Рассмотрен новый принцип построения мультиплесной системы автогенераторных микрорезонансных волоконно-оптических датчиков физических величин. Приведены результаты экспериментального исследования мультиплексной системы с двумя измерительными каналами.

Рассмотрен циклотронный дрейф заряженных частиц вдоль границы, разделяющей области с различной величиной ларморовского радиуса. Получено выражение для скорости дрейфа и дрейфового тока вдоль прямолинейной границы, а также выражение для скорости дрейфа вдоль криволинейной границы. Проведены оценки пропорции, в которой дрейфовый ток может делиться по ветвям для разветвленной границы на примере одной из типичных конфигураций.

Исследуются концентрационные зависимости электронных свойств (остаточного электросопротивления, диффузионной термоэдс, нормального эффекта Холла, низкотемпературной теплоемкости) и магнитных характеристик (намагниченности, парамагнитной восприимчивости) в квазибинарных сплавах (PdxPt1-x)3Fe, Pt3MnxFe1-x, (PdxAu1-x)3Fe и ScxTi1-xFe2. Устанавливается связь аномального поведения кинетических свойств с изменением величины локальных магнитных моментов. Отсутствие соответствующих особенностей в концентрационной зависимости теплоемкости указывает на то, что плотность состояний на уровне Ферми существенно не изменяется, поэтому традиционная двухзонная модель Мотта не может описать особенности поведения свойств указанных сплавов. Единая интерпретация совокупности экспериментальных результатов дается на базе теории локальных флуктуаций электронной спиновой плотности в металлических магнетиках.

Исследованы анизотропия, спектральная временная зависимость релаксации размеров отпечатков микротвердости в Si. Показано, что временная и спектральная зависимости корреллируют с концентрацией возбужденных носителей в той области (дефектная и упругодеформированная), в которой они возбуждаются, а анизотропия определяется различным видом деформации химических связей при разном положении индентора.

С целью уточнения механизма микроиндентирования, на основе анализа экспериментальных данных по влиянию спектрального состава и интенсивности света на микротвердость монокристаллического Si и проведенных теоретических расчетов установлено существование около поверхности Si тонкого слоя высокой твердости, который оказывает разное влияние на величину микротвердости в зависимости от глубины внедрения индентора в вещество.

Представлены результаты экспериментальных исследований эмиссии электронов из монокристаллов триглицинсульфата, номинально чистых и легированных примесями ионов Cr3+. Исследована связь между основными параметрами процессов переключения и эмиссии электронов из сегнетоэлектриков коэрцитивным полем и пороговым полем возникновения эмиссии. Показано, что температурные и концентрационные зависимости порогового поля могут быть объяснены соответствующими зависимостями коэрцитивного поля.

Постоянные решетки TiSe2 изучены в зависимости от концентрации внедренного металла различной валентности и внешнего давления. Определены энергии деформации и величины поляронного сдвига, возникающие при интеркаляции TiSe2 металлами различной валентности. Показано, что положение поляронной зоны линейно понижается с увеличением потенциала ионизации интеркалированной примеси. Настоящая работы поддержана РФФИ (грант N 98-03-3265a) и Министерством образования РФ (грант N 97-0-7.1-169).

Анализируется температурная зависимость добавочной проводимости Deltasigma эпитаксиальных пленок YBCO. Добавочная проводимость определялась по разности экстраполированного в область низких температур нормального сопротивления и измеренного сопротивления. Обнаружено, что температурная зависимость добавочной проводимости хорошо описывается выражением Deltasigma=A(1-T/T*)exp(Delta*/T). В предположении, что эта зависимость отражает появление псевдощели при температурах значительно выше критической температуры сверхпроводимости Tc, вычислены величина и температурная зависимость псевдощели Delta*. Проведено сравнение с экспериментальными и теоретическими литературными данными. Обсуждается переход к флуктуационной проводимости вблизи критической температуры Tc.

Исследована зависимость дефектной электролюминесценции (ЭЛ) от величины прямого тока в кремниевых структурах, полученных путем имплантации ионов эрбия и кислорода в монокристаллический кремний с последующим отжигом в хлорсодержащей атмосфере при 1100oC. При 80 K с ростом тока наблюдается увеличение энергий квантов, отвечающих максимумам двух пиков дефектной ЭЛ: от 0.807 и 0.87 eV до 0.85 и 0.92 eV соответственно. С ростом тока происходит также увеличение полуширины пиков и интенсивности ЭЛ. Для объяснения наблюдаемых эффектов развита предложенная ранее для дефектной ЭЛ в пластически деформированном кремнии модель, которая предполагает возможность создания инверсной населенности по четырехуровневой схеме. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194) и Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 02-02-16374).

Методом фотолюминесценции при комнатной температуре исследованы растворы синтезированных фуллеренсодержащих звездообразных полистиролов в толуоле. Наблюдался сдвиг максимумов спектров фотолюминесценции по сравнению со спектром раствора C60 в толуоле в область коротких волн. Установлено, что величина сдвига в первом приближении не зависит от типа химической связи фуллерена с аддендом (ковалентная неполярная С--С и ковалентная полярная С--Н), а определяется количеством разорванных двойных связей на фуллерене и связанным с этим перераспределением электронной плотности.