На монокристаллах тройных соединений CuIn5S8, AgIn5S8 и их твердых растворов исследованы электрические свойства, спектры фотолюминисценции. Определены: тип проводимости, подвижность, концентрации носителей заряда и энергии излучательных переходов в этих материалах. На основе монокристаллов изготовлены поверхностно-барьерные структуры и измерена вольтовая фоточувствительность.

Предлагается теоретическая модель для описания эволюции Pb-центров на границе раздела Si/SiO2 при отжиге в вакууме. Модель принимает во внимание реакции, происходящие с центрами на границе раздела, диффузию атомарного и молекулярного водорода. Выполнен расчет констант реакций в диффузионном приближении. Результаты расчетов находятся в согласии с экспериментом в диапазоне температур (480o-800oC) и толщин окислов (200-1024 Angstrem) для граней кремния (111) и (100).

Приведены результаты исследований фотомеханического эффекта, проведенных на монокристаллическомSi единой методикой. Исследовались зависимости фотомеханического эффекта от спектрального состава и интенсивности света, остаточный фотомеханический эффект (сохранение размягчения кристалла в течение некоторого времени), влияние освещения на анизотропию микротвердости и температурная зависимость фотомеханического эффекта. Наоснове проведенных исследований и анализа литературных данных установлена корреляция между величинами фотомеханического эффекта и соответствующей концентрации возбужденных светом неравновесных носителей (такназываемых антисвязывающих квазичастиц), на основе которой предложен механизм, согласно которому уменьшение микротвердости в результате освещения в ковалентных кристаллах вызвано в основном ослаблением и изотропизацией химических связей антисвязывающими квазичастицами, образованными светом.

Представлена методика получения стекол Si20Te80 различного структурного совершенства. Получены данные об основных параметрах материала: показателе преломления, коэффициенте оптического поглощения, плотности, теплопроводности и теплоемкости. В широком интервале температур и частот исследованы электрические, акустические и акустооптические свойства, а также дисперсия оптического поглощения полученных сплавов. Проведен сравнительный анализ свойств термообработанных образцов с различными режимами закалки. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемых явлений. Показано, что синтезированный сплав является веcьма перспективным для изготовления высокоэффективных акустооптических устройств широкого применения. Разработан и испытан высокоэффективный акустооптический модулятор, работающий в широком диапазоне длин волн lambda=1.87-10.6 мкм.

Исследовались электрические, оптические и газочувствительные свойства, а также структура и фазовый состав тонких магнетронных пленок SnO2 на подложках из стекла. Четырехзондовым методом и методом Ван-дер-Пау определено электросопротивление, концентрация и подвижность свободных носителей заряда в пленках. Из спектров собственного оптического поглощения оценена ширина запрещенной зоны и характер оптических переходов в поликристаллах. Измерена газовая чувствительность к токсичным и взрывоопасным газам. С помощью peнтгеновской дифракции и электронной микроскопии определены состав, морфология и кристаллическая структура термообработанных при 600oC пленок. В пленках только тетрагональная фаза SnO2, они хорошо кристаллизованы, средний размер зерна после термообработки составляет 11--19 нм. Рассмотрена модель электропроводности поликристаллических пленокSnO2.

На основе анализа характера изменения электронной структуры и химической связи регулярного кристалла при легировании, а также при изменении зарядового состояния дефекта предложена общая картина перестройки метастабильных центров, донорных и акцепторных, в различных полупроводниках: "классических" полупроводниковых соединенияхIII--V и II--VI, преимущественно ионном кристалле CdF2 и узкозонных соединенияхIV--VI; выявлены причины, приводящие к реконструкции центра, установлены общие тенденции и специфика их проявлений для отдельных классов кристаллов и типов примесных центров.

Описан газофазный метод получения высокоомных монокристаллов CdTe : Cl. Приведены результаты исследования фотолюминесценции этих кристаллов в зависимости от содержания легирующей примеси в исходном материале. Путем измерения электрических и фотоэлектрических характеристик выявлено положение энергетического уровня, который определяет электропроводность полученных монокристаллов.

Предложен и экспериментально продемонстрирован новый спектрально-корреляционный метод исследования полупроводниковых структур, предполагающий использование планарно-неоднородных слоев. Посредством фотолюминесцентной спектроскопии при77 K исследован образец, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержащий AlxGa1-xAs-GaAs и GaAs-InyGa1-yAs квантовые ямы и модуляционно-легированный AlxGa1-xAs-GaAs гетеропереход. Полученные зависимости спектров фотолюминесценции от параметров неоднородности позволили характеризовать процессы перераспределения носителей в структуре и обнаружить ряд особенностей фотолюминесценции узких GaAs-квантовых ям. Экспериментальные значения энергии оптических переходов согласуются с теоретическими оценками во всем диапазоне вариации параметров, определяемом неоднородностью, и могут служить основой для оценки параметров полупроводниковой структуры. Исследование показало высокую информативность примененного подхода благодаря возможности прецизионной вариации технологически формируемых параметров структуры в пределах одного образца.

Продемонстрировано существование нового механизма формирования критического заряда включенияQcr в тиристорных структурах. Построена новая аналитическая модель, позволившая получить соотношения, определяющие величину критического заряда в современных тиристорных структурах как на основе Si, так и на основе нового материала SiC. Справедливость предложенной аналитической модели критического заряда подтверждена с помощью численного эксперимента.

Методом Бриджмена получены монокристаллы теллурида кадмия, легированные ванадием и германием, с концентрацией примесей в расплаве NV=1· 1019 см-3, NGe=5· 1018; 1· 1019 см-3. Исследованы электрические и гальваномагнитные характеристики в интервале температур 300-400 K. Установлено, что равновесные характеристики определяются глубокими уровнями (Delta E=0.75-0.95 эВ), которые находятся почти посредине запрещенной зоны. Низкотемпературные спектры оптического поглощения свидетельствуют о том, что в области малых энергий примесные уровни ионов ванадия и германия находятся в различных зарядовых состояниях. Отжиг образцов в парах кадмия с последующим резким охлаждением приводит к распаду различных комплексов, образованных в процессе роста кристалла, увеличению электропроводности и концентрации носителей заряда.