Найдено научных статей и публикаций: 516
121.
Роль муляжных музеев в преподавании дерматовенерологии на медицинских факультетах университетов россии и европы (публикация автора на scipeople)
В работе показана история и значение использования восковых слепков в наглядности преподавания дерматологии и венерологии студентам медицинских факультетов университетов в странах Европы и России в XIX — XX столетиях.
122.
На крыльях оперного вдохновения (публикация автора на scipeople)
В музыкальной жизни Москвы 26 мая 2011 года произошло замечательное событие: состоялась юбилейная концертная программа Московского музыкального общества - «Танец, опера, драма». Концерт состоялся в Рахманиновском зале Московской консерватории. Сценическая постановка концертной программы осуществилась силами студентов кафедры оперной подготовки, вокального факультета Московской Государственной консерватории им. П.И. Чайковского.
123.
124.
Исследование сверхпроводящей системы Mg1-xAlxB2 методами туннельной и микроконтактной (андреевской) спектроскопии
Проведены детальные исследования многозонной сверхпроводимости в системе Mg1-xAlxB2 методами туннельной и андреевской спектроскопии. Изучены температурные зависимости сверхпроводящих щелей, а также их изменения при возрастании неупорядоченности и концентрации Al. Показано, что экспериментально наблюдаемые зависимости не могут быть детально объяснены в рамках существующих к настоящему времени микроскопических теорий.
125.
Корреляции флуктуаций ориентации директора в нематическом жидком кристалле при наличии микроскопических примесей
Рассматривается модель для пространственно ограниченной жидкокристаллической системы с микроскопическими равномерно распределенными по системе примесями. В этой системе исследуются термодинамические корреляции флуктуаций ориентации директора, а также корреляции скалярного параметра порядка, характеризующего примеси в системе. Показано, что корреляции примесей в такой системе, по сравнению с чистой изотропной жидкостью, слабее. Корреляция отклонения директора существенно зависит от волнового вектора и может быть значительно ослаблена из-за наличия примесей.
126.
Индуцированное давлением возрастание ионной проводимости Li, Na и K A-цеолитов
Исследовано влияние давления на ионную проводимость гидратированного цеолита A, содержащего катионы Li, Na и K. Эксперименты при давлении до 4.8 hPa при комнатной температуре показывают увеличение проводимости до максимального значения при давлениях в области 1.7-1.8 hPa для всех трех цеолитов. Дальнейшее сжатие приводит к резкому уменьшению проводимости в диапазоне 2.5-3.5 hPa. Уменьшение проводимости приписано индуцированному давлением переходу в аморфное состояние, как сообщалось ранее на основе ИК спектроскопии. Мы считаем, что начальное увеличение проводимости с давлением до индуцированной давлением аморфизации решетки, является результатом увеличения проводимости по одному или нескольким следующим механизмам: а) катионная проводимость с участием гидроксил-ионов, б) гидроксил/протонная проводимость, в) рост подвижности катиона из-за индуцированного давлением изменения (возможно, увеличения) степени гидратации. При снижении давления проводимость не воспроизводит ход ее изменения при сжатии и для образцов, прошедших циклическую обработку при низком давлении, на 2 порядка величины больше, чем величина проводимости при таком же давлении в ходе сжатия. Сжатие обеспечивает новый путь к оптимизации проводимости в гидратированных A-цеолитах.
127.
Неустойчивость DX-подобных примесных центров в PbTe(Ga) при отжиге
Впервые исследована кинетика изменения сопротивления монокристаллов PbTe(Ga) с уровнем Ферми, изначально стабилизированным внутри запрещенной зоны, при их отжиге при температурах до 400oC. Показано, что отжиг кристаллов уже в течение нескольких минут при температуре 200-250oC приводит к трансформации полуизолирующего при низких температурах материала в сильно вырожденный полупроводник с концентрацией свободных электронов ~ 1018 см-3, т. е. к распаду DX-подобных примесных центров, определяющих эффект стабилизации уровня Ферми внутри запрещенной зоны в PbTe(Ga). Определена энергия активации, соответствующая этому процессу. При высокотемпературном отжиге при температуре порядка 400oC имеется тенденция к частичному восстановлению полуизолирующих свойств.
128.
Микроволновая фотопроводимость внанокристаллическом пористом оксиде титана приимпульсном лазерном возбуждении
С использованием бесконтактного метода микроволновой фотопроводимости исследованы процессы релаксации фотовозбужденных носителей заряда в нанокристаллическом пористом оксиде титана. Показано, что с уменьшением размера нанокристаллов наблюдается уменьшение амплитуды и изменение времен релаксации микроволновой фотопроводимости, что объясняется локализацией носителей заряда вследствие эффекта диэлектрического ограничения (confinement). Захват дырок ловушками на поверхности нанокристаллов TiO2 приводит к увеличению амплитуды и удлинению времен релаксации микроволновой фотопроводимости.
129.
Формирование омических контактов кполуизолирующему GaAs путем лазерного осажденияIn
Цель настоящей работы заключалась в разработке метода создания омических контактов к высокоомному GaAs путем лазерного травления поверхности с последующим лазерным осаждениемIn. Предложенный метод позволяет формировать омические контакты при комнатной температуре, исключая таким образом высокотемпературный отжиг, который обычно необходим при применении других технологий. Омические свойства контактов сохраняются в широком диапазоне токов, перекрывающих несколько порядков величины, независимо от направления тока. При этом электрический потенциал изменяется линейно вдоль образца, а ток ограничивается лишь объемным сопротивлением материала. Метод перспективен для формирования прецизионной сети из омических контактов, проходящей через всю толщу кристалла, при изготовлении приборов и элементов микроэлектроники.
130.
Исследование физических механизмов лазерной коррекции и стабилизации параметров структур Al-n-n+-Si-Al сбарьером Шоттки
Методами оптической и растровой электронной микроскопии всочетании спослойным химическим травлением исследованы физические процессы твердофазной диффузии всформированных на свободной поверхности кремния и вокнахSiO2 бескорпусных тонкопленочных структурах Al-n-n+-Si-Al сбарьером Шоттки при импульсном лазерном облучении.