Исследовались спектры экситонной люминесценции в двойных квантовых ямах GaAs в электрическом и магнитном полях. Обнаружено, что линия непрямого экситона (IX) ведет себя аномальным образом: наблюдается индуцированный магнитным полем сдвиг IX в сторону низких энергий и возникновение периодических во времени (~5s) флуктуаций интенсивности линии IX.
Криволапчук В.В., Мазуренко Д.А., Москаленко Е.С., Полетаев Н.К., Жмодиков А.Л., Ченг Т.С., Фоксон С.Т. Аномальное воздействие магнитного поля на непрямой экситон в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 803

Using a two-dimensional geometrical model and fractional dimension approach, it is found analytically that the ratio of the binding energy of a biexciton to that of an exciton is 0.228 in quantum wells and it is independent of the quantum well width. This agrees very well with the results in GaAs and ZnSe quantum wells, and CuCl crystals and large quantum dots. It is suggested that while Haynes rule may be valid for bulk, much higher ratios may be expected in lower dimensions.
Singh Jai On the Validity of Haynes Rule for the Binding of Excitonic Complexes in Low Dimensions // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 794