В рамках диффузионной модели рассмотрена функция распределения связанных электронов и скорость рекомбинации электронов и ионов в присутствии двухуровневых атомов. Рассмотрены два случая: а) в соответствии с традиционными представлениями полагается, что релаксация происходит за счет парных столкновений; б) предполагается наличие аномального дрейфа, обнаруженного ранее на основе моделирования из первопринципов. Показано, что распределение связанных электронов, полученное на основе представлений о парных кулоновских столкновениях, не согласуется с результатами численного моделирования динамики многих частиц, в то время как кинетическая модель, использующая представление об аномальном дрейфе, согласуется с результатами моделирования.

При помощи зондовой диагностики и теоретического анализа исследовано влияние слабых электрических полей на величину средней энергии электронов в плазме послесвечения криптона. Показано, что в рассматриваемых условиях, когда средняя энергия электронов меньше энергии, соответствующей минимуму транспортного сечения рассеяния, степень ионизации плазмы существенным образом влияет на вид функции распределения электронов по энергии (ФРЭЭ). Неравновесный вид ФРЭЭ приводит к концентрационной зависимости коэффициента амбиполярной диффузии, изменению радиального распределения плотности заряженных частиц, росту амбиполярной разности потенциалов в плазме и скорости диффузионного распада. Указанные эффекты приводят к значительному увеличению диффузионного остывания электронов, что может являться определяющим фактором, влияющим на баланс энергии электронов в тяжелых инертных газах.

Решение задачи о проникновении магнитного поля в идеально проводящую незамкнутую эллипсоидальную оболочку в присутствии проводящей толстостенной сферической оболочки сведено к решению интегрального уравнения Фредгольма второго рода. Численно исследовано влияние угла раствора незамкнутой эллипсоидальной оболочки, некоторых геометрических параметров экранов и электрофизических свойств материала сферической оболочки на коэффициент ослабления поля внутри эллипсоидальной оболочки. PACS: 41.20.-q

Обнаружено увеличение электропроводности разводороженных электрохимическим способом гидридов (дейтеридов) палладия по сравнению с исходными образцами чистого палладия в широком интервале температур (75--300 K). Показано, что обнаруженный эффект обусловлен подавлением рассеяния электронов проводимости на фононах решетки палладия в области T<=theta (theta --- дебаевская температура) в присутствии кластеров квазиметаллического водорода (дейтерия).

Изучен процесс взаимодействия ультраслабого потока тепловых нейтронов (In=20 n/s·cm2) с медным катодом при электролизе в 1-молярном растворе KOH в H2O. Обнаружен эффект генерации значительных упругих и пластических деформаций в меди, выражающийся в появлении поперечного изгиба медной пластины и разрушении ее поверхности. Показано, что среднее эффективное сечение поглощения тепловых нейтронов в меди увеличивается примерно в 20 раз по сравнению с его равновесным значением.

Впервые исследуется процесс 180o импульсного перемагничивания бората железа в присутствии поперечного магнитного поля. Изучение зависимости интенсивности магнитоупругих колебаний от амплитуды перемагничивающего поля и длительности основной стадии переходного процесса, а также анализ годографов вектора намагниченности показали, что основной причиной излома кривой импульсного перемагничивания является уменьшение потерь энергии на возбуждение магнитоупругих колебаний, обусловленное отставанием упругой подсистемы кристалла от магнитной при временах перемагничивания, меньших 13--16 ns.

Рассмотрены полосы поглощения и усиления слабого зондирующего сигнала в присутствии бозе-эйнштейновской конденсации экситонов, возникающей в неравновесных условиях в поле когерентного лазерного излучения. Показано, что поглощение света обусловлено квантовым переходом из основного состояния кристалла на квазиэкситонную ветвь спектра. Усиление сигнала происходит за счет перехода с квазиэнергетической ветви спектра в основное состояние кристалла.

Мы сообщаем о разработке высокочувствительной методики для регистрации спектров неупругого электронного рассеяния света в ближней ИК-области, возбуждаемых высокостабильным одномодовым лазером непрерывного действия на алюмоиттриевом гранате, легированном неодимом, с длиной волны 1064.4 nm. Использование такой методики позволило впервые зарегистрировать квазиупругое рассеяние света фотовозбужденной электрон-дырочной плазмой, индуцированной в слое GaAs в присутствии самоорганизованного ансамбля квантовых точек InAs. Обнаружено значительное резонансное усиление интенсивности квазиупругого электронного рассеяния превышающее установленные значения для объемного материала, на два порядка величины. Выявлен основной механизм рассеяния, обусловленный совместной диффузией электронов и дырок.

Изучено температурное поведение высокочастотной проводимости поверхностных электронных каналов в диодах Шоттки на основе высокоомного p-Si, содержащего приповерхностные окислительные дефекты упаковки. Показано, что обратимые температурные изменения поверхностного изгиба зон и работы выхода Si в области температур 80/300 K имеют ступенчатый характер. Сделан вывод о том, что при охлаждении от 180 до 80 K поверхностная концентрация свободных электронов растет при характерных для упорядочения диполей воды температурах. Эти эффекты связываются со структурированием адсорбированной на границе Si--SiO2 воды и с упорядоченной ориентацией диполей воды на поверхности при вымораживании их вращательной подвижности.

Комплексное исследование спектров катодолюминесценции, микроструктуры и микросостава, удельного сопротивления и присутствия кислорода позволило выявить зависимость электрических свойств и степени совершенства кристаллической решетки Cd1-xZnxTe от формы присутствия кислорода и типа собственных точечных дефектов. Обнаружено, что в зависимости от соотношения концентраций [Cd]m/[Zn] в кристаллах изменяется тип точечных дефектов и форма присутствия основной фоновой примеси--- кислорода. Определен оптимальный состав твердого раствора для создания датчиков ионизирующего излучения, при котором кристалл наиболее высокоомен: Cd0.77Zn0.23Te.