Найдено научных статей и публикаций: 516   
121.

Роль муляжных музеев в преподавании дерматовенерологии на медицинских факультетах университетов россии и европы (публикация автора на scipeople)     

Утц С.Р., Завьялов А.И., Якупов И.А., Пархоменко А.А. - Саратовский научно-медицинский журнал , 2015
В работе показана история и значение использования восковых слепков в наглядности преподавания дерматологии и венерологии студентам медицинских факультетов университетов в странах Европы и России в XIX — XX столетиях.
122.

На крыльях оперного вдохновения (публикация автора на scipeople)     

Александр Сигачёв - muzros.blogspot.com , 2011
В музыкальной жизни Москвы 26 мая 2011 года произошло замечательное событие: состоялась юбилейная концертная программа Московского музыкального общества - «Танец, опера, драма». Концерт состоялся в Рахманиновском зале Московской консерватории. Сценическая постановка концертной программы осуществилась силами студентов кафедры оперной подготовки, вокального факультета Московской Государственной консерватории им. П.И. Чайковского.
123.

Дмитрий владимирович шумков:биография (публикация автора на scipeople)   

Дмитрий Владимирович Шумков , 2013
биография
124.

Исследование сверхпроводящей системы Mg1-xAlxB2 методами туннельной и микроконтактной (андреевской) спектроскопии     

Я. Г. Пономарев, С. А. Кузьмичев, Н. М. Кадомцева, М. Г. Михеев, М. В. Судакова, С. Н. Чесноков, Е. Г. Максимов, С. И. Красносвободцев, Л. Г. Севастьянова, К. П. Бурдина, Б. М. Булычев - Письма в ЖЭТФ , 2004
Проведены детальные исследования многозонной сверхпроводимости в системе Mg1-xAlxB2 методами туннельной и андреевской спектроскопии. Изучены температурные зависимости сверхпроводящих щелей, а также их изменения при возрастании неупорядоченности и концентрации Al. Показано, что экспериментально наблюдаемые зависимости не могут быть детально объяснены в рамках существующих к настоящему времени микроскопических теорий.
125.

Корреляции флуктуаций ориентации директора в нематическом жидком кристалле при наличии микроскопических примесей     

А. Н. Васильев, И. П. Пинкевич, Т. Дж. Слуцкин - Письма в ЖЭТФ , 2004
Рассматривается модель для пространственно ограниченной жидкокристаллической системы с микроскопическими равномерно распределенными по системе примесями. В этой системе исследуются термодинамические корреляции флуктуаций ориентации директора, а также корреляции скалярного параметра порядка, характеризующего примеси в системе. Показано, что корреляции примесей в такой системе, по сравнению с чистой изотропной жидкостью, слабее. Корреляция отклонения директора существенно зависит от волнового вектора и может быть значительно ослаблена из-за наличия примесей.
126.

Индуцированное давлением возрастание ионной проводимости Li, Na и K A-цеолитов     

Секко Р.А., Рюттер М., Хуанг И. - Журнал Технической Физики , 2000
Исследовано влияние давления на ионную проводимость гидратированного цеолита A, содержащего катионы Li, Na и K. Эксперименты при давлении до 4.8 hPa при комнатной температуре показывают увеличение проводимости до максимального значения при давлениях в области 1.7-1.8 hPa для всех трех цеолитов. Дальнейшее сжатие приводит к резкому уменьшению проводимости в диапазоне 2.5-3.5 hPa. Уменьшение проводимости приписано индуцированному давлением переходу в аморфное состояние, как сообщалось ранее на основе ИК спектроскопии. Мы считаем, что начальное увеличение проводимости с давлением до индуцированной давлением аморфизации решетки, является результатом увеличения проводимости по одному или нескольким следующим механизмам: а) катионная проводимость с участием гидроксил-ионов, б) гидроксил/протонная проводимость, в) рост подвижности катиона из-за индуцированного давлением изменения (возможно, увеличения) степени гидратации. При снижении давления проводимость не воспроизводит ход ее изменения при сжатии и для образцов, прошедших циклическую обработку при низком давлении, на 2 порядка величины больше, чем величина проводимости при таком же давлении в ходе сжатия. Сжатие обеспечивает новый путь к оптимизации проводимости в гидратированных A-цеолитах.
127.

Неустойчивость DX-подобных примесных центров в PbTe(Ga) при отжиге     

Долженко Д.Е., Демин В.Н., Иванчик И.И., Хохлов Д.Р. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Впервые исследована кинетика изменения сопротивления монокристаллов PbTe(Ga) с уровнем Ферми, изначально стабилизированным внутри запрещенной зоны, при их отжиге при температурах до 400oC. Показано, что отжиг кристаллов уже в течение нескольких минут при температуре 200-250oC приводит к трансформации полуизолирующего при низких температурах материала в сильно вырожденный полупроводник с концентрацией свободных электронов ~ 1018 см-3, т. е. к распаду DX-подобных примесных центров, определяющих эффект стабилизации уровня Ферми внутри запрещенной зоны в PbTe(Ga). Определена энергия активации, соответствующая этому процессу. При высокотемпературном отжиге при температуре порядка 400oC имеется тенденция к частичному восстановлению полуизолирующих свойств.
128.

Микроволновая фотопроводимость внанокристаллическом пористом оксиде титана приимпульсном лазерном возбуждении     

Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Кытин В.Г., Гайворонский В.Я., Porteanu H., Dittrich Th., Koch F. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2002
С использованием бесконтактного метода микроволновой фотопроводимости исследованы процессы релаксации фотовозбужденных носителей заряда в нанокристаллическом пористом оксиде титана. Показано, что с уменьшением размера нанокристаллов наблюдается уменьшение амплитуды и изменение времен релаксации микроволновой фотопроводимости, что объясняется локализацией носителей заряда вследствие эффекта диэлектрического ограничения (confinement). Захват дырок ловушками на поверхности нанокристаллов TiO2 приводит к увеличению амплитуды и удлинению времен релаксации микроволновой фотопроводимости.
129.

Формирование омических контактов кполуизолирующему GaAs путем лазерного осажденияIn     

Казлаускене В., Кажукаускас В., Мишкинис Ю., Петравичюс А., Пурас Р., Сакалаускас С., Синюс Ю., Вайткус Ю.-В., Жиндулис А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Цель настоящей работы заключалась в разработке метода создания омических контактов к высокоомному GaAs путем лазерного травления поверхности с последующим лазерным осаждениемIn. Предложенный метод позволяет формировать омические контакты при комнатной температуре, исключая таким образом высокотемпературный отжиг, который обычно необходим при применении других технологий. Омические свойства контактов сохраняются в широком диапазоне токов, перекрывающих несколько порядков величины, независимо от направления тока. При этом электрический потенциал изменяется линейно вдоль образца, а ток ограничивается лишь объемным сопротивлением материала. Метод перспективен для формирования прецизионной сети из омических контактов, проходящей через всю толщу кристалла, при изготовлении приборов и элементов микроэлектроники.
130.

Исследование физических механизмов лазерной коррекции и стабилизации параметров структур Al-n-n+-Si-Al сбарьером Шоттки     

Воробец Г.И., Воробец М.М., Стребежев В.Н., Бузанeва Е.В., Шкавро А.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Методами оптической и растровой электронной микроскопии всочетании спослойным химическим травлением исследованы физические процессы твердофазной диффузии всформированных на свободной поверхности кремния и вокнахSiO2 бескорпусных тонкопленочных структурах Al-n-n+-Si-Al сбарьером Шоттки при импульсном лазерном облучении.