С применением методик комбинационного рассеяния света установлено, что впленках аморфного кремния при наносекундных воздействиях ультрафиолетового лазерного излучения сплотностями энергии от 75 до 150 мДж/см2 образуются нанокристаллы кремния сразмерами от 2 нм и свыделенной ориентацией (110) по нормали кпленке. Всистеме взаимно ориентированных нанокристаллов Si экспериментально обнаружена анизотропная зависимость интенсивности комбинационного рассеяния света вразличных поляризационных геометриях, что позволило определить объемную долю ориентированных нанокристаллов. Эффект ориентации предположительно обусловлен влиянием как макроскопических полей упругих напряжений впленке, так и локальных полей упругих напряжений вокруг нанокристаллов.

Исследовано воздействие оптического излучения на внутреннее трение, связанное с электронно-механической релаксацией на глубоких уровнях в пьезополупроводниках. Установлено, что поведение внутреннего трения сильно зависит от интенсивности, длины волны излучения и температуры образца. На спектральной зависимости внутреннего трения имеется аномальный пик в области фундаментального поглощения, который ассоциируется с вытеснением области оптического поглощения к облучаемой поверхности. Обнаружен эффект медленной релаксации внутреннего трения после выключения света. Предложена модель, связывающая медленную релаксацию с термическим опустошением центров прилипания.

Проведены измерения изменений спектров флуоресценции адсорбированных на поверхности германия молекул красителя (родаминаB), атакже изменений параметров комбинационного и диффузного рассеяния света при упругом и упруго-пластическом действии на полупроводник импульсного лазерного луча. Амплитуда пороговых деформаций~ 5· 10-5 оценена из бесконтактных фотоакустических измерений поверхностных деформаций при помощи спектроскопии отклонения лазерных лучей. Вобласти плотности энергий, соответствующих переходу к неупругим деформациям, наблюдалось значительное тушение флуоресценции адсорбированных молекул--- зондов, резкое уширение молекулярных спектров свечения, а также надпороговый рост интенсивности диффузно рассеянного света. Сростом деформаций полупроводника, инициированных импульсным лазерным лучом, уменьшались частотный сдвиг и ширина линий комбинационного рассеяния света, а также росла их интенсивность. Обсуждается природа эффектов.

Изучалась динамика отражения зондирующего пучка с длиной волны lambda=0.63 мкм от кремния, аморфизованного ионной имплантацией, (a-Si) при инициировании в нем процессов плавления и отвердевания воздействием эксимерного ArF-лазера. Установлено, что однократное плавление a-Si при энергиях ниже эпитаксиального порога не приводит к формированию поликристалла, но инициирует образование в аморфной матрице удаленных друг от друга нанокристаллов. Их присутствие обусловливает формирование поликристаллической структуры из расплава под действием второго лазерного импульса и возможность промежуточной кристаллизацииSi в лазерно-индуцированной последовательности фазовых переходов. Проведено сравнение полученных данных с результатами изучения в аналогичных экспериментальных условиях фазовых превращений, инициируемых в тонких слоях гидрогенизированного a-Si на стеклянных подложках.

Исследованы механизм дефектообразования втонких пленках PbTe на подложке BaF2 под действием обработки ударной волной икинетика отжига при комнатной температуре возникающих при этом неравновесных дефектов кристаллической решетки. Оценена относительная роль реакций отжига 1-го и2-го порядков впроцессе установления равновесного состояния дефектов. Проанализированы вклады аннигиляциии пар Френкеля вобеих подрешетках кристаллической матрицы, атакже выхода межузельных атомов на стоки впроцесс изменения суммарной концентрации неравновесных дефектов на различных этапах их отжига.

Проведен анализ особенностей кристаллической структуры слоистых кристаллов GaSe различных политипных модификаций. Рассмотрена возможность идентификации фазовых переходов, происходящих при изменении температуры, давления и состава, методом резонансного комбинационного рассеяния света. Исследовано влияние высокотемпературного отжига и импульсного лазерного облучения на спектры комбинационного рассеяния света. Обнаружено образование областей с другим политипным составом и областей с остаточным напряжением после импульсного лазерного облучения.

Исследовано образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe взависимости от плотности мощности лазерного излучения при однократном облучении. Установлены оптимальные режимы лазерного облучения кристаллов, при которых образуется однородная структура с периодом100 нм и с латеральными размерами ~(19-20) нм и средней высотой ~(3.40-9.38) нм. Обнаружено, что периодичность проявляется строго в одном из кристаллографических направлений.

При помощи метода релаксации неравновесной емкости структуры металл--окисел--полупроводник изучено влияние ультразвукового воздействия на генерационные параметры границы раздела Si-SiO2, облученной gamma-квантами. Обнаружено уменьшение генерационного времени жизни под влиянием ультразвуковой обработки. Показано, что в облученных и необлученных структурах изменение генерационных параметров под влиянием ультразвука носит существенно различный характер. PACS: 73.40.Qv, 73.20.Hb, 61.80.Ed, 73.50.Gr

Изучались особенности работы детекторов, подвергнутых облучению протонами с энергией8 МэВ и дозой 3· 1014 см-2. Детекторы были выполнены на базе современных CVD-пленок 4H-SiC n-типа проводимости, имеющих концентрацию нескомпенсированных доноров ~ 2· 1014 см-3 при толщине55 мкм. Высокая концентрация первично введенных дефектов (~ 2· 1017 см-3) обусловила глубокую компенсацию проводимости пленки. Обнаружена нестабильность во времени основных характеристик детекторов--- амплитуды импульса и разрешающей способности. Эффект связан с долговременным захватом неравновесных носителей на радиационные центры и, как следствие, возникновением в объеме детектора эдс поляризации. Проанализирована кинетика установления стационарных значений указанных выше величин. PACS: 61.80.-x, 61.82.Fk, 61.82.-d, 72.20.Jv

Проведено экспериментальное исследование кинетики низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Обнаружено, что приложение электрического поля приводит к ускорению кинетики фотолюминесценции свободных и локализованных экситонов и фононных повторений, не зависящему от длительности импульса прикладываемого электрического поля. Анализ экспериментальных зависимостей показал, что ускорение кинетики фотолюминесценции связано с транспортом экситонов к центрам безызлучательной рекомбинации, инициированным взаимодействием экситонов с горячими свободными носителями заряда, выброшенными с локализованных состояний. PACS: 61.82.Fk, 68.65.Cd, 73.50.Gr