариацией интенсивности потока отраженных электронов. Оценены вклады в угловые зависимости оже-эмиссии и отражения с ионизационной потерей как анизотропии ионизации самого остовного уровня, так и изменения интенсивности обратного рассеяния. Проанализирована возможность использования рассмотренных ориентационных зависимостей для элементно-чувствительного анализа локальной атомной структуры поверхности.

Исследованы ионно-оптические свойства и характеристики различных вариантов масс-сепаратора с двойной фокусировкой, у которых длина пути пролета иона уменьшена за счет соответствующего выбора геометрических параметров ионно-оптической системы. Определена разрешающая способность таких систем сепарации с учетом аберраций второго порядка.

Исследованиями импульсной автоэлектронной эмиссии в электронном проекторе было установлено, что при приближении к предельно высоким плотностям тока происходит характерное изменение эмиссионной картины, состоящее в появлении яркого кольца, окружающего обычное эмиссионное изображение. При исследованиях плоских автоэмиссионных катодов не однократно было замечено появление колец. Для объяснения их появления была предложена модель, в основе которой лежит предположение о том, что вторичные электроны, эмитируемые с анода, под действием электрического поля возвращаются на анод, образуя наблюдаемое кольцо. Рассмотрены возможности использования этого явления при создании автоэмиссионных приборов.

Методом оптической спектроскопии с наносекундным разрешением изучено влияние предыстории (наличия примесей, термической обработки) кристаллов CaF2 на процессы создания автолокализованных экситонов (АЭ) под действием импульса ускоренных электронов. Обнаружено нарушение условия дисперсности создания АЭ в номинально чистом, термически необработанном кристалле. Показано, что исходные дефекты структуры играют определяющую роль при создании первичной дефектности. Построена модель радиационного разупорядочения реального кристалла флюорита. Прослежена аналогия с процессами примесного и термического разупорядочения.

Проведено теоретическое исследование первичного акустического эха при возбуждении парамагнитного кристалла с эффективным спином S=1 двумя поперечными упругими видеоимпульсами пикосекундной длительности. Направление подачи обоих возбуждающих видеоимпульсов перпендикулярно внешнему магнитному полю. Показано, что первичное акустическое эхо в общем случае состоит из шести продольных и поперечных сигналов на частотах переходов внутри зеемановского триплета. Определены оптимальные параметры возбуждающих видеоимпульсов для возникновения различных сигналов эха.

Методами импульсной спектрометрии с наносекундным разрешением исследованы спектрально-кинетические параметры инициированных воздействием импульса электронов (ИЭ) нестационарного поглощения и свечения кристаллов LiF. Измерения проведены в спектральной области 6 eV, в температурном диапазоне 11-150 K и временном интервале 10-8-10 s после окончания действия ИЭ. Показано, что воздействие ИЭ приводит к созданию в кристалле LiF помимо F-, Vk- и H-центров короткоживущих дефектов двух типов, различающихся спектральным положением поглощательных и излучательных переходов, временем жизни и характером температурной зависимости эффективности создания. Центры типа I имеют поглощательные переходы на 5.5 и 5.1 eV и излучательный на 5.8 eV, центры типа II --- поглощательные переходы на 5.3 и 4.75 eV и излучательный переход на 4.4 eV. Установлено, что в интервале 11-150 K изменение количественного соотношения между типами короткоживущих центров не влияет на величину квантового выхода F-центров. Предполагается, что обнаруженные центры представляют собой автолокализованные экситоны различного типа. Работа выполнена при финансовой поддержке программы "Университеты России".