Найдено научных статей и публикаций: 122
101.
Инфракрасная спектроскопия кремниевых сращенных пластин
Изучены инфракрасные спектры многократного нарушенного полного внутреннего отражения и пропускания кремниевых пластин, полученных методом прямого сращивания (бондинга) в широком диапазоне температур (200-1100oC). Исследованы свойства \glqq захороненного\grqq на границе раздела слоя окисла кремния в зависимости от температуры отжига. Показано, что толщина слоя SiO2 растет с увеличением температуры отжига с4.5 до6.0 нм. Анализ частот оптических фононов показал, что с ростом температуры отжига происходит релаксация механических напряжений в слое SiO2. Исследовано изменение характера химических связей на границе раздела кремниевых пластин, сращенных при низкой температуре (20-400oC), в зависимости от химической обработки поверхности пластин перед бондингом. Предложены модели процесса низкотемпературного бондинга после различной химической активации поверхности. PACS: 81.20.Vj, 81.65.Cf, 78.30.Am
102.
Влияние инфракрасного излучения на радиационный отклик биполярных и моп транзисторов
Башин А.ю., Кекух В.б. Влияние инфракрасного излучения на радиационный отклик биполярных и МОП транзисторов // Научная сессия МИФИ-2001. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 135-136
103.
Влияние инфракрасного излучения на радиационный отклик биполярных и моп транзисторов
Башин А.ю., Кекух В.б. Влияние инфракрасного излучения на радиационный отклик биполярных и МОП транзисторов // Научная сессия МИФИ-2001. Т.1 Автоматика. Электроника. Микроэлектроника. Электронные измерительные системы, стр. 135-136
104.
Влияние смещения перехода эмиттер-база в процессе облучения инфракрасным светом на радиационный отклик биполярного транзистора
Башин А.ю., Першенков В.с. Влияние смещения перехода эмиттер-база в процессе облучения инфракрасным светом на радиационный отклик биполярного транзистора // Научная сессия МИФИ-2003. Т.1 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 114-115
105.
Определение элементов матрицы мюллера в инфракрасном диапазоне спектра
Музафаров Т.н., Наумов Н.в., Проценко Е.д. Определение элементов матрицы Мюллера в инфракрасном диапазоне спектра // Научная сессия МИФИ-2003. Т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Фотоника, стр. 18
106.
О природе аномального инфракрасного излучения с поверхности земли в сейсмически активных районах
Сурков В.в. О природе аномального инфракрасного излучения с поверхности земли в сейсмически активных районах // Научная сессия МИФИ-2003. Т.5 Медицинская физика и техника, биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 85-86
107.
Отжиг радиационно-индуцированных дефектов в биполярных npn транзисторах при помощи инфракрасного излучения
Башин А.ю., Першенков В.с. Отжиг радиационно-индуцированных дефектов в биполярных NPN транзисторах при помощи инфракрасного излучения // Научная сессия МИФИ-2004. Т.1 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 100-101
108.
Двух- и трехмодовые лазеры инфракрасного диапазона спектра для отражательной рефрактометрии биосред
Вакуров М.с., Гончуков С.а., Лазарев Ю.б. Двух- и трехмодовые лазеры инфракрасного диапазона спектра для отражательной рефрактометрии биосред // Научная сессия МИФИ-2004. Т.5 Медицинская физика и техника, биофизика. Моделирование физических процессов в окружающей среде. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 28
109.
Инфракрасный метод контроля за состоянием волокон в быстросъемной многоразовой теплоизоляции для аэс
Большаков В.и., Кудрова Л.г., Пономарев В.а., Скобелкина Т.н. Инфракрасный метод контроля за состоянием волокон в быстросъемной многоразовой теплоизоляции для АЭС // Научная сессия МИФИ-2004. Т.8 Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 199-200
110.
Кинетика клеточных популяций тимуса под влиянием инфракрасного лазерного излучения (публикация автора на scipeople)
Исследовано влияние низкоинтенсивного инфракрасного лазерного излучения на морфокинетику клеточ¬ных популяций тимуса здоровых экспериментальных животных. Установлено, что число тимоцитов коркового вещества тимуса под влиянием низкоинтенсивного инфракрасного лазерного излучения стресса снижается, что связано с миграционными процессами и уходом тимоцитов на другие территории. Проникновение тканевых базофилов в строму тимуса и их контакт с ретикуло-эпителиальными клетками является важным фактором для стимуляции процессов пролиферации и дифференцировки тимоцитов