Изучены закономерности промежуточного воздействия всестороннего сжатия на разных стадиях испытания меди в области высокотемпературной ползучести. Испытания, проведенные при постоянной величине растягивающего напряжения 12.5 MPa при 773 K, показали, что наложение давления на третьей стадии ползучести ведет к уменьшению скорости стационарной ползучести и росту времени до разрушения; на стационарной стадии ползучести воздействие давления не сказывается. Выявлено, что при давлении до 1 GPa данный эффект связан только с залечиванием зернограничной пористости. При больших давлениях, помимо залечивания пор, вклад в изменение скорости стационарной ползучести связан со структурными изменениями. PACS: 62.20.Hg

Построена дефектно-деформационная теория иерархии образования нанометровых кластеров и периодических структур точечных дефектов, индуцированных действием энергетического пучка. Проведено сравнение полученных теоретических результатов с экспериментальными результатами по образованию нанометровых решеток пор в металлах под действием пучков частиц и лазерно-индуцированной структурной модификации поверхности полупроводников. Получено хорошее соответствие теории и эксперимента.

Метод обратного отражения рентгеновской дифракционной топографии использовался для изучения изменений реальной структуры поверхностного слоя монокристаллов CdTe в результате воздействия импульсного излучения рубинового и неодимового лазеров. Обнаружено, что структурные изменения зависят главным образом, от мощности излучения, от присутствия легирующей примеси, а также от ориентации и формы поверхности образца. Обсуждаются три ярко выраженных эффекта: интегральное улучшение реальной структуры поверхностного слоя, периодический рельеф поверхности кристаллов и ячеистая двойниковая структура.

Исследовались спектры экситонной люминесценции в двойных квантовых ямах GaAs в электрическом и магнитном полях. Обнаружено, что линия непрямого экситона (IX) ведет себя аномальным образом: наблюдается индуцированный магнитным полем сдвиг IX в сторону низких энергий и возникновение периодических во времени (~5s) флуктуаций интенсивности линии IX.

Люминесцентный метод используется впервые для детектирования неравновесных фононов в квантовых ямах CdTe с барьерами Cd0.6Mn0.4Te. Метод основан на гигантском зеемановском расщеплении экситонных состояний в квантовых ямах CdTe / (Cd,Mn)Te и является перспективным для использования в качестве чувствительного субтерагерцевого фононного спектрометра. Метод может быть также использован для выявления механизмов спин-фононного взаимодействия в разбавленных магнитных полупроводниках.

Представлены результаты исследования нетеплового свечения поверхности вольфрама, инициируемого термодеформациями, возникающими при воздействии лазерных импульсов. Исследовался спектральный состав и временная зависимость отдельных спектральных компонент свечения. Обнаружены осцилляции интенсивности свечения, которые интерпретируются определенной последовательностью выхода дислокаций на поверхность.

Изучено влияние импульсного электромагнитного поля на подвижность краевых дислокаций в кристаллах NaCl при механическом нагружении посредством электронного пучка. Показано, что учет этого влияния снимает расхождение в определении коэффициента динамического торможения дислокаций двумя методами: посредством электронного пучка и механического ударного нагружения.

Изучена трансформация спектров фотолюминесценции (ФЛ) пористого кремния (ПК) при его старении, в том числе на ранних стадиях контакта с воздухом. В процессе изготовления образца этот контакт минимизировался, измерения спектров проводились в высоком вакууме или в жидком азоте. В спектрах ФЛ, полученных в условиях непрерывной регистрации для ПК в высоком вакууме, всегда доминирует одна полоса излучения наноэлементов ПК, которая по мере старения образца сдвигается в коротковолновую область на 150 nm. При 80 K интенсивность полосы значительно больше, чем при 300 K, и в процессе старения эта разница возрастает. Экспозиция образца на воздухе в течение десятков секунд достаточна для сильной трансформации его спектров ФЛ, зарегистрированных с временным разрешением, как результата изменения поверхности образцов. Влияние на ФЛ ПК погружения образцов в жидкий азот связано не только с их охлаждением, но и с полем адсорбированных молекул азота, влияние которого ослабляется по мере утолщения оксидированного приповерхностного слоя. Спектрально-кинетические свойства длинноволновой полосы ФЛ ПК при изменении температуры, среды (жидкий азот или вакуум) и времени экспозиции на воздухе свидетельствуют о влиянии этих факторов на миграцию носителей между кремниевыми наноэлементами. Работа выполнена в рамках программы сотрудничества Санкт-Петербургского госуниверситета и университета г. Турку и поддержана грантом МОПО N 97-0-7.2.65.

Обнаружено, что двойникование в кристаллах висмута, возникающее при воздействии сосредоточенной нагрузки, частично подавляется приложением постоянного магнитного поля. Исследованы основные закономерности влияния однородного магнитного поля постоянной величины на двойникование монокристаллов висмута при длительном воздействии сосредоточенной нагрузки. Получено, что в присутствии магнитного поля длина и число клиновидных двойников, заклинившихся у отпечатка индентора, уменьшаются. Это свидетельствует о снижении подвижности частичных двойникующих дислокаций и интенсивности процесса зарождения клиновидных двойниковых прослоек в постоянном магнитном поле. В то же время приложение магнитного поля увеличивает толщину двойников у устья. Установлено, что анизотропия магнитопластического эффекта в случае двойникования отсутствует. Настоящая работа была выполнена при поддержке Белорусского фонда фундаментальных исследований (грант N T97M-170).

Исследованы стационарные температурные поля, возникающие при взаимодействии электронного зонда с образцом GaN. Для расчета плотности генерации тепла проведено моделирование процесса потери энергии электронами по методу Монте-Карло. Предложена аппроксимация формы области генерации тепла полуэллипсоидом. Для случая равномерной генерации тепла в объеме эллипсоида получено аналитическое решение задачи теплопроводности в элементарных функциях. Показано, что влияние формы области генерации на максимальную температуру перегрева и распределение поля температур мало. Аппроксимация плотности тепловых источников однородным распределением в полусфере с радиусом, равным полному пробегу электронов, приводит к значительной недооценке максимальной температуры перегрева. Предложено выражение для выбора характерного размера области генерации тепла в GaN, обеспечивающее 3% точность определения максимальной температуры перегрева в широком диапазоне энергий электронного пучка. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-18109).