Описана кинетика процесса образования пара углерода в потоке плазмы, генерируемом в высокочастотном индукционном плазмотроне (ВЧ-плазмотроне). Проведен анализ исходной системы уравнений, описывающей процесс сублимации частиц в потоке высокотемпературного газа, выявлены основные безразмерные комплексы, характеризующие поставленную задачу, и возможные диапазоны их изменения. Решение поставленной задачи проводится с использованием метода прямого статистического моделирования Монте-Карло. Численное решение задачи проведено для различных плазмообразующих газов и широкого диапазона условий (давления, скорости и температуры) в плазменном потоке. Результаты расчетов могут быть использованы с целью оптимизации процесса промышленного получения углеродных (возможно, и других) наноструктур в электродуговых или ВЧ-плазмотронах большой мощности. PACS: 52.75.Hn

Исследованы профили редиоактивных трансмутационных изотопов, образованных в результате ядерных реакций при облучении германия протонами и ядрами 4He. Профили использованы для определения энергетической зависимости сечения ядерных реакций, приводящих к образованию трансмутационных изотопов.

Методами измерения задержанных спектров близкраевой фотолюминесценции оценено влияние распределения примеси и суммарной концентрации дефектов на транспорт неравновесных носителей, обнаружены особенности послесвечения в кристаллах GaN, GaN<Eu, Sm, Er>. Показано, что уменьшение суммарной концентрации носителей коррелирует с послесвечением в вюрцитных кристаллах GaN. Оценено влияние дополнительной подсветки при длине волны 5145 Angstrem на эволюцию задержанных спектров близкраевой фотолюминесценции для кристаллов с различным положением уровня Ферми. Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq.

На основании анализа эволюции времяразрешенных спектров фотолюминесценции впервые удалось экспериментально наблюдать коррелированное влияние встроенных электрических полей и долгоживущих локализованных состояний на формирование излучения в квантовых ямах на основе нитридов III группы. Показано, что исследование времяразрешенных спектров фотолюминесценции позволяет классифицировать светодиодные структуры для их использования в коммерческих целях. Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq.

Теоретически рассмотрены токи в высокоомных полупроводниках, обусловленные выпрямлением волн пространственного заряда. Наибольшее внимание уделено ситуации, когда низка эффективная концентрация ловушек. Показано, что при этом инверсный закон дисперсии волн перезарядки ловушек изменяется на линейный, а дрейфовые волны перестают существовать. В кристаллах с биполярной проводимостью возникают две моды волн перезарядки ловушек с линейным законом дисперсии. Полученные соотношения для постоянного и переменного токов описывают неизвестные ранее зависимости токов от концентрации ловушек, подвижности и времени жизни носителей, волнового числа волн пространственного заряда и величины приложенного электрического поля. Работа была выполнена в рамках программы Президиума РАН П-28. PACS: 72.10.-d, 73.50.-h, 71.45.Lr

Исследовано магнитное упорядочение в слоистых структурах типа Cr/X(1 ML) со встроенными в матрицу хрома моноатомными слоями (ML) ряда немагнитных металлов (X=Sn, V, Ag, Au). Проанализирован механизм индуцирования или модификации волны спиновой плотности (ВСП) в этих системах, связанный с перераспределением зарядовой и спиновой плотностей вблизи интерфейса Cr/X. Подробно рассмотрена полуфеноменологическая модель, позволяющая в рамках функционала Гинзбурга--Ландау качественно описать изменение структуры ВСП в окрестности плоского одиночного немагнитного дефекта. Рассчитана пространственная конфигурация ВСП в сверхрешетке типа [Cr(t)/X(1 ML)] и установлены зависимости параметров ВСП от температуры T, типа металла X и периода сверхрешетки t. Но основе полученных результатов интерпретируются эксперименты по мессбауэровской спектроскопии. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (проект N 04-02-16938). PACS: 75.70.Cn; 75.30.Fv

Рассмотрена задача о нахождении равновесной атомной структуры нагруженного внешней силой нанотрибоконтакта, образованного жестким зондом, имеющим форму параболоида вращения, с мягкой поверхностью, моделируемой совокупностью параллельных атомных плоскостей. Проведены расчеты структурных, энергетических и силовых характеристик, а также диссипативной силы статического адгезионного трения в зависимости от величины нормальной нагрузочной силы и радиуса кривизны зонда для системы алмаз-графит. Использованы несколько аппроксимаций межатомных потенциалов. Показано, что учет деформации контактной зоны приводит к уменьшению сил адгезионного трения в области растягивающих (отрицательных) нагрузок. При положительных нагрузках в диапазоне 0--80 nN характер изменения сил трения (при учете деформации) зависит от радиуса кривизны зонда и типа применяемой аппроксимации потенциала взаимодействия. Зависимость сил трения от радиуса кривизны зонда приблизительно прямо пропорциональная. Проводится сопоставление результатов расчета с имеющимися экспериментальными данными.

Разработан моноимпульсный фотодиссоциативный иодный лазер высокой мощности. Накачка энергии осуществлялась излучением открытого электроразряда (31.3 kJ, 20 kA). Полный выход энергии генерации на длине волны 1316 nm составлял (30± 5) J при длительности импульса ~ 100 mus. С целью усиления пробивного действия на твердые мишени каждый лазерный импульс модулировали на 5--6 узких подимпульсов путем воздействия на активную среду переменным магнитным полем от электроразрядного шнура.

Исследовано влияние давления на ионную проводимость гидратированного цеолита A, содержащего катионы Li, Na и K. Эксперименты при давлении до 4.8 hPa при комнатной температуре показывают увеличение проводимости до максимального значения при давлениях в области 1.7-1.8 hPa для всех трех цеолитов. Дальнейшее сжатие приводит к резкому уменьшению проводимости в диапазоне 2.5-3.5 hPa. Уменьшение проводимости приписано индуцированному давлением переходу в аморфное состояние, как сообщалось ранее на основе ИК спектроскопии. Мы считаем, что начальное увеличение проводимости с давлением до индуцированной давлением аморфизации решетки, является результатом увеличения проводимости по одному или нескольким следующим механизмам: а) катионная проводимость с участием гидроксил-ионов, б) гидроксил/протонная проводимость, в) рост подвижности катиона из-за индуцированного давлением изменения (возможно, увеличения) степени гидратации. При снижении давления проводимость не воспроизводит ход ее изменения при сжатии и для образцов, прошедших циклическую обработку при низком давлении, на 2 порядка величины больше, чем величина проводимости при таком же давлении в ходе сжатия. Сжатие обеспечивает новый путь к оптимизации проводимости в гидратированных A-цеолитах.

Исследовано влияние низкоэнергетической ионной бомбардировки на рост тонких пленок, получаемых плазменным распылением при низких температурах подложки. Получены зависимости толщины, плотности, параметров кристаллической структуры и электропроводности пленок от напряжения смещения на подложке в процессе их роста в условиях высокочастотного (ВЧ) распыления. При смещении от 0 до -30 V пленки никеля Ni формировались поликристаллическими, при более высоком смещении --- с аксиальной текстурой (111). При смещении -60 V получены пленки Ni с плотностью, близкой к плотности массивного образца, и максимальным кристаллическим упорядочением. При дальнейшем увеличении смещения плотность пленок уменьшалась в результате врастания атомов аргона и остаточных газов. Аналогичная зависимость плотности от смещения наблюдалась и для аморфных пленок бинарных сплавов d-f-металлов. Максимальную плотность в этом случае имели пленки, полученные при смещении -40 V.