Исследована зависимость интенсивности краевой фотолюминесценции GaN (0001), выращенного методом газофазной гидридно-хлоридной эпитаксии (HVPE), от интенсивности возбуждения. Особенностью является сильная сверхлинейность при малых уровнях возбуждения, аименно сверхквадратичность. При больших уровнях возбуждения зависимость близка клинейной. Предложена модель, объясняющая обнаруженную сверхквадратичность иоснованная на идентичности рекомбинационных процессов вприповерхностном слое объемного заряда при оптическом возбуждении ивслое объемного заряда барьера Шоттки или p-n-перехода при прохождении тока. Сверхквадратичная зависимость получена аналитически впредположении, что безызлучательный канал обусловлен многопрыжковым туннелированием вдоль дислокации, представляющей цепочку центров локализации носителей ипересекающей область объемного заряда. Наблюдалась степенная экспериментальная зависимость интенсивности люминесценции от интенсивности возбуждения. Оценен такой параметр дислокации, как расстояние между соседними центрами локализации (~ 4.1 нм), т. е. период потенциала вдоль дислокации.

-1 Исследовалось интенсивное пикосекундное стимулированное излучение из торца тонкого слояGaAs. Излучение возникало при накачкеGaAs мощными пикосекундными импульсами света. Обнаружена модуляция зависимостей энергии излучения от: а)энергии фотона, б)пикосекундной задержки между двумя импульсами накачки, в)расстояния между активной областью и торцом. Под модуляцией подразумевалось появление локальных выступов или максимумов на графике какой-либо зависимости. Параметры модуляции названных характеристик излучения оказались связаны соотношениями, позволяющими предполагать следующее. Кмодуляции характеристик приводит один общий, пока окончательно не установленный, механизм автомодуляции спектра излучения, обусловленный сверхбыстрым нелинейным взаимодействием сильно фотовозбужденного полупроводника со светом накачки и стимулированным излучением. По косвенным признакам этот механизм приводит еще и к амплитудной модуляции излучения в пикосекундном диапазоне времен.

Изучалось влияние различных концентраций кислорода (CO2) в газовой смеси (20% SiH4+80% Ar)+O2 и площади эрбиевой мишени (SEr) на состав и фотолюминесцению Er3+ аморфных пленок a-SiOx : H<Er,O>, полученных магнетронным распылением на постоянном токе. Анализ экспериментальных данных показал, что кластеры [Er--O] и[Er--O--Si--O] формируются в газовой фазе плазмы с участием конкурирующих реакций окисления и процесса распыленияSi- иEr-мишеней, а также благодаря взаимодействию в газовой фазе ассоциатов [Si--O] и [Er--O] друг с другом и с кислородом. Разрыв зависимостей концентраций связанного с эрбием кислорода и эрбия в пленке, NOEr--O,NEr=f(CO2,SEr), при CO2~(5-6.5) мол% подтверждает гипотезу существования различных эрбиевых кластеров. Определены условия, при которых получаются пленки a-SiOx : H<Er,O> с наибольшей интенсивностью фотолюминесценции ионов эрбия на длине волны1.54 мкм.

Представлены результаты экспериментальных исследований спонтанной эмиссии ионов эрбия в спектральной области края нижайшей фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей (одномерных фотонных кристаллов). Фотонные кристаллы состояли из чередующихся четвертьволновых слоев a-Si : H и a-SiOx : H, выращенных методом плазмохимического газофазного осаждения (plasma enhancement chemical vapor deposition). Эрбий вводился в слои a-Si : H магнетронным распылением эрбиевой мишени в процессе роста структуры. Наблюдаемое изменение интенсивности спонтанного излучения обусловлено немонотонным поведением плотности оптических мод вблизи края фотонной зоны.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследована зависимость концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного типов от времени облучения потоками beta-частиц малой интенсивности (I~9·105 см-2·с-1). Обнаружены немонотонные изменения концентраций дефектовCi, Ci-Cs и(или) V-O для кристаллов n-типа проводимости, а также V-B, Ci-Oi и(или) V2-O-C для кристаллов p-типа. PACS: 61.72.Ji, 61.72.Ss, 61.80.Fe

Борисов П.в. Интенсивный шум при оптическом взаимодействии полупроводниковых лазеров и его подавление // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 77-79

Ермаченко В.м., Наумов Н.в., Петровский В.н., Проценко Е.д. Флуктуации интенсивности и частоты межмодовых биений в двухмодовом Не-Nе лазере с синхронизированными модами // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 182-183

Захаров А.а., Ермаченко В.м. Поведение интенсивностей генерируемых мод в области синхронной модуляции // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 188-189

Архангельский А.и., Котов Ю.д., Самойленко В.т., Юров В.н. Регистрация нейтронов детектором на основе CSI(TL) в условиях интенсивного фона гамма-излучения // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 32-33

Евтихиев Н.н., Стариков Р.с. Прецизионная лазерная схема вычисления кольцевых и секторных гармоник Фурье-спектра интенсивности изображения для систем распознавания // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 171-172