Проведен расчет диаграмм фазовых равновесий расплав--твердый раствор (диаграмм плавкости) и твердый раствор (I)--твердый раствор (II) (поверхностей спинодального распада твердых растворов) в пятикомпонентной системе In--Ga--As--Sb--P (твердые растворы изопериодны подложкам GaSb и InAs). Проведен расчет концентрационных областей твердых растворов изовалентного замещения InxGa1-xAsySbzP1-y-z, доступных к синтезу, методом жидкофазной эпитаксии.

Исследовано влияние обработок в плавиковой кислоте и отжига при T=350 oC на оптические свойства пористого кремния в инфракрасной области спектра. Дана интерпретация наблюдавшихся полос поглощения. Получена оценка коэффициента преломления и толщины пористого слоя.

Рассматривается метод определения длины волны отсечки lambdac спектра фоточувствительности инфракрасных фотоприемников, использующий измерение двух фотосигналов, полученных от двух тепловых источников излучения, имеющих различные температуры. Показано, что для lambda~= 10-14 мкм целесообразно использовать тепловые источники с пониженной температурой. Проведено измерение фотосигнала элемента фотодиодной линейки на p-CdxHg1-xTe с x=0.225 для теплового излучателя, температура которого изменялась в пределах150--450 K. Из сравнения экспериментальной кривой с расчетной вычислены значенияlambdac для нескольких температурных диапазонов. Вычислены поправки кlambdac, связанные с отклонением реального спектра фоточувствительности от идеализированного. Высказаны соображения по поводу выбора оптимального температурного диапазона для излучателей.

Методом малоуглового рассеяния света среднего инфракрасного диапазона выполнено исследование влияния процесса внутреннего геттерирования на крупномасштабные дефекты в монокристаллическом кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном бором. Проведена классификация крупномасштабных дефектов в исходном материале и кристаллах, подвергнутых процедуре внутреннего геттерирования. Показана применимость метода малоуглового рассеяния света как для лабораторных исследований, так и для промышленного контроля операций технологического цикла внутреннего геттерирования.

Установлено значительное изменение электрофизических свойств и структурных характеристик монокристаллов InAs при воздействии инфракрасного лазерного излучения с энергией квантов, меньшей ширины запрещенной зоны InAs, и плотностью мощности лазерного излучения W

Проведены исследования лазера дальнего инфракрасного излучения на межподзонных переходах горячих дырок в германии с концентрацией дырок 2.5· 1014 см-3 в конфигурациях полей Фогта и Фарадея. Представлены новые сравнительные данные для обеих конфигураций по областям полей, в которых происходит генерация, интенсивности и спектрам излучения и их зависимостям от температуры кристалла. Показано, что конфигурация Фогта предпочтительнее: шире область полей генерации, выше рабочая температура, богаче спектр излучения, больше интенсивность. Обсуждаются особенности характеристик лазера, проведено сопоставление с расчетом.

Приведены результаты прямых измерений коэффициента усиления поляризованного и неполяризованного длинноволнового инфракрасного излучения горячими дырками в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях в конфигурациях Фогта и Фарадея. Проведено сравнение экспериментальных данных с расчетами коэффициента усиления.

Исследованы спектры отражения в дальней инфракрасной области (10--600 см-1) монокристаллов Hg1-xMnxTe1-ySey (0.01

На кристаллах соединений CuGaS2, AgGaS2 и твердых растворов на их основе исследованы спектры ИК отражения и спектры комбинационного рассеяния в поляризованном свете. Определены значения частот продольных и поперечных оптических фононов, коэффициенты затухания, ИК интенсивности, varepsilon0 иvarepsilonбесконечность. Построены концентрационные зависимости указанных параметров и установлен характер поведения оптических колебаний в твердых растворах.

На фоне насыщения вольт-амперной характеристики в сильном электрическом поле напряженной структуры InGaAs / AlGaAs обнаружено резкое возгорание дальнего инфракрасного излучения в полях около 1.5 кВ / см. При дальнейшем увеличении электрического поля интенсивность излучения изменяется немонотонно. Предполагается связь возгорания излучения с образованием доменов, являющихся причиной насыщения тока.