Продолжено рассмотрение метода определения длины волны отсечки lambdac инфракрасных фотоприемников, основанного на облучении образца двумя черными телами с разичными температурами. Чем выше lambdac, тем более низкие температуры излучателей целесообразно применять. Приводятся параметры системы, использующей два черных тела, которые располагаются внутри азотного криостата и имеют температуры 260 и 320 K соответственно. Показано, что ошибки в определении нижней или верхней из указанных температур на 1 K приводят к ошибке lambdac примерно на 0.3 и 0.2 мкм соответственно, если lambdac=10 мкм. Измерения на фотодиодах, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев Cd0.24Hg0.76Te (lambdac=8.1 мкм), показали, что различие в величинах lambdac, полученных данным методом и из спектральных измерений, составляет не более нескольких десятых долей мкм. Предлагается использовать данный метод как стандартный.

Исследовались инфракрасные спектры пропускания монокристаллических образцов n-CdTe и n-Cd1-xZnxTe при 295 и 77 K. Проведен анализ полученных экспериментальных данных в предположении, что наблюдаемые спектральные зависимости коэффициента пропускания обусловлены поглощением инфракрасного излучения свободными носителями заряда. Показано, что результаты расчета удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. Значения концентраций и подвижностей электронов, рассчитанные из спектров пропускания, близки к значениям аналогичных параметров, полученных из электрических измерений.

В одноосно-деформированном бесщелевом Hg1-xCdxTe (x=0.10/ 0.14) в условиях ударной ионизации электрическим полем обнаружено вынужденное излучение в диапазоне 80-100 мкм. Скачок излучения происходит при пороговых значениях упругой деформации и электрического напряжения и сопровождается скачком тока в образце. Получены также полевые и деформационные зависимости интенсивности спонтанного излучения. Предложен механизм наблюдаемого эффекта с учетом трансформации энергетических зон и примесных акцепторных уровней направленной упругой деформацией.

Представлен неразрушающий метод измерения трехмерной картины распределения времени жизни и диффузионной длины носителей заряда в слитках кремния длиной до1 м и диаметром до0.3 м. Физической основой метода является инфракрасное зондирование слитка с полированными участками поверхности скрещенными лучами. Один луч, импульсно-периодический, с длиной волны 1.15-1.28 мкм, создает избыточные носители в стержнеобразной области, расположенной вдоль траектории луча в слитке, в то время как другие лучи, непрерывные и более длинноволновые, отслеживают временную и пространственную кинетику избыточных носителей в небольшом участке стержнеобразной области и вблизи нее (через поглощение на свободных носителях). В силу удаленности измеряемой области от поверхности слитка метод свободен от необходимости учета поверхностной рекомбинации. Показаны возможности метода на слитке с известной пространственной неоднородностью времени жизни носителей. Достигнуто пространственное разрешение в несколькомм.

Приведены результаты экспериментальных исследований спектров плазменного отражения легированных кристаллов висмута и сплавов висмут--сурьма при температуре жидкого азота в диапазоне 30-600 см-1. Выявлены особенности в поведении оптических функций в низкочастотной по отношению к плазменному краю инфракрасной области спектра, совпадающей с полосой частот оптических фононов в висмуте. Сближение частоты плазменных колебаний и указанных особенностей приводит к существенному изменению характера взаимодействия излучения с анизотропной плазмой носителей заряда.

Приведены спектральные характеристики и мощность излучения светодиодов с длиной волны 3.1--3.6 мкм, изготовленных из структур, содержащих узкозонные слои InGaAs или InGaAsSb на подложке n+-InAs, в которых накачка осуществлялась с помощью светодиода из арсенида галлия. Получен коэффициент преобразования 90 мВт / А·см2, сравнимый с данными для инжекционных светодиодов.

Показано, что вольт-амперные характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью (BIB-структур) на основе Si : As при засветке инфракрасным излучением из области чувствительности имеют два четко выраженных участка. Напервом участке величина фототока определяется величиной потока инфракрасного излучения и лавинным примесным пробоем. Навтором участке фототок определяется смыканием слоя обеднения с контактной N++-областью. Показано, что режим лавинного умножения может быть использован в фокальных многоэлементных фотоприемных устройствах. Однородность фотоэлектрических параметров по массиву элементов в фокальных многоэлементных фотоприемных устройствах, работающих в режиме лавинного умножения, практически не уступает таковой, наблюдаемой в BIB-матрицах, работающих без лавинного умножения.

Приводятся данные по исследованию малоизученной области спектра катодолюминесценцииZnSe 700-2000 нм на специально осажденных из паровой фазы конденсатах с отклонениями от стехиометрии и введениемCu иO в чистую матрицу. Уточнена природа катодолюминесценции в области1300-1400 нм: сделан вывод, что свечение определяется изолированнымиVI\kern0.3pt(II)Zn. Рассмотрено поведение полос катодолюминесценции830 и960 нм, обязанныхVSe, при изменении состава матрицы.

Исследован полупроводниковый преобразователь инфракрасных изображений ионизационного типа в импульсном режиме при температуре77 K. Показано, что путем коротковолновой подсветки фотоприемника преобразователя инфракрасных изображений можно управлять спектральным диапазоном его фоточувствительности (lambda=5-10.6 мкм). Быстродействие преобразователя составляет ~5· 10-7 c.

В узкощелевых полупроводниках с прямой запрещенной зоной в упругонапряженном состоянии темп межзонной излучательной рекомбинации за счет трансформации валентной зоны увеличивается. Сдругой стороны, интенсивность межзонных безызлучательных переходов (оже-рекомбинация) при этом резко ослабляется. Врезультате квантовый выход инфракрасного излучения в области межзонных переходов может быть существенно повышен и, как показывает расчет, в пределе стремится к значениям, близким к единице. Экспериментальные результаты получены на кристаллах антимонида индия в условиях сильного возбуждения.