Предложен подход к учету влияния уширения энергетических уровней в полупроводниковом квантовом проводе на интенсивность межподзонного рассеяния электронов при их взаимодействии с полярными оптическими фононами. В качестве механизмов, ответственных за уширение, рассматривались тепловые колебания атомов и шероховатости поверхностей, ограничивающих квантовую систему. Показано, что в этом случае зависимость интенсивности межподзонного рассеяния электронов от их кинетической энергии не содержит особых точек.

На пленках SiC, выращенных на кремниевых подложках, получены люминесцирующие пористые слои. В результате электролитического окисления пористых слоев интенсивность фотолюминесценции весьма существенно увеличивается. Спектр импульсной фотолюминесценции представляет собой ряд перекрывающихся полос в диапазоне от 1.8 до 3.3 эВ. Проведенные исследования исходных пленок SiC показали, что они являются нестехиометричными и сильно разупорядоченными, тем не менее интенсивность фотолюминесценции окисленных пористых слоев оказывается значительно более высокой, чем удается получить при соответствующей обработке кристаллов или кристаллических пленок SiC.

Исследована интегральная фотолюминесценция в пористом кремнии p-типа при интенсивном возбуждении импульсами второй гармоники (lambda=532 нм) лазера на АИГ : Nd3+. Установлено, что в области интенсивностей, соответствующих условиям квазистационарного возбуждения, излучение характеризуется степенной зависимостью Irad~ I2/3. С ростом интенсивности возбуждения квантовый выход beta падает ~ I-1/3. Показано, что основное излучение пористого кремния вызвано бимолекулярным рекомбинационным процессом.

Приведены результаты исследований по влиянию gamma-излучения (60Co) различной интенсивности (Pgamma~ 1.7/7.5 кГр/ч) на фотолюминесценцию (ФЛ) монокристаллов GaAs : Te (n0=1.2/ 2.3·1018 см-3). Наряду с известными примесной (hnumax~1.2 эВ и(или) hnumax~1.35 эВ ) и краевой (hnumax~1.51 эВ) ФЛ в спектре обнаружены новые полосы hnumax~1.3 эВ и hnumax~ 1.48 эВ. Наблюдаемые эффекты объясняются радиационно-стимулированным упорядочением донорной примеси и глубоких примесных центров.

Проанализировано влияние диффузии меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы GaAs на интенсивность собственной люминесценции. Показано, что диффузия меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы GaAs может приводить как к повышению, так и понижению интенсивности собственной люминесценции. Получены аналитические соотношения, связывающие величину и знак эффекта с рекомбинационными параметрами указанных кристаллов, а также с интенсивностью возбуждения люминесценции.

В рамках нелинейной диффузионной модели рассмотрены стационарные характеристики фотокатода и характерные времена переходных процессов при мгновенном включении и выключении освещения в условиях высокой интенсивности возбуждения, с учетом зависимости параметров приповерхностного слоя от фотонапряжения. Для стационарного случая получены аналитические зависимости квантового выхода от фотонапряжения и интенсивности излучения. Найдено критическое значение интенсивности освещения, соответствующей переходу в режим ограничения заряда эмиссии. Показано, что время выхода на стационарный режим зависит от величины установившегося фотонапряжения на барьере и определяется в основном временем установления равновесия между потоками электронов и дырок на поверхностные центры рекомбинации. При больших интенсивностях освещения время установления обратно пропорционально интенсивности освещения, что приводит при интенсивностях, соответствующих полному запиранию катода, к ограничению заряда эмиссии. Время релаксации фотонапряжения может достигать микросекунд. Сравнение результатов расчета зависимости квантового выхода от фотонапряжения с экспериментом позволяет восстановить зависимость туннельной прозрачности активационного слоя от фотонапряжения.

В рамках нелинейной диффузионной модели рассмотрены переходные характеристики фотокатода при мгновенном включении и выключении оптического возбуждения в одноимпульсном и двухимпульсном режимах возбуждения. Определены критические значения интенсивности освещения, соответствующие проявлению эффектов ограничения заряда и прекращению эмиссии фотоэлектронов. Показано, что заряд эмиссии в импульсе является немонотонной функцией интенсивности возбуждения и сильно зависит от величин отрицательного электронного сродства и эффективной прозрачности барьера в активирующем слое. В режиме ограничения заряда время установления фотонапряжения и тока эмиссии при включении возбуждения определяется в основном установлением равновесия между потоками электронов и дырок к поверхности и убывает обратно пропорционально интенсивности освещения. Время восстановления характеристик фотокатода после выключения освещения обратно пропорционально скорости захвата дырок на глубокие нейтральные центры в процессе их туннелирования к поверхности через барьер области объемного заряда и может достигать микросекунд.

Легированные эрбием пленки a-Si : H получены магнетронным распылением мишени Si--Er при температуре осаждения 200oC. Затем проведен кумулятивный термический отжиг. После отжига при 300oC в течение 15 мин в атмосфере азота обнаружено резкое возрастание (в ~50раз) интенсивности фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм. При температуре отжига <=500oC сигнал фотолюминесценции спадал практически до нуля. Влияние процессов термического отжига обсуждается в рамках модели частичной перестройки структурной сетки аморфных пленок a-Si(Er) : H.

Исследовалось влияние плотности потока электронов (varphi) на эффективность введения радиационных дефектов (eta) в образцах Si n- и p-типа. Показано, что приложение электрического поля к образцу в процессе облучения влияет на зависимость varphi(eta) только в кристаллах Si n-типа, что объясняется зарядовым состоянием пар Френкеля в момент образования при низких энергиях облучения.

В области температур 100-130 K исследовано влияние интенсивности падающего лазерного излучения на спектральные зависимости поглощения циркулярно поляризованного света в монокристаллах CdCr2Se4 в области края поглощения. Обнаруженное сильное изменение формы края связывается с обострением экситонного резонанса вследствие экранирования фотовозбужденными носителями заряда внутренних электрических полей в кристалле.