Обнаружена и исследована фотолюминесценция в диапазоне 1.2-1.4 эВ в слоях GaN : As, выращенных на подложках (0001) Al2O3. Фотолюминесценция обусловлена излучательной рекомбинацией в нанокристаллитах GaAs, самоорганизующихся в матрице GaN в процессе роста. Интенсивность фотолюминесценции максимальна при температуре роста ~ 780oC, что объясняется конкуренцией нескольких зависящих от температуры процессов, влияющих на вероятность образования нанокристаллитов. На высокоэнергетическом крае полосы излучения наблюдаются линии, обусловленные рекомбинацией связанных экситонов в нанокристаллитах GaAs и фононными репликами связанных экситонов. Энергии соответствующих оптических фононов характерны для GaAs. Вспектрах возбуждения фотолюминесценции наблюдаются особенности, относящиеся к резонансному возбуждению свободных и связанных экситонов, а также к возбуждению экситонов с одновременным испусканием оптических фононов.

Исследовались ориентация молекул жидкокристаллического наполнителя и электрооптический эффект в композитных фотонных кристаллах на основе щелевого кремния. Установлено, что после заполнения щелей молекулы нематического жидкого кристалла выстраиваются преимущественно планарно по отношению к кремниевым стенкам. При приложении электрического поля происходит изменение ориентации молекул жидкого кристалла на гомеотропную по отношению к стенкам щелей. Полученный эффект может быть использован для перестройки фотонной зоны одномерного фотонного кристалла.

Созданы полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона с дисковым резонатором, работающие на модах шепчущей галереи. Исследованы особенности таких лазеров.

Рассмотрена кинетика электронных процессов в фотомишенях видиконов на основе структур полупроводник-диэлектрик из узкозонных полупроводников с учетом стекания заряда в слое диэлектрика и релаксации неравновесной обедненной области в полупроводниковом слое. Приведена оценка времени накопления, пороговой чувствительности, разрешающей способности фотомишеней при различных уровнях входного излучения.

Обзор содержит результаты исследований и разработок в ФГУП << НПО \glqq Орион\grqq>> фотодиодов и матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3-5 и 8-12 мкм на основе твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Представлены структура, топология и параметры разработанных фотодиодов, фотодиодных матриц \glqq смотрящего\grqq и многорядного типов, структура и электрические схемы созданных кремниевых мультиплексоров матричных фотоприемных устройств (МФПУ). Приведены параметры фотодиодных матриц различных форматов и созданного макета тепловизора на основе МФПУ формата 128x128элементов.

Представлен обзор опубликованных нами работ по созданию и исследованию светодиодов для области спектра 1.6--4.4 мкм на основе гетероструктур, выращенных на подложке GaSb методом жидкофазной эпитаксии, позволяющим создавать слои достаточной толщины, изопериодные с GaSb. Активная область для спектральных диапазонов 1.8-2.4 и 3.4-4.4 мкм состояла из твердого раствора GaInAsSb, а для диапазона 1.6-1.8 мкм из твердого раствора AlGaAsSb. Широкозонные ограничительные слои AlGaAsSb содержали большое количество Al, до64%, что является рекордным для метода жидкофазной эпитаксии. Создавались и исследовались несимметричные (GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb) и симметричные (AlGaAsSb/GaInAsSb/AlGaAsSb) гетероструктуры. Разрабатывались раличные виды конструкций, позволяющие улучшить выход генерированного в активной области излучения наружу. Измеренный внешний квантовый выход излучения достигал 6.0% при 300 K для светодиодов на длины волн 1.9--2.2 мкм. Получена импульсная оптическая мощность излучения 7 мВт при токе 300 мА со скважностью 2 и 190 мВт при токе 1.4 А со скважностью 200. Всветодиодах, излучающих в спектральной области 3.4--4.4 мкм получен внешний квантовый выход излучения ~ 1%--- в 3раза больший, чем в известной гетероструктуре InAsSb/InAsSbP, выращенной на подложкеInAs. Измеренное время жизни неосновных носителей заряда (5--50 нс) близко к теоретическому при учете только излучательной и ударной СНСС объемной рекомбинации. Ударная рекомбинация преобладает при температурах выше 200 K для светодиодов, работающих в спектральном диапазоне 3.4--4.4 мкм, и выше 300 K для светодиодов, работающиx в спектральном диапазоне 1.6--2.4 мкм.

Исследована замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах p- и n-типа проводимости InAs/GaAs со слоями квантовых точек. Затухание фотопроводимости в начальном временном интервале после выключения подсветки происходит по логарифмическому закону. Характерное время релаксации зависит от температуры, уменьшаясь с ростом температуры. Предложена простая модель релаксации фотопроводимости, основанная на термической активации носителей заряда из слоя квантовых точек, согласующаяся с экспериментальными данными. PACS: 73.63.Kv, 73.21.La

Исследованы инфракрасные спектры отражения, обусловленные колебаниями решетки в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs (100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с различными концентрациямиAl в металлической подрешетке. Вспектре образца с x~0.50 обнаружены моды колебаний, соответствующие сверхструктурной фазе упорядочения AlGaAs2. Атомно-силовая микроскопия поверхности образца с x~0.50 показала наличие областей упорядочения нанорельефа с периодом ~115 нм, в которых проявляется структурная фаза AlGaAs2. PACS: 78.66.Fd, 81.05.Ea, 68.05.Nq

Пропускание щелевых кремниевых структур с периодами4 и7 мкм исследовано в широком спектральном диапазоне методами поляризационно-чувствительной инфракрасной и субмиллиметровой спектроскопии. Экспериментальные результаты, полученные в диапазоне длин волн 1-10 мкм, объясняются в терминах геометрической оптики при учете рассеяния излучения. Вдальнем инфракрасном диапазоне (20-2000 мкм) образцы проявляют сильное двулучепреломление, которое описывается моделью эффективной среды в электростатическиом приближении. Зарегистрировано влияние фотовозбуждения на оптическое пропускание и его анизотропию, что объясняется в рамках модели эффективной среды при учете взаимодействия излучения со свободными носителями заряда. PACS: 81.40.Ty, 78.30.Am, 78.70.Gq, 78.66.Sq

Получена серия металлофталоцианиновых комплексов (MPc) [CoPc, CuPc, CuPcCl15-16, CuPc(4-NO2-5-OPh)4, CuPc(4-CH2-phthalimide)4, CuPc(4-NO2-5-NHPhBr)4, PdPc, MgPc, PbPc, EuOAcPc, SmOAcPc, SmPc2, YOAcPc]. Проведено исследование MPc с помощью ИК спектроскопии. Выявлена корреляция сдвига максимума полос поглощения в области 1100-1600 см-1 и величины атомного радиуса темплатного металла. Показано, что планарность макроцикла периферийно-замещенных CuPc можно оценить из характеристик ИК спектров. PACS: 78.30.Jw, 78.66.Qn