Выполнен анализ полевой зависимости намагниченности биотита в исходном состоянии, после термической обработки при температуре 1000oC в течение 15 min и после облучения нейтронами энергией 14 MeV дозой 1.2· 1013 1/cm2 и протонами энергией 3 MeV дозой 2.2· 1014 1/cm2. Показано, что сильное увеличение намагниченности биотита после воздействия нейтронов и протонов можно отнести за счет образования в радиационных тепловых пиках расплава окислов и "замораживания" в них высокотемпературных фазовых состояний, соответствующих магнетиту или твердому раствору магнетита и гематита.

Изучено амплитудно-независимое дислокационное поглощение (внутреннее трение) при совместном действии на дислокацию случайной и постоянной внешних сил. Рассмотрены случайные воздействия разного типа, учтены инерционные свойства дислокации и влияние внутреннего (параболического) потенциального рельефа кристалла. Получены зависимости внутреннего трения от степени коррелированности случайного воздействия, параметров дислокации и среды.

Показано, что длительное воздействие постоянного магнитного поля значительно увеличивает скорость ползучести при сжатии образцов из полиметилметакрилата, облученного gamma-излучением дозами до 100 kGy. При более высоких дозах облучения влияние магнитного поля на скорость деформации незначительно.

Вперые обнаружено влияние слабых (=<0.02 T) импульсных магнитных полей на сегнетоэлектрические и диэлектрические характеристики номинально чистых кристаллов триглицинсульфата. После кратковременного (секунды) импульсного магнитного воздействия наблюдались долговременные (сотни часов) изменения коэрцитивного поля, температурных зависимостей диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и времени релаксации диэлектрической проницаемости вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода. Предполагается, что обнаруженные эффекты обусловлены откреплением доменных стенок и дислокаций от стопоров с последующим формированием новых дефектной и доменной структур.

Впервые обнаружен эффект селективного воздействия постоянного магнитного поля на характеристики номинально чистых кристаллов триглицинсульфата. В результате непродолжительного (минуты) воздействия слабого магнитного поля B0=0.08± 0.01 T наблюдались долговременные (сотни часов) изменения спонтанной поляризации, коэрцитивного поля, температуры Кюри и диэлектрической проницаемости кристалла в точке Кюри. Селективный характер эффекта предположительно связан с участием протонов водородных связей в спин-зависимых процессах трансформации дефектных комплексов реального кристалла.

Обнаружен эффект понижения динамического предела текучести в кристаллах NaCl в условиях нагружения механическим импульсом субмикросекундной длительности посредством электронного пучка, которому предшествовал импульс вихревого электромагнитного поля с задержкой во времени 10-6 s. С увеличением интенсивности воздействия эффект проявляется сильнее.

Приведены результаты исследований влияния gamma-облучения на электрофизические характеристики МДП структур с окислами редкоземельных элементов Y2O3, Dy2O3, Tb2O3, Gd2O3, Lu2O3. Рассмотрены статические характеристики (вольт-амперные, вольт-фарадные) и динамические (переходные характеристики, диаграммы колебательных режимов) структур до и после облучения дозой D=104/ 106 рад. Обнаружено, что доза облучения D=106 рад не приводит к существенной деградации характеристик структур. Наблюдаемые радиационные изменения исследуемых образцов не противоречат данным, известным для МДП структур с SiO2 в качестве диэлектрика.

Вычисляются электрическое сопротивление и эффективная подвижность носителей в поликристаллическом кремнии как функции температуры и уровня фотовозбуждения. Теоретические выводы согласуются с известными экспериментальными данными.

Исследованы процессы инверсии типа проводимости в эпитаксиальных пленках Pb1-xSnxTe при воздействии непрерывного излучения CO2-лазера (lambda=10.6 мкм) допороговой мощности. Предполагается, что стабильное инверсионное состояние возникает вследствие образования нейтральных бивакансий металла и халькогена.

Исследовано влияние низкоэнергетичной плазмы (CF4, Ar, Kr) на фотолюминесценцию структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. Установлено, что обработка в плазме приводит к гашению фотолюминесценции квантовых ям, расположенных в приповерхностной области структуры, и глубина этой области увеличивается с увеличением времени экспозиции в плазме. За пределами этой области после обработки структур в плазме интенсивность фотолюминесценции квантовых ям возрастает. Мы связываем изменения интенсивности фотолюминесценции с влиянием индуцированных плазмой неравновесных точечных дефектов, аномально быстро диффундирующих в глубь структуры.