Теоретически исследованы высокочастотные возбуждения молекулярного диэлектрика C60. Модель сферически свернутой квантовой ямы применена для расчета дипольных (мультипольных в общем случае) мод отдельного кластера C60. Зная спектр и силы осцилляторов коллективных мод отдельного кластера, микроскопический континуальный подход можно применить для расчета спектра делокализованных возбуждений в кластерном кристалле. В дальнейшем обычный формализм диэлектрической проницаемости позволяет рассчитать оптические характеристики материала в изучаемой области вакуумного ультрафиолета (ВУФ).
Роткин В.В., Сурис Р.А. ВУФ плазменный френкелевский экситон: элементарное возбуждение полимеризованного фуллерена // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 913

Вибронный экситон с переносом заряда (ВЭПЗ) --- пара ян-теллеровских электронного и дырочного поляронов --- рассмотрен в качестве возможной причины появления фазы Мюллера в виртуальном сегнетоэлектрике SrTiO3 и "зеленой" люминесценции в виртуальном сегнетоэлектрике KTaO3. Две полосы "зеленой" люминесценции могут быть связаны с эмиссией с двух состояний характерного собственного дефекта --- ВЭПЗ, захваченного вакансией кислорода, и изолированного ВЭПЗ. В обоих случаях "зеленая" люминесценция соответствует рекомбинации электрона и дырки в ВЭПЗ, которая сопровождается эмиссией света. Свойства фазы Мюллера находят объяснение как результат смешивания нормального состояния и состояний ВЭПЗ-фазы при взаимодействии с поляризацией в мягкой матрице SrTiO3 в условиях псевдо-эффекта Яна--Теллера (ПЭЯТ) на мягкой TO-моде типа смещения. При этом ВЭПЗ-фаза, формирующая низколежащие возбужденные состояния, обладает степенями свободы типа "порядок--беспорядок", и при T=TQ~37 K в SrTiO3 находится существенно ниже точки сегнетоэлектрического фазового перехода типа порядок--беспорядок. Соответствующее понижение симметрии ВЭПЗ-фазы до полярной приводит к возможности длиннопериодической несоразмерной фазы в таких возбужденных состояниях, возникающей благодаря появлению инварианта Лифшица. При этом состояние валентной зоны, дающее максимальный вклад в ПЭЯТ, соответствует волновому вектору, равному критическому волновому вектору несоразмерной ВЭПЗ-фазы. При понижении температуры ПЭЯТ-искажение растет вплоть до температур ~ TQ, и впоследствии насыщается в соответствии с насыщением диэлектрической проницаемости. Основным предположением модели является соответствие температуры T=TQ узкой температурной области перехода от промежуточного к сильному ПЭЯТ в условиях реализации туннельных состояний по поляризации. Возникновение существенной примеси к основному состоянию состояний модулированной сегнетоэлектрической ВЭПЗ-фазы в условиях реализации туннельных состояний по поляризации при низких температурах позволяет объяснить основные свойства фазы Мюллера.
Вихнин В.С., Каппхан С. Вибронный экситон с переносом заряда: возможная природа необычных свойств виртуальных перовскитоподобных сегнетоэлектриков // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 907

Experiments on permanent lattice defect formation induced by electronic excitation of Rare Gas Solids are presented. The creation of triplet excitons Gamma(3/2) is found to be the primary process, followed by the exciton self-trapping. Probable models of defect formation are discussed.
Savchenko E.V., Ogurtsov A.N., Grigorashchenko O.N. Lattice rearrangement induced by excitons in cryocrystals // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 903

Теоретически и экспериментально исследовано влияние продольного магнитного поля на оптическую ориентацию и магнито-циркулярную поляризацию люминесценции локализованных экситонов в твердых растворах полупроводников. Показано, что рекомбинация происходит через два типа излучающих состояний, существенно различающихся по степени анизотропии, g-фактору и времени спиновой релаксации. Сделаны оценки величин g-факторов, анизотропного и обменного расщеплений, времен жизни и спиновой релаксации локализованных состояний в эпитаксиальном слое твердого раствора CdS0.96Se0.04/GaAs.
Резницкий А.Н., Корниевский А.В., Киселев А.А., Клочихин А.А., Пермогоров С.А., Вербин С.Ю., Тенишев Л.Н., Gerlach H., Hetterich M., Grun M., Klingshirn C. Оптическая и тепловая ориентация локализованных экситонов в твердых растворах при резонансном возбуждении в продольном магнитном поле // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 900

Показано, что при сильном импульсном возбуждении интенсивность полосы рекомбинации экситонов флуктуационного хвоста плотности состояний в пределе больших времен в присутствии ловушек описывается асимптотикой решения уравнения диффузии. Критический индекс диффузии соответствует "нормальному" характеру процесса в твердом растворе CdS--Se и "аномальной" диффузии в случае ZnSe--Te.
Клочихин А.А., Пермогоров С.А., Резницкий А.Н., Breitkopf T., Westphaling R., Klingshirn C. Диффузия экситонов в твердых растворах CdS--Se и ZnSe--Te при высоких уровнях возбуждения // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 892

Развит единый метод описания спектров стационарной люминесценции флуктуационных состояний экситонов при слабом возбуждении в различных неупорядоченных системах. Показано, что бесфононная полоса люминесценции формируется "излучающими" состояниями флуктуационного хвоста плотности состояний, т. е. такими состояниями, для которых отсутствуют или маловероятны безызлучательные переходы. Рассчитанная с учетом взаимодействия с фононами форма спектров излучения хорошо согласуется с экспериментальными спектрами люминесценции alpha-Si : H и твердых растворов ZnSe(1-c)Tec и CdS( 1-c)Sec.
Клочихин А.А. Собственная люминесценция аморфных и неупорядоченных кристаллических систем // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 890

С использованием рентгеновской дифрактометрии и низкотемпературной экситонной спектроскопии исследованы гетероэпитаксиальные слои CdSe/CdS, выращенные в интервале температур 350-485oC методом MOCVD. Установлено, что высокотемпературные образцы демонстрируют экситонные и рентгеновские дифракционные спектры, характерные для гексагональных структур вюртцита (W), в то время как низкотемпературные образцы проявляют особенности, характерные для кубической структуры сфалерита (ZB). Ряд образцов обнаруживает рентгеновские спектры, характерные для структур с дефектами упаковки (SF), представляющими в изучаемых структурах отдельную кристаллическую фазу. Установлен факт пространственного разделения отдельных кристаллических фаз.
Федоров Д.Л., Денисов Е.П., Тенишев Л.Н., Чернышов М.Б., Кузнецов П.И., Якущева Г.Г. Экситоны в гетероэпитаксиальных структурах CdSe/CdS // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 887

В интервале температур 10/ 120 K исследованы экситонные спектры отражения (ЭСО) и фотолюминесценции (ФЛ) эпитаксиальных слоев ZnSe/GaAs толщиной 2/ 4 mum. Показано, что одной из причин образования дублетной структуры An=1-полосы ФЛ является интерференция экситонного излучения на границах приповерхностного мертвого слоя.
Ракович Ю.П., Гурский А.Л., Смаль А.С., Гладыщук А.А., Хамади Х., Яблонский Г.П., Хойкен М. Структура полосы излучения свободных экситонов в гетероэпитаксиальных слоях ZnSe/GaAs // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 881

Исследованы низкотемпературные (T=80 K) спектры экситонного отражения света кристаллов CdS в электрическом поле барьера Шоттки. Зарегистрировано аномальное штарковское смещение водородоподобного экситонного состояния в предынизационном пределе. Из анализа спектров, выполненного в рамках теории нелокального диэлектрического отклика в пространственно неоднородной среде, установлен характер распределения подбарьерного электрического поля.
Новиков А.Б., Новиков Б.В., Роппишер Г., Селькин А.В., Штайн Н., Юферев Р.Б., Бумай Ю.А. Экситоны в предионизационном электрическом поле барьера Шоттки // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 879

В диарсениде цинка в спектрах оптического пропускания при 5 K обнаружена структура, соответствующая состояниям свободного экситона с n=1,2,3. Определены ширина запрещенной зоны для E normal C в области температур 5-300 K и энергия связи экситона (17.5 meV).
Морозова В.А., Вавилов В.С., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г., Чукичев М.В. Серия линий свободного экситона в диарсениде цинка // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 877