Исследовано влияние давления на электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xGexTe (x=0.06, 0.08), легированных галлием. Получена зависимость энергии активации глубокого примесного уровня галлия от давления, и показано, что его положение относительно дна зоны проводимости практически не изменяется под давлением. Натемпературных и барических зависимостях удельного сопротивления обнаружены аномалии, связанные, по-видимому, со структурными фазовыми переходами из кубической в ромбоэдрическую и орторомбическую фазы соответственно. Полученные результаты использованы для построения диаграммы перестройки энергетического спектра носителей заряда в кубической фазе исследованных сплавов под действием давления.

Обнаружена и исследована фотолюминесценция в диапазоне 1.2-1.4 эВ в слоях GaN : As, выращенных на подложках (0001) Al2O3. Фотолюминесценция обусловлена излучательной рекомбинацией в нанокристаллитах GaAs, самоорганизующихся в матрице GaN в процессе роста. Интенсивность фотолюминесценции максимальна при температуре роста ~ 780oC, что объясняется конкуренцией нескольких зависящих от температуры процессов, влияющих на вероятность образования нанокристаллитов. На высокоэнергетическом крае полосы излучения наблюдаются линии, обусловленные рекомбинацией связанных экситонов в нанокристаллитах GaAs и фононными репликами связанных экситонов. Энергии соответствующих оптических фононов характерны для GaAs. Вспектрах возбуждения фотолюминесценции наблюдаются особенности, относящиеся к резонансному возбуждению свободных и связанных экситонов, а также к возбуждению экситонов с одновременным испусканием оптических фононов.

Исследованы электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xSnxTe (x=0.09-0.21), легированных галлием. Обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла, указывающие на стабилизацию уровня Ферми резонансным уровнем галлия, расположенным в зоне проводимости. По экспериментальным данным в рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от состава сплава и температуры. Показано, что положение резонансного уровня галлия относительно потолка валентной зоны практически не зависит от состава матрицы, и получена зависимость термического коэффициента движения резонансного уровня относительно середины запрещенной зоны от состава сплава. PACS: 71.20Nr, 71.55.Ht

Исследовано влияние давления на электрофизические свойства сплава n-Pb1-xSnxTe (x=0.21), легированного галлием. Обнаружены уменьшение концентрации свободных электронов с ростом температуры и увеличение концентрации при увеличении давления, свидетельствующие о стабилизации уровня Ферми резонансным уровнем галлия. Врамках двухзонного закона дисперсии Кейна по экспериментальным данным рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от давления. Предложена диаграмма перестройки энергетического спектра носителей заряда в Pb1-xSnxTe : Ga под давлением, и определена скорость движения резонансного уровня галлия относительно середины запрещенной зоны под действием давления. PACS: 71.20.Nr, 71.55.-i, 72.20.My

Некоторые замечания по поводу взаимосвязи египетских и раннегреческих представлений о душе. Доклад сделан на 175-летнем юбилее Философского факультета КНУ им. Т. Шевченко (Киев)

Карпова Л.С. Лингвопоэтика повествовательных типов в английских сонетах елизаветинского периода (на материале произведений э. спенсера, с. дэниела, у. шекспира) : автореф. дис. ... канд. филол. наук : 10.02.04. - M, 2009.

Социально-гуманитарные проблемы современности в условиях глобализации культур в рамках взаимодействия национальных цивилизаций остаются в повестке дня злободневных этических вопросов. Социокультурная ситуация наших дней характеризуется расширением взаимозависимости и взаимосвязи разных народов и их культур – как в географическом ареале России, так и за его пределами. Обусловлено это появлением на мировой арене большого количества политических, экономических, религиозных, культурных и прочих организаций и структур, влияющих на этическое осознание мирового сообщества. В условиях социокультурной трансформации возникает интерес к таким проблемам, как межцивилизационный диалог и диалог конфессий в глобальном культурном пространстве - в первую очередь с целью сохранения и развития собственных локальных культур в нем.

Методом порошковой рентгеновской дифракции проведена расшифровка структур Pb1-xZrO3-y (x=0; 0,125; 0,25; 0,33) с определением симметрии фаз при нормальных условиях, параметров элементарных ячеек. Также проведен анализ зависимости структурных параметров от степени нестехиометрии Pb1-xZrO3-y (от х) в составах, синтезируемых при разных температурах.

Предложен и реализован метод определения показателя преломления и плотности сверхкритических сред (СКС), основанный на измерении коэффициента отражения излучения ближнего ИК диапазона от границы “кварц-среда”. Соответствующее устройство выполнено в виде оптоволоконного датчика, позволяющего его быструю и надежную интеграцию со сверхкритическим реактором. В данном устройстве осуществлена нормировка сигнала на выходную мощность светодиода, что позволяет скомпенсировать ошибку измерений, вызванную флуктуациями источника излучения. Точность измерения абсолютного значения показателя преломления составляет 10-3, а точность определения относительного изменения показателя преломления составляет 10-4 при времени усреднения 25 мс. Возможности данного метода определения показателя преломления и плотности СКС продемонстрированы на чистых веществах (CO2 и CHF3) и смесях (циклогексан + CO2 и н-гептан + CO2) в широком диапазоне давлений 14ё2000 psi и температур 10ё45OC.

Прямые расчеты Ti XANES - спектра модельного кристалла CaTiSiO5 выполнены с помощью двух формализмов: полного многократного рассеяния с помощью FEFF 8.2 и формализма, учитывающего процессы фотоэлектронного рассеяния малой кратности. Расчеты позволили выявить энергетическую область, выше первых краевых особенностей, где доминирующую роль играют процессы фотоэлектронного рассеяния атомами первой сферы, что позволило применить процедуру Фурье- преобразования непосредственно к этой области. При этом, в ходе односферного фитинга вклада первой сферы в ?F(R)?, получена высокая точность для средних межатомных Ti - O расстояний и координационных чисел атома Ti. В титанитовом стекле и двух модификациях радиационно - поврежденного кристалла CaTiSiO5 структурные параметры также определены с помощью односферного фитинга вклада кислородного полиэдра в ?F(R)?. Установлено, что значения структурных параметров в радиационно - поврежденных кристаллах занимают промежуточное положение между параметрами кристалла титанита и его аморфной модификации - титанитового стекла. При наличии в кристалле короткой титанилавой связи применение схемы односферного фитинга не позволяет получить приемлемую точность определяемых средних значений N1 и R1. В этом случае, применение двухсферного фитинга с тремя варьируемыми параметрами R1.1, R1.2, (2, выполняемого для альтернативных моделей расщепления кислородного полиэдра на две сферы, позволяет выявить адекватную модель расщепления (N1=N1.1+N1.2), получив для нее высокую точность величин радиусов сфер R1.1, R1.2.