Обнаруженные особенности оптоэлектронных свойств подложек теллурида кадмия с модифицированным слоем и поверхностно-барьерных диодов на их основе объясняются квантово-размерными эффектами в нанокристаллической структуре этого слоя. Образование модифицированного слоя подтверждается результатами исследования поверхности методами атомно-силовой микроскопии и связывается с процессами самоорганизации, доминирующими при определенных условиях отжига.

В образцах кристаллического кремния, анизотропия проводимости в которых создана одноосной деформацией сжатия, исследован плеохроизм вентильной фотоэдс. Использована поляризационная модуляция излучения, при которой возбуждение образца происходит линейно поляризованным светом с периодически изменяющимися относительно оптической оси поляризациями. Полученные таким образом спектральные характеристики представляют зависящую от коэффициента поглощения света поляризационную разность величин фотоэдс. Обнаружена сильная зависимость формы полученных спектров от типа p-n-переходов, отличающихся параметрами базы и технологическими способами получения эмиттеров. При анализе спектров показано, что условие физического дифференцирования по коэффициенту поглощения выполняется только в p-n-переходах с пренебрежимо малым значением толщины пространственного заряда.

Приведены результаты исследований электрофизических свойств тонких пленок SnO2, полученных методом реактивного магнетронного напыления. Исследована кристаллизация пленок под действием интенсивного некогерентного импульсного светового излучения с помощью промышленной установки УОЛ.П-1. Показано, что кратковременный импульсный отжиг в течение долей секунды приводит к кристаллизации пленки и высоким значениям ее газовой чувствительности. Установлено, что характер взаимодействия с газами поликристаллической пленки, обработанной изотермически, аналогичен особенностям взаимодействия газов с пленками, кристаллизованными импульсным отжигом. PACS: 81.40.Tv, 81.40.Wx, 61.80.Ba

Методом молекулярной динамики изучено изменение физических свойств стеклообразных и аморфных наночастиц кремния, содержащих300, 400 и500атомов, при их нагревании от300 до1700 K. Рассчитаны энергия и средняя длина связи Si--Si, определено среднее число связей, приходящихся на один атом. Температурные напряжения приводят к изменению распределения избыточной потенциальной энергии по концентрическим слоям наночастиц. Энергетически наиболее выгодным оказывается средний сферический слой \glqq теплой\grqq наночастицы. Рассмотрено поведение радиальной и тангенциальной компонент коэффициента подвижности атомов в концентрических слоях с изменением температуры. Установлено наличие жидкого слоя на поверхности наночастиц в окрестности перехода к плавлению. Застеклованные наночастицы Sin имеют более высокую кинетическую устойчивость, чем соответствующие им по размеру аморфные частицы. PACS:61.46.Bc

Литновский А.м., Антонов Н.в., Петров В.б., Хрипунов Б.и., Шапкин В.в., Шолин Г.в. Исследования взаимодействия стационарного плазменного потока с наускаемым газом // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 78-82

Резников М.а. Измерение спектра мюонов космических лучей с помощью большого жидкоаргонового спектрометра Барс // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 12-15

Алферов П.в. Применение Мессбауэровской спектроскопии для изучения фазового состава берилия с малым содержанием железа // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 17-19

Некрасов В.и., Быков Д.в. Определение функции источника инжекции криптона-85 по результатам экспериментальных измерений его содержания в атмосфере // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 20-23

Бычков А.м., Семенихин И.а., Опенов Л.а. Теоретические основы сверхбыстродействующих электронных устройств нового поколения // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 23-26

Грибунин А.в. Методика и схемотехника двухуровневой временной привязки к сигналам детекторов ионизирующих излучений // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 88-95