В рамках трех механизмов (уровней прилипания, рекомбинации через уровни с большой релаксацией, разделения носителей пространственными неоднородностями) обсуждается наблюдаемая долговременная релаксация кинетики фототока в компенсированных образцах Si<B,S> иSi<B,Rh>. Показано, что радиационное воздействие (gamma-квантами 60Co при различных температурах) в ряде случаев позволяет дифференцировать реализуемость указанных механизмов.

Исследовано изменение интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) и спектров поглощения в ИК области образцов пористого кремния (ПК) при термических отжигах и химических обработках. Обнаружено, что обработка ПК в HCl + Zn приводит к увеличению интенсивности ФЛ более чем в 2раза и влияет на характер уменьшения интенсивности при отжигах. При сопоставлении наблюдавшихся изменений с ИК спектрами высказано предположение о ключевой роли связей Si--Hx в эффективной ФЛ вПК.

Получены и анализируются данные по фазовым переходам из упорядоченного в неупорядоченное состояние, происходящим за времена порядка микросекунд в микронных объемах халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-As-Te. Обсуждается связь структурных превращений, наблюдаемых при импульсном воздействии лазерного излучения, с обратимым фазовым переходом "полупроводник--металл", происходящим в сильном электрическом поле. Показано, что обратимый фазовый переход по проводимости может многократно происходить при температурах ~ 500/ 600 K, определенных ранее. Выявлено, что решающую роль в обратимых структурных превращениях играет существование при временах воздействия меньше микросекунд широкого диапазона мощностей лазерного излучения, в котором возможен многократный переход из кристаллического состояния в стеклообразное без разрушения материала. Показано, что наличие такого диапазона мощностей связано с явлением перегрева.

Показана прямая связь изменений статических приборных характеристик барьеров Шоттки Au-GaAs с изменениями свойств поверхности при обработке структур n-n+-GaAs в атомарном водороде, заключающимися в изменении скорости травления поверхности n-GaAs в растворе диметилформамид : моноэтаноламин = 1 : 3, уменьшении скорости электрохимического осаждения и изменении структуры осаждаемого Au-слоя, а также в пассивации выходящих на поверхность линейных дефектов. Наблюдается практически полное отсутствие фигур травления на поверхности эпитаксиального слоя n-GaAs (100) при обработке в атомарном водороде незащищенной поверхности при температуре 100oC. Для защищенной пленкой SiO2 толщиной 50 Angstrem поверхности уменьшение скорости травления материала n-GaAs и значительное уменьшение количества фигур травления, уменьшение толщины осаждаемого слоя Au, изменение его структуры наблюдаются практически во всем температурном интервале обработок в атомарном водороде (100/ 400oC).

Исследованы свойства атомов золота в кремнии и изменение их уровней под всесторонним гидростатическим давлением. Проведенные исследования показывают, что под воздействием давления(P)итемпературы(T) ширина запрещенной зоны кремния изменяется со скоростью d E/d P= -1.5· 10-11эВ/Па\quadи\quad d E/d T=-3.2· 10-6 эВ/К.

Показано, что скоррелированное действие аддитивных и мультипликативных шумов в экситонной бистабильной системе приводит к исчезновению слабо поглощающего состояния. Таким образом, поведение системы из обратимого становится необратимым. Сильно поглощающее состояние бистабильной системы сдвигается в сторону больших концентраций экситонов.

Исследованы возбуждаемые терагерцовым лазерным излучением нелинейные колебания поля и тока в полупроводниковых сверхрешетках с учетом многочастотности самосогласованного внутреннего поля. Осцилляторный характер нелинейных восприимчивостей, диссипативные и параметрические неустойчивости в сверхрешетках приводят к неоднозначным и гистерезисным зависимостям спектров этих колебаний от амплитуды и частоты внешнего поля. Основные пути формирования особенностей спектров--- спонтанная генерация статического поля и параметрическое усиление гармоник и субгармоник внешнего поля. Показано, что часто используемое приближение одночастотного внутреннего поля является неудовлетворительным, особенно для сверхрешеток с выскокой концентрацией электронов.

Исследовано влияние нелинейной электромагнитной волны на проводимость сверхрешетки в постоянном электрическом поле. Получена вольт-амперная характеристика, обладающая ярко выраженными нелинейными свойствами. Показано, что при определенных параметрах нелинейной волны на вольт-амперной характеристике появляется участок абсолютной отрицательной проводимости. Указано на отличие данной ситуации от случая монохроматической волны, когда участков абсолютной отрицательной проводимости целое множество. При типичных значениях параметров сверхрешетки участок абсолютной отрицательной проводимости должен проявиться при напряженности поля нелинейной волны E0~ 1.8· 103 В/см.

Проведены исследования влияния вакуумных отжигов, имплантации ионовSi+ и облучения светом на фотоэлектрические параметры пленок a-Si : H. Показана решающая роль исходных характеристик пленок для эффекта кристаллизации, а также для проявления эффекта Стаблера--Вронского.

Теоретически исследуются нелинейные и динамические свойства фототока вполикристаллическом кремнии (поликремнии). Вычисляется адмиттанс фотовозбужденного поликремния (фотоадмиттанс) как функция частоты, приложенного постоянного смещения и уровня фотовозбуждения. Рассматривается приложение теории к спектроскопии межзеренных пограничных состояний. Показана возможность определения плотности рекомбинационного тока на границах зерен из измерений нелинейного фототока ифотоадмиттанса.