Обсуждается дислокационно-кинетический механизм амплитудно-зависимого внутреннего трения и возникновения подобия температурных зависимостей напряжений микротекучести кристалла и напряжений начала его макротекучести. Показано, что подобие зависимостей обусловлено подобием кривых деформационного (дислокационного) упрочнения кристаллов в областях соответственно микро- и макропластических деформаций.

Установлено, что во время воздействия импульсов слабого магнитного поля (H<= 105 A/m) на закаленный и состаренный образец алюминия (99.999%) характер амплитудной зависимости низкочастотного внутреннего трения изменяется: общий уровень внутреннего трения увеличивается. Эффект связывается с влиянием магнитного воздействия на структурный комплекс дислокация--точечные дефекты; роль последних играют вакансии.

Исследованы особенности формирования осцилляций на временных зависимостях внутреннего трения поликристаллического Be, облученного электронами высоких энергий и состаренного при T=300 K в течение разных промежутков времени. Показано, что старение приводит к постепенному уменьшению амплитуды и периода осцилляций. Высказано предположение о синергетическом характере наблюдаемого явления.

Изучено амплитудно-независимое дислокационное поглощение (внутреннее трение) при совместном действии на дислокацию случайной и постоянной внешних сил. Рассмотрены случайные воздействия разного типа, учтены инерционные свойства дислокации и влияние внутреннего (параболического) потенциального рельефа кристалла. Получены зависимости внутреннего трения от степени коррелированности случайного воздействия, параметров дислокации и среды.

В объемном аморфном сплаве Zr52.5Ti5Cu17.9Ni14.6Al10 методом обратного крутильного маятника проведены исследования поведения затухания и модуля сдвига в области температур от комнатной до температуры кристаллизации в диапазоне частот 5--40 Hz. Получены оценки спектров энергий активации необратимой и обратимой структурной релаксации. Результаты обсуждаются в рамках модели двухуровневых энергетических состояний. Работа выполнена при финансовой поддержке Американского фонда гражданских исследований и развития (проект N RP1-2320-VO-02) и Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-16461).

Исследованы квантовые осцилляции холловского сопротивления rhoij(B) в бикристаллах висмута в магнитных полях до 35 T. Установлено, что малоугловая внутренняя граница кручения обладает n-типом проводимости и состоит из центральной части и двух смежных слоев, которые характеризуются специфическими особенностями поверхности Ферми электронов.

Показано, что методом электроосаждения можно получить по крайней мере восемь видов кристаллов меди, имеющих одну или шесть осей пентагональной симметрии. Рассмотрены особенности их строения и возможные механизмы образования и роста. Предполагается, что различные пентагональные кристаллы, сформировавшиеся при электрокристаллизации, имеют одну дисклинационную природу.

Исследована релаксация структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата (ТГС), неравновесное состояние которой создавалось быстрым охлаждением через точку фазового перехода, полевым и термическим воздействием. Выявлена роль внутреннего поля в процессах релаксации доменной структуры к равновесному состоянию в дефектных кристаллах ТГС. Работа выполнена при поддержке фонда CRDF (грант VZ-010). PACS: 77.80.Dy, 77.84.Fa, 77.80.Bh

На основе метода внутреннего трения предложены методики исследования кинетики выделения примесей на поверхности зерен в поликристаллических образцах. Возможности методики апробированы на поликристаллических газочувствительных слоях диоксида олова, легированных теллуром.

Методом малоуглового рассеяния света среднего инфракрасного диапазона выполнено исследование влияния процесса внутреннего геттерирования на крупномасштабные дефекты в монокристаллическом кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном бором. Проведена классификация крупномасштабных дефектов в исходном материале и кристаллах, подвергнутых процедуре внутреннего геттерирования. Показана применимость метода малоуглового рассеяния света как для лабораторных исследований, так и для промышленного контроля операций технологического цикла внутреннего геттерирования.