Приведены результаты последних исследований экситонной и электронно-дырочной рекомбинаций в квантовых ямах и сверхрешетках GaAs/AlAs, полученные с помощью развитых авторами методов микроволново-оптической спектроскопии низкоразмерных структур.
Баранов П.Г., Романов Н.Г. Оптическое детектирование магнитного резонанса и антикроссинга уровней экситонов в квантовых ямах и сверхрешетках // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 888

Two new types of molecular/electronic fullerene nanostructures are considered: 1) highly stable hydrated clusters (Ih symmetry group) and microcrystals (Th symmetry group) of fullerene C60 in water solution and 2) the single-walled carbon nanotube from C60 fullerenes. The vibrational spectra of these fullerene nanostructures are calculated using the molecular dynamics approach. The electronic properties of a single-walled fullerene nanotube are investigated using the tight-binding method. The obtained theoretical results were compared with available experimental data.
Prilutski Yu.I., Durov S.S. Electronic and Optical Properties of Fullerene Nanostructures // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 885

Исследованы структура и электрические свойства составов BaLn2Ti4O12 (БЛТ), где Ln = La, Nd, Sm, при замещении бария на кальций, стронций или свинец, а лантаноида --- на висмут. Показано, что соединение БЛТ характеризуется широкой областью изоморфизма, на границе которой формируются твердые растворы с наиболее высокой диэлектрической проницаемостью вплоть до величин около 170. На основе твердых растворов БЛТ разработан ряд термостабильных керамических материалов с повышенной диэлектрической проницаемостью от 80 до 120, обеспечивающих получение добротности микроволновых диэлектрических резонаторов от 600 для varepsilon=120 и 3000 для varepsilon=80 на частоте f=4 GHz.
Ненашева Е.А., Трубицына О.Н., Картенко Н.Ф., Усов О.А. Керамические материалы для СВЧ-электроники // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 882

Time resolved picosecond spectroscopy is used for the first time to study optical orientation and spin dynamics of carriers in self-organized In(Ga)As/GaAs quantum dots (QDs) arrays. Optical orientation of carriers created by 1.2 ps light pulses both in the GaAs matrix and wetting layer and captured by QDs is found to last a few hundreds of picosecond. The saturation of electron ground state at high excitation light intensity leads to electron polarization in excited states close to 100% and to its vanishing in ground state. Electron spin quantum beats in a transverse magnetic field are observed for the first time in semiconductor QDs. We thus determine the quasi-zero-dimensional electron g-factor in In0.5Ga0.5As/GaAs QDs to be: |g normal |=0.27± 0.03.
Kalevich V.K., Tkachuk M.N., Le Jeune P., Marie X., Amand T. Electron Spin Beats in InGaAs/GaAs Quantum Dots // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 871

В простой модели сильно связанных электронов рассмотрено взаимодействие примесного атома Cu с углеродом при интеркаляции медью графитоподобных нанокластеров в a-C : H. На примере кластеров простых конфигураций показано, что за счет частичной ионизации Cu происходит металлизация полупроводникового кластера и существенное перераспределение заряда в кластере. В присутствии меди в кластере возникает внутренняя поляризация с компонентами, направленными как по нормали к плоскости графенового фрагмента, так и параллельно ей. Снижение симметрии кластера при интеркаляции медью приводит к активации рамановской полосы G в ИК спектре a-C : H.
Иванов-Омский В.И., Сморгонская Э.А. Смещение заряда при интеркаляции графитоподобных нанокластеров в аморфном углероде медью // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 868

Работа посвящена исследованиям электронного парамагнитного резонанса ионов переходных элементов в SiC и GaN и эрбия в 6H--SiC. Представлены данные по ионам Sc2+ и акцепторам скандия, по ионам хрома, молибдена в разных зарядовых состояниях в SiC. Изучены никель и марганец в номинально чистом GaN, выращенном сублимационным сэндвич-методом. Впервые исследован ЭПР эрбия в 6H--SiC. Эрбий идентифицирован по сверхтонкой структуре спектров ЭПР. Обсуждаются возможные модели эрбиевых центров в карбиде кремния. Наблюдалась интенсивная люминесценция ионов эрбия при комнатной температуре.
Баранов П.Г., Ильин И.В., Мохов Е.Н., Храмцов В.А. Переходные и редкоземельные элементы в широкозонных полупроводниках SiC и GaN: последние исследования ЭПР // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 865

The relaxation of a Metal Oxide Semiconductor structure from deep depletion towards a tunnel induced non-equilibrium stationary state is addressed in this work. A simple model was constructed, taking into account thermal generation, tunneling of both types of carriers and impact ionization. Experimental results obtained on p- and n-type Si substrates and oxides thinner than 6.5 nm are shown to be well fitted by the proposed model. A map describing the possible behavior patterns for a structure with given oxide thickness and effective generation velocity is presented.
Vercik A., Faigon A. Relaxation into Tunnel Induced Non-equilibrium States in Metal Oxide Semiconductor Structures // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 862

Метод протонного магнитного резонанса широких линий был использован для изучения кооперативного молекулярного движения в мезофазе на примере полностью ароматического ориентированного жидкокристаллического полимера Vectra A950. Обнаружено снижение молекулярной подвижности в результате термообработки, что рассматривается как причина повышения разрывной прочности за счет возрастания энергии активации процесса разрушения.
Егоров Е.А., Савицкий А.В., Жиженков В.В., Горшкова И.А. Молекулярная подвижность и упрочнение ориентированных жидкокристаллических полимеров // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 859

Исследован магнитный отклик свернутого в цилиндр двумерного слоя, находящегося в продольном магнитном поле. Изучен магнитный момент вырожденного электронного газа в зависимости от потока магнитного поля. Подробно анализируется форма осцилляционных максимумов. Показано, что при нулевой температуре имеются изломы на каждом периоде изменения магнитного момента. На этом периоде график магнитного момента сильно зависит от отношения энергии Ферми к энергии размерного конфайнмента. В частности, изломы отсутствуют при целом или полуцелом значении квадратного корня из этого отношения.
Чучаев И.И., Маргулис В.А., Шорохов А.В., Холодова С.Е. Магнитный момент квантового цилиндра // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 856

Дан краткий обзор механизмов возбуждения ионов эрбия в кристаллическом и аморфном кремнии и процессов, определяющих температурное гашение эрбиевой люминесценции в этих материалах, как на основании оригинальных результатов, полученных авторами данной работы, так и на основании данных, изложенных в литературе.
Бреслер М.С., Грегоркевич Т., Гусев О.Б., Соболев Н.А., Теруков Е.И., Яссиевич И.Н., Захарченя Б.П. Механизмы возбуждения и температурного гашения люминесценции ионов эрбия в кристаллическом и аморфном кремнии // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 851