Найдено научных статей и публикаций: 101
21.
О новом механизме экситон-биэкситонной перестройки спектров полупроводника в присутствии поляритонной волны накачки
Иванов А.Л., Панащенко В.В.. О новом механизме экситон-биэкситонной перестройки спектров полупроводника в присутствии поляритонной волны накачки // Письма в ЖЭТФ, том 49, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru
22.
Генерация нейтронов при механическом взаимодействии на титан в присутствии дейтерированных веществ
Липсон А.Г., Саков Д.М., Клюев В.А., Дерягин Б.В., Топоров Ю.П.. Генерация нейтронов при механическом взаимодействии на титан в присутствии дейтерированных веществ // Письма в ЖЭТФ, том 49, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
23.
Динамика перемагничивания цилиндра в присутствии переменного магнитного поля
Хапиков А.Ф.. Динамика перемагничивания цилиндра в присутствии переменного магнитного поля // Письма в ЖЭТФ, том 55, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
24.
Формирование наноразмерных структур на пленке alpha-С:Н в присутствии адсорбата
Лускинович П.Н., Фролов В.Д., Шавыкин А.Е., Хаврюченко В.Д., Шека Е.Ф., Никитина Е.А.. Формирование наноразмерных структур на пленке alpha-С:Н в присутствии адсорбата // Письма в ЖЭТФ, том 62, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
25.
Квазиупругое рассеяние света фотовозбужденной электрон-дырочной плазмой, индуцированной в слое GaAs в присутствии квантовых точек InAs
Байрамов Б.Х., Войтенко В.А., Захарченя Б.П., Топоров В.В., Хенини М., Кент А.Дж.. Квазиупругое рассеяние света фотовозбужденной электрон-дырочной плазмой, индуцированной в слое GaAs в присутствии квантовых точек InAs // Письма в ЖЭТФ, том 67, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
26.
О механизме переноса никеля вдоль поверхности Si(111) в присутствии адсорбированных атомов кобальта
Долбак А.Е., Ольшанецкий Б.З., Тийс С.А.. О механизме переноса никеля вдоль поверхности Si(111) в присутствии адсорбированных атомов кобальта // Письма в ЖЭТФ, том 69, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
27.
Когерентное комбинационное рассеяние света в присутствии постоянного электрического поля в молекулярном водороде
Акимов Д.А., Желтиков А.М., Коротеев Н.И., Наумов А.Н., Очкин В.Н., Сердюченко А.Ю., Сидоров-Бирюков Д.А., Цхай С.Н., Федотов А.Б.. Когерентное комбинационное рассеяние света в присутствии постоянного электрического поля в молекулярном водороде // Письма в ЖЭТФ, том 70, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
28.
Динамика электронных уровней в присутствии примеси и модельруйзенарса--шнайдера
Показано, что уравнения динамики уровней энергии конечной системы при добавлении примесей эквивалентны рациональной системе Руйзенарса--Шнайдера. Вычислено действие, которое одновременно является производящей функцией канонического преобразования Бэклунда для этой системы. Обсуждаются различные варианты статистического усреднения распределения уровней энергии.
29.
Российское и английское военное присутствие в персии в годы первой мировой войны
The article is devoted to the questions of the Russian-British military and political cooperation on the Middle East in the period 1914-1917. This region which was the most difficult question in the policy of England and Russia in the end of XIX beginning of XX century, became at the end the only war theatre where the strategically cooperation of the both allies came to the positive results. Germanturkish forces where destroyed and Persia didn't enter the WW I
30.
Дефектообразование в фосфиде галлия, выращенном в присутствии кислорода
Методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней изучено влияние введения кислорода в газовую фазу на образование дефектов в эпитаксимальных слоях GaP. Обсуждены экстремальные зависимости концентрации носителей заряда и ловушки для электронов с энергией Ec-0.24 эВ от потока кислорода.