Для обнаружения релаксационных переходов в твердых телах применен метод построения температурных зависимостей скоростей малых деформаций ползучести (спектров скоростей). Метод основан на прецизионном измерении скорости с помощью лазерного интерферометра и отличается высокой разрешающей способностью. Показана возможность использования спектров для прогнозирования критических температур в кинетике разрушения полимеров и металлов, а также в изменении электрических свойств (на примере сверхпроводящего перехода в Y--Ba--Cu--O керамиках).
Песчанская Н.Н., Якушев П.Н., Шпейзман В.В., Синани А.Б., Берштейн В.А. Спектры скоростей малых деформаций твердых тел // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 848

Мы сообщаем о разработке высокочувствительной методики для регистрации спектров неупругого электронного рассеяния света в ближней ИК-области, возбуждаемых высокостабильным одномодовым лазером непрерывного действия на алюмоиттриевом гранате, легированном неодимом, с длиной волны 1064.4 nm. Использование такой методики позволило впервые зарегистрировать квазиупругое рассеяние света фотовозбужденной электрон-дырочной плазмой, индуцированной в слое GaAs в присутствии самоорганизованного ансамбля квантовых точек InAs. Обнаружено значительное резонансное усиление интенсивности квазиупругого электронного рассеяния превышающее установленные значения для объемного материала, на два порядка величины. Выявлен основной механизм рассеяния, обусловленный совместной диффузией электронов и дырок.
Байрамов Б.Х., Войтенко В.А., Захарченя Б.П., Топоров В.В., Henini M, Kent A.J. Квазиупругое рассеяние света в ближней инфракрасной области спектра фотовозбужденной электрон-дырочной плазмой, индуцированной в слое GaAs в присутствии квантовых точек InAs // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 844

Использование современных физических методов исследования позволяет установить, что разрушение и пластическая деформация металлов сопровождаются эмиссионными процессами, в частности, люминесценцией и эмиссией электронов. Все исследованные металлы обладают способностью люминесцировать. Интенсивность, длительность и спектр механолюминесценции различаются для разных металлов. Интенсивность определяется механическими и тепловыми характеристиками. Для одного и того же металла интенсивность зависит от количества дислокаций в структуре и скорости нагружения образца. Спектр благородных металлов определяется электронной структурой поверхностных состояний. Динамика механолюминесценции и электронной эмиссии (экзоэмиссии) зависит от скорости изменения напряжений в исследуемых образцах. Все это позволяет рассматривать механолюминесценцию и экзоэмиссию не только в качестве физических характеристик, но также в качестве возможного метода исследования поверхностных состояний в металлах и кинетики выхода мобильных дислокаций на поверхность, обладающего высоким временным разрешением.
Абрамова К.Б., Щербаков И.П., Русаков А.И., Семенов А.А. Эмиссионные процессы, сопровождающие деформирование и разрушение металлов // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 841

We present a critical review of the present status of the critical exponent puzzle of the metal-insulator transition of doped semiconductors with the emphasis on the role of mesos- and macroscopically inhomogeneity caused by the disorder of intended or unintended acceptors and donors in the crystals. By using both the isotopic engineering and the neutron transmutation doping (NTD) of Germanium we found for low compensations (at K=1.4 and 12%) that the critical exponents of the localization length and the dielectric constant are nearly nu=1/2 and zeta=1, which double for medium compensations (at K=38 and 54%) to nu=1 and zeta=2, respectively.
Rentzsch Rolf, Ionov A.N., Reich Ch., Ginodman V., Shlimak I., Fozooni P., Lea M.J. Influence of the Disorder in Doped Germanium Changed by Compensation on the Critical Indices of the Metal-Insulator Transition // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 837

II--VI quantum well structures containing a 2DEG of low density have been investigated by means of polarized photoluminescence, photoluminescence excitation and reflectivity in external magnetic fields up to 20 T. The spin splittings of the excition X and the negatively charged exciton X- are measured as a function of the magnetic field strength. The behavior of the magnetic-field-induced polarization degree of the luminescence line related to X- demonstrates the formation process of negatively charged excitons from excitons and free carriers polarized by the external magnetic field. We have determined the binding energies of the trion formed either with the heavy-hole or the light-hole exciton. The optically detected magnetic resonance (ODMR) technique was for the first time applied to study the optical transition processes in a nanosecond timescale. The electron ODMR was observed with the detection on either the direct exciton or the negatively charged exciton X. Further evidence for the interaction of excitons with the electrons of the two dimensional gas are demonstrated by a combined exciton-cyclotron resonance line observed in reflectivity and luminescence excitation, shake-up processes observed in photoluminescence as well as inelastic and spin-dependent scattering processes.
Ossau W., Yakovlev D.R., Hu C.Y., Kochereshko V.P., Astakhov G.V., Suris R.A., Christianen P.C.M., Maan J.C. Exciton-Electron Interaction in Quantum Wells with a Two Dimensional Electron Gas of Low Density // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 831

Important physiсal concepts learned from early EPR studies of defects in silicon are reviewed. Highlighted are the studies of shallow effective-mass-liked donors and acceptors by Feher, of deep transition element impurities by Ludwig and Woodbury, and of vacancies and interstitials by Watkins et al. It is shown that the concepts learned in silicon translate remarkable well to the corresponding defects in the other elemental and compound semiconductors. The introduction over the intervening years of sensitive optical and electrical detection methods, and the recent progress in single defects detection insure the continued vital role of EPR in the future.
Watkins G.D. EPR of Defects in Semiconductors: Past, Present, Future // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 826

Демонстрируются возможности сублимационного сэндвич-метода для контролируемого роста монокристаллов и эпитаксиальных слоев различных политипов SiC и GaN. Управляемое получение чистых (ni
Водаков Ю.А., Мохов Е.Н. Прогресс в выращивании кристаллов и изучении широкозонных полупроводниковых материалов // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 822

Two former professors of physics at Giessen university contributed significantly to the development of the Ioffe Institute: Wilhelm Conrad Roentgen as a teacher of Abram Ioffe, and Wilhelm Hanle, whose effect found various applications, e. g., in the spectroscopy of hot electrons in low dimensional structures. A few examples will illustrate how topics of their scientific work found a continuation in the research activities at Giessen, but also in the collaboration between Giessen and Saint Petersburg. They range from sodium chloride, the old Roentgen / Ioffe material where we could prove the existence of an unusual isotope effect in nickel-doped crystals, over level-crossing experiments in gases, to GaAs/A1As superlattices, where level-anticrossing spectroscopy of excitons reveals detailed information about recombination processes and interface quality. A short summary of the efforts to keep the traditionally close and good relations between Russian and German physics vivid completes the report.
Scharmann A. From Roentgen to Ioffe, from Giessen to Saint Petersburg --- Relations Between Russian and German Physics // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 818

Предложена модифицированная феноменологическая модель для расчета энергий образования нанокластеров углерода, позволяющая проанализировать области сосуществования кластеров различной формы. Новый параметр, отвечающий пассивации оборванных связей углерода, включенный в модель, влияет на форму равновесных оптимальных кластеров, т. е. имеющих минимальную энергию при фиксированном числе атомов. Представлены полученные аналитически в рамках модели зависимости равновесных конфигурационных состояний для сосуществования сфероидальных замкнутых кластеров, нанотрубок и фрагментов плоскости графита от параметра энергии оборванной связи.
Роткин В.В., Сурис Р.А. Энергетика углеродных кластеров с пассивированными связями // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 809

Неупорядоченные материалы (стекла и аморфные тела, расплавы, полимеры, биологические среды и т. д.) представляют собой важный класс объектов. Оказалось, что несмотря на хаос, с которым обычно ассоциируется их структура, для стекол и аморфных тел различной природы (полупроводниковых, диэлектрических, металлических) есть универсальный пространственный масштаб ~1 nm --- параметр порядка, который может сыграть для теории столь же важную роль, как элементарная ячейка для кристаллов. Беспорядок в неупорядоченных телах не абсолютный --- присущая кристаллам периодичность в расположении атомов сохраняется в пределах нескольких координационных сфер, а далее каким-то образом нарушается. Характер нарушения порядка позволяет отличить стекла от аморфных тел по виду функции корреляции структуры. Неоднородности, о которых идет речь, не экзотические единичные образования, не аналоги дефектов в кристаллах, а фрагменты, из которых целиком построены аморфные тела и стекла. Пространственная неоднородность неупорядоченных тел с характерным масштабом ~1 nm приводит к появлению универсальных характерных особенностей в колебательных свойствах, меняет механизм релаксации электронного возбуждения, определяет специфику переноса зарядов.
Малиновский В.К. Неупорядоченные твердые тела: универсальные закономерности в структуре, динамике и явлениях переноса // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 805