Исследован импульсный нагрев микроволнами с интенсивностью около 10 kW·cm-2 тонких слоев (0.05 cm) механических смесей проводящих и диэлектрических порошков. Установлено, что характер длины поглощения в таких смесях микроволн mW мощности порядка 1 cm. При интенсивностях 10 kW· cm-2 и выше и длительностях импульса 5-8 ms в серии до 5 импульсов наблюдается расплавление порошкового слоя, а характерный масштаб поглощения падает до значения ~0.05 c. Зарегистрировано падение коэффициента поглощения образцов в течение микроволнового импульса. Рассматривается возможность эффективного поглощения излучения в результате поверхностных пробоев и образования плазмы в порах между крупинками порошка в его объеме.

Исследована фокусировка интенсивного пучка протонов низкой энергии (15-20 keV), осуществляемая в две стадии: баллистическая фокусировка и последующее магнитное сжатие. Для генерации пучка используется широкоапертурный источник МАИС, плазма в котором создается в большом количестве разрядных элементов с помощью разряда по поверхности полиэтилена. Установлено, что при наличии внешнего магнитного поля пучок является перекомпенсированным электронами, поступающими с катодных сеток источника и мишени. Максимальная эффективность фокусировки пучка (более 70%) достигается через 10 mus после начала импульса в случае, когда мишень находится под отрицательным потенциалом. Степень сжатия пучка по площади при этом составляет 1.6· 103. Проведено численное моделирование фокусировки, результаты которого хорошо соответствуют результатам измерений.

Измерены суммарные импульсы частиц, эмитированных мишенью при интенсивном распылении ионами тяжелых инертных газов с энергией E0~ 0.5 keV. Для жидкой и находящейся при предплавильной температуре мишени из Ga измеренные значения близки к ожидаемым импульсам распыленных металлических атомов и отраженных ионов, для мишеней из Cu и Zr они заметно больше. Выдвинуто предположение, что причина избыточного импульса --- распыление имплантируемых в мишень атомов газа-распылителя. Оценочная средняя энергия этих атомов < E>~ 20 eV. При облучении Ga имплантированные атомы преимущественно диффундируют к поверхности и десорбируются.

Предлагается физический механизм образования кратеров на поверхности облучаемых интенсивными потоками заряженных частиц твердотельных мишеней. Согласно этому механизму, кратеры образуются в результате поверхностных гравитационных волн и неустойчивости Рихтмайера--Мешкова свободной поверхности плазменного факела [1--4]. Даваемые теорией размеры и форма кратеров хорошо согласуются с экспериментальными. Показано, что формирующиеся в мишени напряжения максимальны под кратером, что объясняет наблюдаемую в экспериментах локализацию структурных изменений.

Получены соотношения, описывающие изменение среднеквадратичной частоты короткого, интенсивного лазерного импульса, прошедшего через ионизуемый газ, при произвольной трехмерной геометрии облучения и наблюдения и при произвольной интенсивности импульса. Показано, что ионизационные процессы приводят к увеличению частоты излучения (сдвигу в синюю сторону), зависящему от интенсивности лазерного излучения в момент ионизации и потерь энергии на ионизацию. Учет вынужденного комбинационного рассеяния назад приводит к увеличениию сдвига частоты в синюю сторону.

Предложено и экспериментально опробовано устройство для получения ударных волн большой интенсивности при малых энергиях электрического разряда в газе.

Сравниваются два возможных механизма появления ионов в парогазовой оболочке, окружающей опущенный в электролит нагретый электрод: неустойчивость поверхности электролита по отношению к поверхностному заряду и полевое испарение. Показано, что полевое испарение ионов с тепловой активацией процесса обеспечивают лучшее согласие с экспериментально регистрируемыми условиями. Выведено дисперсионное уравнение для капиллярно-барогравитационных волн на заряженной границе раздела электролит-насыщенный пар. Найдены критические условия неустойчивости таких волн.

Электронная линза обладает возможностью создавать фокусирующие поля с управляемым профилем индивидуально для каждого протонного и антипротонного сгустков, что может позволить компенсировать эффекты, возникающие при их встрече. Первые эксперименты с такой линзой привели к уменьшению времени жизни антипротонов с нескольких сотен часов до нескольких десятков часов. В данной работе приводятся экспериментальные исследования процессов, возникающих при входе высокоинтенсивного протонного пучка в электронный пучок. На основании их предлагается два физических механизма, способных привести к уменьшению времени жизни антипротонного пучка.

Изложена методика спектрального анализа, основанная на аппроксимации последовательности отсчетов сигнала тригонометрическим полиномом первого порядка с изменяющейся частотой его гармонических функций, позволяющая оценить параметры составляющей, на два порядка меньшей уровня помехи, при отношении частот, равном 0.82.