Предлагается построение единой иерархии структур молекул и твердых тел, образующихся в равновесных (идеальные кристаллы) или неравновесных условиях (реальные кристаллы, фрактально-упорядоченные кристаллические, квазикристаллические и аморфные твердые тела, а также апериодические на атомно-молекулярном уровне, но периодические на макроуровне композиционные твердотельные материалы). Это построение приводится на основе приложения теории алгебраических систем (группы, кольца и поля) к размножению в пространстве первоначальной структуры в зависимости от коэффициента (числа) инфляции, выражаемого в общем виде Q=(n+msqrt(l)sqrt. Приводятся примеры структур молекул и полимеров, описываемых группами или кольцами, фрактально-упорядоченных твердых тел, структуры которых описываются полями, а также твердых тел с затухающими или автоколебаниями состава, структуры которых описываются полями или периодическими кольцами из полей с комплексными коэффициентами размножения в пространстве.
Домрачев Г.А., Лазарев А.И. Приложение теории алгебраических систем для создания иерархии структур твердых тел, образующихся при равновесных и неравновесных условиях // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 799

Рассмотрены различные аспекты технологии нейтронного трансмутационного легирования (НТЛ) кремния (Si) и германия (Ge) причем особое внимание уделено вкладу в решение этих проблем ученых Физико-технического института им. А.Ф..Иоффе РАН. Обсуждаются вопросы фундаментальных исследований по определению сечений захвата тепловых нейтронов изотопами полупроводниковых материалов, отжига радиационных дефектов, вводимых быстрыми реакторными нейтронами, использования метода НТЛ для изучения структуры примесной зоны Ge. Обсуждаются проблемы получения НТЛ-Si в промышленных масштабах и применения НТЛ-Si и НТЛ-Ge в производстве мощных тиристоров, детекторов ядерных частиц, инфракрасного излучения, глубоко охлаждаемых термисторов и болометров. В заключение обсуждаются дальнейшие перспективы применения НТЛ-Si и НТЛ-Ge, основанные на использовании материалов с контролируемым искусственно-измененным изотопным составом.
Шлимак И.С. Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: наука и приложения // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 794

Доклад на юбилейной конференции ФТИ им. А.Ф.Иоффе "Physics at the Turn of the 21st Century" посвящен последним исследованиям методами электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) основных примесей в широкозонных полупроводниках SiC и GaN, которые весьма вероятно являются наиболее перспективными материалами для микроэлектроники и квантовой полупроводниковой электроники на пороге 21 века.
Баранов П.Г. Радиоспектроскопия широкозонных полупроводников: SiC и GaN // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 789

Представлены результаты исследования вторичного свечения (рамановское рассеяние и горячая фотолюминесценция) в полупроводниковых структурах пониженной размерности.
Мирлин Д.Н., Перель В.И., Решина И.И., Сапега В.Ф. Спектроскопия горячей фотолюминесценции: исследование двумерных структур // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 785

We discuss the phase transition to the conducting state in a system of 2D charge-transfer excitons (CTEs) at a donor-acceptor interface. The phase transition arises due to strong dipole-dipole repulsion between CTEs which stimulates the population of free carriers in higher energy states even at low temperature. We use the computer simulations with the random distribution of excitons, and finite lifetime is explicitly taken into account. The critical concentration of CTEs and their energy distribution are calculated. We also discuss the possibility of observing the predicted phenomena.
Agranovich V.M., Kiselev S.A., Soos Z.G., Forrest S.R. Phase Transition to the Conducting State in a System of Charge-Transfer Excitons at a Donor-Acceptor Interface // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 781

In two-dimensional heterostructures made of semiconductor and organic layers, when resonance between the Wannier and Frenkel excitons is realized, the dipole-dipole interaction coupling them leads to novel striking effects. First, we discuss the pronounced nonlinear optical properties of the hybrid Frenkel--Wannier excitons appearing when the energy splitting of the excitonic spectrum is large compared to the exciton linewidths (the case of strong resonant coupling). Next, we consider the case of weak resonant coupling for which the Forster mechanism of energy transfer from an inorganic quantum well to an organic overlayer is of great interest: the electrical pumping of excitons in the semiconductor quantum well could be employed to efficiently turn on the organic material luminescence.
Bassani F., La Rocca G.C., Basko D.M., Agranovich V.M. Excitons in Hybrid Organic-Inorganic Nanostructures // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 778

Highly sensitive methods of the detection of the electron paramagnetic resonance (EPR) spectra based on the spin-dependent microwave photoconductivity were applied for investigation of the structural defects in irradiated silicon. The parameters of the EPR spectra of the excited triplet states of radiation defects were determined and several models of the carbon related defects were supposed.
Vlasenko L.S. Photoelectrically Detected Magnetic Resonance Spectroscopy of the Excited Triplet States of Point Defects in Silicon // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 774

In this paper we will review techniques for the growth of single crystal mostly of insulating material which are shaped in the growth process. In particular, we will focus on the growth of single crystal fibers of optically activated materials; the emphasis will be placed on the so-called Laser Heated Pedestal Growth (LHPG) method of pulling crystalline fibers. LHPG offers a number of logistical advantages which can be exploited as a tool for materials research. Progress in the synthesis of materials using LHPG is described, as are spectroscopic techniques which are employed in characterizing the optical and physical properties of the crystal fibers obtained through this method.
Yen William M. Synthesis, Characterization and Applications of Shaped Single Crystals // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 770

The promise of low dimensional thermoelectric materials for enhanced performance is reviewed, with particular attention given to quantum wells and quantum wires. The high potential of bismuth as a low dimensional thermoelectric material is discussed.
Dresselhaus M.S., Dresselhaus G., Sun X., Zhang Z., Cronin S.B., Koga T. Low Dimensional Thermoelectric Materials // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 5, Стр. 755

Приведены результаты экспериментального исследования невзаимных эффектов пространственной дисперсии в пара- (Cd1-xMnxTe), ферро- (LiFe5O8) и антиферромагнитных кристаллах (Cr2O3), обусловленных внешним магнитным полем или магнитным порядком.
Гриднев В.Н., Кричевцов Б.Б., Павлов В.В., Писарев Р.В., Ржевский А.А. Эффекты пространственной дисперсии в магнитооптике // ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, Стр. 946