Обнаружено инфракрасное (ИК) тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных излучателей после ИК подсветки излучателей в паузе между импульсами напряжения возбуждения, а также уменьшение интенсивности излучения в области ~ 530-540 nm и увеличения интенсивности излучения в полосе 640-690 nm, что объясняется перезарядкой глубоких центров, образованных вакансиями серы V2+S и V+S, с увеличением концентрации центров V+S и перераспределением каналов ударного возбуждения центров Mn2+ и V+S после ИК подсветки в пользу центров V+S. Оценены значения сечения и скорости ударного возбуждения центров V+S, сечения фотовозбуждения центров V2+S, коэффициента поглощения ИК излучения, внутреннего квантового выхода электролюминесценции, вероятности излучательной релаксации центров Mn2+ и коэффициента умножения электронов в слое люминофора.

Экспериментально и теоретически изучены поляризационные свойства толстых анизотропных голографических решеток. Получены зависимости дифракционной эффективности, эллиптичности и ориентации поляризации выходного дифракционного пучка от азимутального угла поляризации падающего пучка под углом Брэгга. Экспериментальные результаты хорошо согласуются с теоретическими расчетами. Показана возможность управления дифракционных характеристик в большом интервале изменения поляризации падающего излучения.

Качественные теоретические оценки показывают, что процесс испарения больших капель воды (~10-3 m) в поле лазерного инфракрасного излучения на длине волны 16.6 mum с потоком мощности (4-12)· 105 W/m2 хорошо описывается моделью объемного оптического резонатора. Показано, что за испарение в этом случае ответственны поверхностные электромаганитные волны, а испарение воды обусловлено разрушением водородных связей в поле лазерного излучения (~3· 1013 s-1). Теоретические оценки хорошо согласуются с экспериментальными результатами. PACS: 42.62.-b, 92.40.Je

Рассмотрена возможность эффективной генерации излучения на разностной частоте среднего и дальнего ИК-диапазонов при выполнении условия фазового синхронизма между волной нелинейной поляризации и разностной модой при распространении в полупроводниковом волноводе на основе фосфида галлия (GaP) двух фундаментальных мод в диапазоне 1 mum. В планарном волноводе с шириной 100 mum при мощностях коротковолновых мод 10 W мощность разностной моды может достигать до 300 muW в области частот 1-8 THz при комнатной температуре. При использовании подложки из кремния для структуры с GaP-волноводом мощность разностной моды при тех же условиях может достигать до 5 mW в области частот 10-14 THz. PACS: 42.55.Dx

Рассмотрены процессы ионизации глубоких примесных центров под влиянием мощного дальнего инфракрасного и субмиллиметрового излучения, когда энергия кванта света в десятки раз меньше энергии ионизации примеси. В широком диапазоне интенсивностей и длин волн терагерцовое электрическое поле возбуждающего излучения действует как постоянное поле. В этих условиях ионизация глубоких центров может быть описана как процесс многофононного туннелирования, при котором эмиссия носителей сопровождается туннелированием дефекта в конфигурационном пространстве и туннелированием электрона под влиянием электрического поля. Полевая зависимость вероятности ионизации позволяет определить времена туннелирования дефекта и характер их адиабатических потенциалов. Отклонение от полевой зависимости вероятности ионизации e(E) прапорционально exp (E2/E2c) (где E --- поле волны, а Ec --- характерное поле), соответствующей многофононной туннельной ионизации, имеет место при относительно малых полях, когда ионизация дефекта обусловлена эффектом Пул--Френкеля, и при очень больших полях, когда ионизация происходит благодаря эффекту прямого туннелирования без термоактивации. Рассмотрены эффекты, обусловленные высокой частотой излучения, и показано, что при низких температурах они становятся доминирующими.

Мы сообщаем о разработке высокочувствительной методики для регистрации спектров неупругого электронного рассеяния света в ближней ИК-области, возбуждаемых высокостабильным одномодовым лазером непрерывного действия на алюмоиттриевом гранате, легированном неодимом, с длиной волны 1064.4 nm. Использование такой методики позволило впервые зарегистрировать квазиупругое рассеяние света фотовозбужденной электрон-дырочной плазмой, индуцированной в слое GaAs в присутствии самоорганизованного ансамбля квантовых точек InAs. Обнаружено значительное резонансное усиление интенсивности квазиупругого электронного рассеяния превышающее установленные значения для объемного материала, на два порядка величины. Выявлен основной механизм рассеяния, обусловленный совместной диффузией электронов и дырок.

Исследованы низкотемпературные спектры фотопроводимости (ФП) кристаллов CdS в области края собственного поглощения в зависимости от уровня подсветки кристалла инфракрасным (ИК) светом из области гашения ФП. Выявлены закономерности ИК гашения фототока по контуру спектральной кривой ФП. Анализ этих закономерностей позволил установить непосредственную связь между r-центрами фоточувствительности и структурой спектра вблизи края собственного поглощения. Обнаружен и объяснен эффект "закрепления" на поверхности полупроводника времени жизни основных носителей. Предполагается, что в кристаллах CdS поверхностные акцепторные состояния играют роль поверхностных центров фоточувствительности.

Методом инфракрасной Фурье-спектроскопии исследуется двулучепреломление в слоях пористого кремния, приготовленных при различных токах травления на подложке с ориентацией поверхности (110). В полученных спектрах наблюдаются биения для интенсивности прошедшего и отраженного излучения, возникающие вследствие сложения интенсивностей обыкновенной и необыкновенной волн, интерферирующих в пористом слое. Анализ спектров показывает, что исследуемые слои проявляют свойства отрицательного односного кристалла, оптическая ось которого лежит в плоскости слоя. Для слоев с пористостью 80% величина разности показателей преломления обыкновенной и необыкновенной волн достигает 18%. Экспериментальные результаты хорошо согласуются с расчетами на основе модели эффективной среды, учитывающей анизотропию расположения кремниевых нанокристаллов в пористом слое. Работа поддержана программой \glqq Полупроводниковые наноструктуры\grqq Министерства промышленности, науки и технологии РФ и грантом CRDF N RP2-2275.

В бесщелевом полупроводнике CdxHg1-xTe (x=0.04-0.16) получены магнитополевые и деформационные зависимости фотоэлектрических, фотомагнитных, а также фототермомагнитных характеристик при раскрытии энергетической щели. При возбуждении ИК излучением обнаруживается резкий рост фотосигнала с увеличением магнитного поля либо одноосной упругой деформации. В области квантового предела проявляются осцилляции большой амплитуды, связанные с участием в рекомбинации продольных оптических фононов. В миллиметровой области спектра проявляется гигантская осцилляция фотоотклика, связанная с изменением концентрации электронов. Последнее подтверждается полевой зависимостью фотоэффекта Холла. Показано, что фототермомагнитный эффект является дифференциальным сигналом по отношению к сигналу фотопроводимости.

В инфракрасных спектрах поглощения полученного зонной плавкой кремния, подвергнутого циклической термообработке при 1250o C с быстрым охлаждением после каждого отжига и с частичным снятием термического окисла в каждом цикле, обнаружена необычная "полоса" поглощения с гигантской полушириной. Предложена модель, объясняющая наблюдаемые особенности спектра трансформацией в процессе термообработки нанопреципитатов примесей, содержащихся в исходном кремнии, и микроблочной структурой материала.