Методом газофазной эпитаксии из металлоoрганических соединений изготовлены светодиоды на основе двойной гетероструктуры InAs/InAsSbP, работающие в диапазоне длин волн 3.3 mum. Внешний квантовый выход диодов составлял 0.7%. В лазерных диодах получено стимулированное излучение на длине волны 3.04 mum при T=77 K.

Представлена самосогласованная модель роста дендритов и частичных разрядов в твердом диэлектрике при переменном напряжении. Рост дендритов определяется локальной напряженностью электрического поля и разрушением диэлектрика под действием частичных разрядов. Численная реализация модели использована для количественного описания пространственно-временной динамики роста дендритов и характеристик частичных разрядов в эпоксидной смоле при геометрии электродов острие--плоскость. Проведено сравнение результатов моделирования с данными, полученными путем электрических измерений частичных разрядов и оптической регистрации роста дендритов при тех же условиях.

Построена теория дипольно-обменных гибридных электромагнитно-спиновых волн, распространяющихся в произвольно намагниченных пятислойных экранированных слоистых структурах, включающих ферромагнитный слой, отделенный с двух сторон от металлических экранов четырьмя диэлектрическими слоями с различными значениями диэлектрической проницаемости. На основе построенной теории проанализировано влияние металлических экранов на спектр гибридных поверхностных волн в слоистых структурах, состоящих из размещенной на диэлектрической подложке ферромагнитной пленки, контактирующей с сегнетоэлектрической пластиной.

Тонкие пленки полиимида были имплантированы ионами Ar+ и Ar2+ с энергиями 40 и 80 keV соответственно в широком интервале доз 2.5· 1014-1.5· 1017 cm-2 и плотностей ионного тока 1-16 muA/cm2. Изучено влияние режимов ионной имплантации на электрические, парамагнитные и оптические характеристики приповерхностного слоя полимера, модифицированного ионным облучением. Показано, что эффект радиационно-стимулированного термолиза полиимида и особенности его химического строения обусловливают монотонный рост электропроводности облученного слоя с увеличением плотности ионного тока при заданной дозе имплантации. Напротив, при неизменной плотности ионного тока с увеличением дозы имплантации наблюдается скачкообразный характер роста электропроводности, а также снижение концентрации парамагнитных центров и оптического пропускания модифицированного слоя полиимида. Наблюдаемые зависимости электрофизических характеристик полимера от дозы имплантации и плотности тока интерпретируются в рамках модели структурной перестройки карбонизированной фазы полимера, формируемой в условиях ионного облучения.

Представлена стохастически детерминистическая модель развития разряда, вызванного объемным зарядом в диэлектрике. Численная реализация модели использована для количественного описания простарнственно-временных и токовых характеристик разряда в объемно-заряженном диэлектрике. Результаты моделирования сравниваются с данными экспериментального исследования разряда в образцах полиметилметакрилата, заряженных с помощью электронного пучка. Обсуждается взаимосвязь роста проводящих каналов, переноса заряда и энерговыделения в процессе развития разряда.

Данные по спектроскопии кристаллов окиси магния и бария сравнивались с расчетами сужения запрещенной зоны за счет таммовских состояний для грани (100) этих соединений.

Теоретически исследована фотоэмиссия из полупроводника с отрицательным электронным сродством для неравномерного распределения интенсивности света на освещаемой поверхности при стационарном и импульсном возбуждении. Показано, что максимальное значение тока эмиссии экспоненциально возрастает с увеличением отношения отрицательного электронного сродства Delta0 к характерной энергии туннелирования E0, и найдена интенсивность возбуждения Iopt, соответствующая максимальному току. Неравномерность возбуждения приводит к ослаблению зависимости тока эмиссии от интенсивности вблизи его максимального значения. Время восстановления квантовой эффективности, измеряемое при двухимпульсном возбуждении, слабо зависит от интенсивности и неравномерности распределения интенсивности в пятне и близко ко времени релаксации малых фотонапряжений.

Теоретически рассмотрена фокусировка сферической волны в известной схеме Иоганна. Получена аналитическая формула для размера поверхности изогнутого кристалла, дифракционно отражающей излучение в схеме Иоганна. Получена формула распределения интенсивности вблизи фокуса. Проанализирована сферическая аберрация дифрагировавшего пучка. Показано, что аберрация минимизирована при обратном рассеянии. Обсуждены спектральные характеристики спектрометра Иоганна. На основе геометрических представлений рассмотрена фокусировка сферической волны кристалом, изогнутым в форме логарифмической спирали. Показано, что схема Иоганна является частным случаем логарифмической спирали.

Дано теоретическое описание динамической двумерной фокусировки рентгеновской волны при ее лауэ-дифракции на двухкристальной системе изогнутых кристаллов, отражающие плоскости которых перпендикулярны к поверхности кристаллов. Показано, что двумерная фокусировка обладает высокой чувствительностью к радиусу изгиба кристаллов и к разнотолщинности кристаллов. Проанализировано влияние астигматизма на двумерную лауэ-фокусировку. Получено условие стигматической фокусировки. Обсуждены особенности одномерной фокусировки внутри кристаллов. Рассмотрены спектральные характеристики двухкристального двумерно фокусирующего спектрометра.

Численными методами проведен анализ анизотропии усилительных свойств и потерь, ассоциированных с различными компонентами ТМ-волны в структуре длинноволнового лазера с междолинным переносом электронов. Изучено влияние вытекания поля в подложку и интерференции в ней на коэффициент оптического ограничения и поглощение вследствие рассеяния на свободных носителях заряда.